一种功率型LED封装用支架，包括壳体，热沉，所述热沉包埋于所述壳体下部，热沉上方设有柱状凸起，在热沉的上表面和下表面中至少一面上设置有导热绝缘的陶瓷层，且所述柱状凸起位于所述陶瓷层的上方。在芯片底面与支架的底面之间设置高导热电绝缘的陶瓷层层，使得支架底面不再与第二电极引脚导通，实现了热电分离，提高了支架的可靠性并且便于散热设计。本实用新型专利技术涉及发光二极管封装技术，特别是涉及一种功率型LED封装支架。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及发光二极管封装技术，特别是涉及一种功率型LED封装支架。
技术介绍
为了提高LED芯片的散热效率和发光效率，目前功率型LED芯片普遍采用垂直结构，包括直接在导电导热衬底(如碳化硅、硅)上制备LED芯片，以及在其他衬底(如蓝宝石)上制备外延层后剥离生长衬底并转移至新的导电导热衬底(如硅衬底、金属衬底等)上。垂直结构的功率型LED芯片顶面为第一电极，底面为第二电极。高亮度、高散热要求和区别于传统芯片的结构使得功率型LED芯片对封装有了更高的要求。出于散热的要求，功率型LED封装在支架底部设有大面积的金属热沉，热沉上设有支撑芯片的柱状凸起。芯片的顶面和 柱状凸起的表面分别通过焊线连接到第一电极引脚和第二电极引脚。传统的功率型LED封装用支架中采用一体成型的铜柱作为热沉和支撑芯片的柱状凸起，芯片发出的热量可以有效的传递到热沉上，有效地提高了散热效率，但是支架底部的热沉与第二电极引脚直接导通，没有实现热电分离。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种功率型LED封装支架，该支架可以使支架的散热部分与电路部分高度绝缘，实现热电分离。为了解决上述技术问题，本技术采用如下技术方案一种功率型LED封装用支架，包括壳体，热沉，所述热沉包埋于所述壳体下部，热沉上方设有柱状凸起，在热沉的上表面和下表面中至少一面上设置有导热绝缘的陶瓷层，且所述柱状凸起位于所述陶瓷层的上方。优选地所述热沉的材料为铜。优选地所述柱状凸起为铜柱。优选地所述陶瓷层为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷。本技术的有益效果与现有技术相比，本技术在芯片底面与支架的底面之间设置导热绝缘层，使得支架底面不再与第二电极引脚导通，实现了热电分离，提高了支架的可靠性并且便于散热设计。附图说明图I是现有技术的结构图。图2是实施例一的结构示意图。图3是实施例二的结构示意图。图4是实施例三的结构示意图。图中标识说明支架10，壳体11，热沉12，柱状凸起13，LED芯片14，第一电极引脚15，第二电极引脚16;支架20，壳体21，热沉22，柱状凸起23，LED芯片24，第一电极引脚25，第二电极引脚26，上导热电绝缘陶瓷层27;支架30，壳体31，热沉32，柱状凸起33，LED芯片34，第一电极引脚35，第二电极引脚36，下导热电绝缘陶瓷层38;支架40，壳体41，热沉42，柱状凸起43，LED芯片44，第一电极引脚45，第二电极引脚46，上导热电绝缘陶瓷层47，下导热电绝缘陶瓷层48。具体实施方式以下结合附图对本技术做进一步的说明。本技术公布了一种功率型LED封装用支架，包括壳体，热沉，所述热沉包埋于所述壳体下部，热沉上方设有柱状凸起，在热沉的上表面和下表面中至少一面上设置有导热绝缘的陶瓷层，且所述柱状凸起位于所述陶瓷层的上方。图I为现有技术的结构图，支架10底部设有大面积的金属热沉12，热沉12上方设有支撑芯片的柱状凸起13，垂直结构的功率型LED芯片14底面焊在柱状凸起13的顶面上。第一电极引脚15和第二电极引脚16分别位于壳体11两侧，引脚的上端分别埋于壳体内形成接线部。壳体11顶面设有凹槽，柱状凸起13位于凹槽内。所述凹槽底面设有通孔并暴露接线部，芯片的顶面通过焊接金线连接到第一电极引脚的接线部，柱状凸起13的顶面焊线连接到第二电极引脚的接线部。采用一体成型的铜柱作为热沉12和支撑芯片的柱状凸起13。本技术的实施例一如图2所示，区别于现有技术，在热沉22的上表面与柱状凸起23的下表面之间设有上导热绝缘陶瓷层27，热沉22与柱状凸起23通过上导热绝缘陶瓷层27隔离绝缘。陶瓷层的良好电绝缘性使得热沉22不再与第二电极引脚26导通，耐压可达到数万伏；同时陶瓷层的高导热性使得柱状凸起与热沉之间的热量传递不受影响。本技术的实施例二如图3所示，区别于实施例一，采用一体成型的铜柱作为热沉32和支撑芯片的柱状凸起33，并在热沉32的下表面设有下导热绝缘陶瓷层38。陶瓷层覆盖热沉32的下表面，使得热沉32和基板(未画出)之间为高度绝缘状态。本技术的实施例三如图4所示，在实施例一与实施例二的基础上，本实施例在热沉42的上表面与柱状凸起43的下表面之间设有上导热绝缘陶瓷层47，并且在热沉42的下表面设有下导热绝缘陶瓷层48。在实施例一至三中，柱状凸起的材料为导热性好，易于共晶焊的金属，优选为铜；热沉的材料为导热性好，易于焊接的金属，优选为铜；陶瓷层的材料为高导热性电绝缘性的陶瓷材料，优选为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷。权利要求1.一种功率型LED封装用支架，包括壳体，热沉，所述热沉包埋于所述壳体下部，热沉上方设有柱状凸起，其特征在于在热沉的上表面和下表面中至少一面上设置有导热绝缘的陶瓷层，且所述柱状凸起位于所述陶瓷层的上方。2.根据权利要求I所述的功率型LED封装用支架，其特征在于所述导热绝缘的陶瓷层设置在所述热沉的上表面与所述柱状凸起下表面之间。3.根据权利要求I所述的功率型LED封装用支架，其特征在于所述导热绝缘的陶瓷层设置在所述热沉的下表面。4.根据权利要求I所述的功率型LED封装用支架，其特征在于所述导热绝缘的陶瓷层分别设置在所述热沉的上表面与所述柱状凸起下表面之间以及所述热沉的下表面。5.根据权利要求I或2或3或4所述的功率型LED封装用支架，其特征在于所述热沉的材料为铜。6.根据权利要求I或2或3或4所述的功率型LED封装用支架，其特征在于所述柱状凸起为铜柱。7.根据权利要求I或2或3或4所述的功率型LED封装用支架，其特征在于所述陶瓷层为氧化铝陶瓷或氮化铝陶瓷。专利摘要一种功率型LED封装用支架，包括壳体，热沉，所述热沉包埋于所述壳体下部，热沉上方设有柱状凸起，在热沉的上表面和下表面中至少一面上设置有导热绝缘的陶瓷层，且所述柱状凸起位于所述陶瓷层的上方。在芯片底面与支架的底面之间设置高导热电绝缘的陶瓷层层，使得支架底面不再与第二电极引脚导通，实现了热电分离，提高了支架的可靠性并且便于散热设计。本技术涉及发光二极管封装技术，特别是涉及一种功率型LED封装支架。文档编号H01L33/64GK202695548SQ201220250919公开日2013年1月23日 申请日期2012年5月31日 优先权日2012年5月31日专利技术者管志斌 申请人:晶能光电(江西)有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种功率型LED封装用支架，包括壳体，热沉，所述热沉包埋于所述壳体下部，热沉上方设有柱状凸起，其特征在于：在热沉的上表面和下表面中至少一面上设置有导热绝缘的陶瓷层，且所述柱状凸起位于所述陶瓷层的上方。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：管志斌，
申请(专利权)人：晶能光电江西有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。