本实用新型专利技术涉及一种高导电膜，属于光电子器件制造技术领域，主要用运于电容式触摸屏及大尺寸显示器件的制作当中。它包括底层的柔性PET基材，在柔性PET基材上自下而上依次溅射有SiOx薄膜、Nb2O5薄膜，在Nb2O5薄膜上依次镀有SiO2薄膜和ITO/Ag/ITO复合膜。因为SiOx薄膜有很强的粘附性，可以增加薄膜与基材的附着力；最后在SiO2薄膜上镀透明导电复合材料ITO/Ag/ITO，其折射率远高于SiO2薄膜，符合H/L/H高透过率膜系薄膜折射率高低相交替的原理。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种高导电膜，属于光电子器件制造
，主要用运于电容式触摸屏及大尺寸显示器件的制作当中。
技术介绍
真空卷绕镀膜技术就是在真空室内通过热蒸发或者磁控溅射等方法在卷料基材表面制备一层或者多层具有一定性能的薄膜的技术。由于柔性基材具有连续生产简单、容易运输、可方便裁切成任意形状、可弯曲包裹等优势一直是磁控溅射技术发展的一个重要方向。透明导电膜(TCO)目前最主要的应用是ΙΤ0，还有其他AZO等。ITO薄膜是一种半导体透明薄膜，它是氧化铟锡(Indium Tin Oxide)英文名称的缩写。作为透明导电电极， ITO薄膜有良好的透明性和导电性。应用ITO膜的这一特性，现实中常把它用在显示设备 的透明电极。到目前，在柔性透明基板，即聚对苯二甲酸乙二酯(PET)上ITO镀膜方法有很多种，尽管方法很多，目的无非就是提高膜的透过率和导电性。透过率以及导电率对显示产品的品质至关重要，当然触摸屏也不例外。但是PET材料本身具有一定的折射率n = 1.5^1.6之间，直接与空气接触的话材料上表面与下表面的反射率4. (Γ5. 3%，就是说PET材质本身的透光率只能在89. 4^92%之间。在此基础上直接镀ITO膜的话，因为ITO材料对光具有一定的吸收性，目前很多产品的透光率达不到85%以上，只有日本的少数几家生产ITO膜的透光率高于85%。为了不影响薄膜的透光率，在实际操作中使用高透光率的柔性基板PET上减少ITO膜厚度的方法来减少ITO对可见光的吸收。但是随之而来的是，因为厚度减小而带来的电导率变小等问题。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本技术的目的在于提供一种导电性能优秀的高导电膜。为了达到上述目的，本技术采用如下技术方案一种高导电膜，它包括底层的柔性PET基材，在柔性PET基材上自下而上依次溅射有SiOx薄膜、Nb205薄膜，在Nb205薄膜上依次镀有Si02薄膜和IT0/Ag/IT0复合膜。所述柔性PET基材折射率η=1· 56，膜片厚度为50- 200um。所述SiOx薄膜厚度为5_20nm。所述Si02薄膜折射率η=1· 46，厚度为30_60nm。所述IT0/Ag/IT0复合膜方阻在50-150 Ω/ □左右，厚度为20_100nm。所述Nb205薄膜折射率η=2· 3，厚度为5-lOnm。本技术的有益效果本技术首先在PET柔性膜片上溅射一层SiOx薄膜，因为SiOx薄膜有很强的粘附性，可以增加薄膜与基材的附着力；接着在SiOx薄膜上磁控溅射一层Nb205薄膜作为高折射率膜层，在Nb205薄膜上制备Si02薄膜作为低折射率的保护膜层。制作触摸屏的过程当中，通常在ITO膜上面用酸性液进行蚀刻，因此需要不溶于酸碱的保护层来保护膜系结构；最后在Si02薄膜上镀透明导电复合材料IT0/Ag/IT0，其折射率远高于Si02薄膜，符合H/L/H高透过率膜系薄膜折射率高低相交替的原理。后期处理的时候，为了使金属Ag薄膜不影响透过率，需要对柔性基材进行拉伸或者收缩处理，Ag薄膜会分裂为细小的鳞状结构，夹杂在双ITO膜层当中，大大的提高了 ITO膜的导电性。附图说明图I为本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图I对本技术进行详细说明一种高导电膜，它包括底层的柔性PET基材I，在柔性PET基材I上自下而上依次溅射有SiOx薄膜2、Nb205薄膜3，在Nb205薄膜3上依次镀有Si02薄膜4和IT0/Ag/IT0复合膜5。所述柔性PET基材I折射率η=1· 56，膜片厚度为50- 200um。所述SiOx薄膜2厚度为5_20nm。所述Si02薄膜4折射率η=1· 46，厚度为30_60nm。所述IT0/Ag/IT0复合膜5方阻在50-150 Ω / □左右，厚度为20_100nm。所述Nb205薄膜3折射率n=2. 3，厚度为5_10nm。权利要求1.一种高导电膜，它包括底层的柔性PET基材(I)，其特征在于在柔性PET基材(I)上自下而上依次溅射有SiOx薄膜(2)、Nb205薄膜(3)，在Nb205薄膜(3)上依次镀有Si02薄膜⑷和IT0/Ag/IT0复合膜(5)。2.根据权利要求I所述的高导电膜，其特征在于所述柔性PET基材(I)折射率η=1·56，膜片厚度为 50- 200um。3.根据权利要求I所述的高导电膜，其特征在于所述SiOx薄膜(2)厚度为5-20nm。4.根据权利要求I所述的高导电膜，其特征在于所述Si02薄膜(4)折射率n=l.46，厚度为30-60nm。5.根据权利要求I所述的高导电膜，其特征在于所述IT0/Ag/IT0复合膜(5)方阻在50-150 Ω/ □左右，厚度为 20-100nm。6.根据权利要求I所述的高导电膜，其特征在于所述Nb205薄膜(3)折射率n=2.3，厚度为5-10nm。专利摘要本技术涉及一种高导电膜，属于光电子器件制造
，主要用运于电容式触摸屏及大尺寸显示器件的制作当中。它包括底层的柔性PET基材，在柔性PET基材上自下而上依次溅射有SiOx薄膜、Nb2O5薄膜，在Nb2O5薄膜上依次镀有SiO2薄膜和ITO/Ag/ITO复合膜。因为SiOx薄膜有很强的粘附性，可以增加薄膜与基材的附着力；最后在SiO2薄膜上镀透明导电复合材料ITO/Ag/ITO，其折射率远高于SiO2薄膜，符合H/L/H高透过率膜系薄膜折射率高低相交替的原理。文档编号H01B13/00GK202694827SQ20122035312公开日2013年1月23日 申请日期2012年7月20日 优先权日2012年7月20日专利技术者郭东升 申请人:南昌欧菲光科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高导电膜，它包括底层的柔性PET基材（1），其特征在于：在柔性PET基材（1）上自下而上依次溅射有SiOx薄膜（2）、Nb2O5薄膜（3），在Nb2O5薄膜（3）上依次镀有SiO2薄膜（4）和ITO/Ag/ITO复合膜（5）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：郭东升，
申请(专利权)人：南昌欧菲光科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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