一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，应用于大，中，小尺寸电容式触摸屏。此导电薄膜的中间层为柔性透明基材，在柔性透明基材的上下表面分别设置有加硬层，在所述加硬层的另一侧依次向外设置有粘接层、透明导电层。本实用新型专利技术所获得的透明导电薄膜可见光透过率高于85%，方阻为150-260欧姆。柔性基材上下表面加硬层起到保护PET的作用。较少了贴合次数，可使产能提高，工艺过程较易掌握，触摸屏生产产品良率上升。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，应用于大，中，小尺寸电容式触摸屏。
技术介绍
氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ΙΤ0)透明导电薄膜应用于电容式触摸屏时，要求成膜的ITO膜蚀刻并形成特别电极图案，蚀刻前后颜色差或反射差(▽ R)较小，即相对于人眼无法辨别差异。常见电容式触摸屏结构有表面电容式触摸屏及投射电容式触摸屏，表面电容式触摸屏只采用单层ITO薄膜，从四个角感应由手指在表层静电区域带走的电荷，从而推算出触电位置。投射电容式触摸屏采用两层ITO薄膜，由每一层ITO层感应与手指间互电容带走电荷，相对于表面电容式，投射电容式能穿透较厚覆盖层。目前，对于中小尺寸电容屏而言，投射电容式触摸屏比较流行。结构如下覆盖层，掩膜层(标不层)，光学胶，第一层感应单兀与基底，光学胶，第二层感应单兀与基底，光学胶或空气层，8LCD.第四层感应单元与衬底，ITO层厚度小于lOOnm，ITO涂层基底可以为 10(^111-1_的玻璃(11 1.52)或是25 4 111-30(^111 PET (IR 1· 65)薄膜，ITO 越厚，方阻越低，信噪比越好，ITO越薄，光学透光率越好；第六层感应单元与基底与第四层材料相同，但玻璃与PET薄膜不能混合使用，若ITO在基底上表面，厚的基底可以获得更高的信噪t匕，若ITO在基底下表面，则薄的基底可以获得较高的信噪比。目前，电容式触摸屏ITOfilm导电薄膜结构如该结构由四层膜组成，基材，基材上表面粘接层，高折射率层，绝缘层及导电层，基材上下表面加硬层。基材PET，厚度20-200 μ m,粘接层为Si02或Si02与SiO混合物，厚度5_20nm，高折射率层为Nb205或Ti02，厚度5-15nm，绝缘层为Si02，厚度40-65nm，导电层为IT0，厚度15_25nm。加硬层厚度20-60 μ m，加硬层不影响整体透过曲线，起到保护PET的作用。目前现有的投射式电容屏绝大多数外挂式即采用承载感测线路(sensorpattern)的基板与面板相贴合，基板通常为玻璃或者薄膜(PET)，玻璃式阻抗较好，薄膜式重量，厚度优势较明显。在触摸屏工艺中，堆叠的层与层之间需要进行贴合，因此触控模组的最终成本除了材料成本外，就跟贴合的良率息息相关，特别是进行全贴合的方式。因此，若是能够提高贴合良率、甚至减少贴合次数，就会成为触控制程技术的发展方向。
技术实现思路
为克服以上缺陷，本技术目的在于提供一种双面双层透明导电薄膜结构，本膜系相对于现有技术而言，较少了贴合次数，可使产能提高，工艺过程较易掌握，触摸屏生产产品良率上升。为了实现上述目的，本技术采用如下技术方案一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，此导电薄膜的中间层为柔性透明基材，在柔性透明基材的上下表面分别设置有加硬层，在所述加硬层的另一侧依次向外设置有粘接层、透明导电层。所述粘接层的折射率为I. 47-1. 6。所述粘接层的厚度为530nm。所述粘接层的材料为SiOx或SixNyO。所述透明导电层的折射率为I. 7。所述透明导电层的厚度为15—25nm。本技术的有益效果本技术所获得的透明导电薄膜可见光透过率高于 85%，方阻为150-260欧姆。柔性基材上下表面加硬层起到保护PET的作用。较少了贴合次数，可使产能提高，工艺过程较易掌握，触摸屏生产产品良率上升。附图说明图I为本技术的结构示意图。具体实施方式以下结合附图I对本技术进行详细说明一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，此导电薄膜的中间层为柔性透明基材3，在柔性透明基材3的上下表面分别设置有加硬层4，在所述加硬层4的另一侧依次向外设置有粘接层2、透明导电层I。所述粘接层2的折射率为L 47-1. 6。所述粘接层2的厚度为530nm。所述粘接层2的材料为SiOx或SixNyO。所述透明导电层I的折射率为I. 7。所述透明导电层I的厚度为15 — 25nm。镀治该膜层结构采用卷绕系统，基材3放入卷绕系统放卷室内，待真空度达到要求时进行镀治，本底真空度要求10-7mbar-10-6mbar。基材卷绕过程中依次经过中频交流磁控反应溅射室及直流磁控反应溅射室，中频交流磁控反应溅射室内置Si靶，气体氛围为氩气，氮气，及氧氩混合气。基材卷绕过程中,对靶材施加中频交流电并冲入适当氩气,压强范围10-lmbar-10-3mbar,利用気气辉光放电产生等离子体，Si祀在该氛围内沉积至基材3表面，沉积过程中与气体氛围内氧气，氮气结合产生SiOx或SixNyO,直流磁控反应派射室内置ITO祀,气体氛围为気气,気氧混合气。压强范围10-lmbar-10-3mbar,基材3卷绕至该溅射室内时，ITO靶被溅射至基材3表面，充入适当氧气得到Ho透明导电薄膜。双层透明导电薄膜镀完后，卷绕系统收卷室得到单层透明导电薄膜。改变卷绕方向，在基材3另一面镀双层透明导电薄膜后得到此技术用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜。以上所述实施例仅表达了本专利的一种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本专利构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本专利的保护范围应以所附权利要求为准。权利要求1.一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于此导电薄膜的中间层为柔性透明基材(3)，在柔性透明基材(3)的上下表面分别设置有加硬层(4)，在所述加硬层(4)的另一侧依次向外设置有粘接层(2)、透明导电层(I)。2.根据权利要求I所述的用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于所述粘接层(2)的折射率为I. 47-1. 6。3.根据权利要求I所述的用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于所述粘接层(2)的厚度为530nm。4.根据权利要求I所述的用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于所述粘接层(2)的材料为SiOx或SixNyO。5.根据权利要求I所述的用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于所述透明导电层(I)的折射率为I. 7。6.根据权利要求I所述的用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于所述透明导电层(I)的厚度为15—25nm。专利摘要本技术涉及一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，应用于大，中，小尺寸电容式触摸屏。此导电薄膜的中间层为柔性透明基材，在柔性透明基材的上下表面分别设置有加硬层，在所述加硬层的另一侧依次向外设置有粘接层、透明导电层。本技术所获得的透明导电薄膜可见光透过率高于85%，方阻为150-260欧姆。柔性基材上下表面加硬层起到保护PET的作用。较少了贴合次数，可使产能提高，工艺过程较易掌握，触摸屏生产产品良率上升。文档编号G06F3/044GK202694826SQ201220320249公开日2013年1月23日 申请日期2012年7月4日 优先权日2012年7月4日专利技术者李晨光, 蔡荣军, 于甄, 吕敬波 申请人:南昌欧菲光科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于电容式触摸屏双面双层透明导电薄膜，其特征在于：此导电薄膜的中间层为柔性透明基材（3），在柔性透明基材（3）的上下表面分别设置有加硬层（4），在所述加硬层（4）的另一侧依次向外设置有粘接层（2）、透明导电层（1）。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李晨光，蔡荣军，于甄，吕敬波，
申请(专利权)人：南昌欧菲光科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：