一种发光二极管芯片结构制造技术

技术编号:8242098 阅读:127 留言:0更新日期:2013-01-24 23:05
本发明专利技术适用于光电技术领域,提供了一种发光二极管芯片结构,所述发光二极管芯片结构设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层,所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极,所述发光二极管芯片结构以倒置的方式设置在基板上。本发明专利技术结构简单,使用该发光二极管芯片结构的LED,散热效果好,保证了LED的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光电
,尤其涉及一种发光二极管芯片结构
技术介绍
以蓝宝石为衬底的发光二极管LED,主要是蓝光、绿光以及加荧光粉后的白光LED。目前, 发光二极管LED的取光效率较低,大部分能量都转换为热量,为了保证LED的寿命,一般要求散热效果较好的结构,但是,蓝宝石和GaN材料的散热效果较差,如果LED芯片的热量散不出去,则会加速芯片的老化,芯片失效。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种发光二极管芯片结构,旨在解决现有技术中蓝宝石和GaN材料的散热效果较差,如果LED芯片的热量散不出去,则会加速芯片的老化,芯片失效的问题。本专利技术是这样实现的,一种发光二极管芯片结构,所述发光二极管芯片结构设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层,所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极,所述发光二极管芯片结构以倒置的方式设置在基板上。本专利技术结构简单,使用该发光二极管芯片结构的LED,散热效果好,保证了 LED的使用寿命。附图说明 图I是本专利技术提供的发光二极管芯片结构的结构示意图。具体实施例方式 为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术,并不用于限定本专利技术。图1示出了本专利技术提供的发光二极管芯片结构的结构示意图,为了便于说明,图中仅给出了与本专利技术相关的部分。本专利技术提供的发光二极管芯片结构设有一透明的蓝宝石衬底1,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底I上的GaN结构层2,所述GaN结构层2的下表面设置有P电极3和N电极4,所述发光二极管芯片结构以倒置的方式设置在基板上。在本专利技术中,P电极3和N电极4为整面结构。本专利技术结构简单,使用该发光二极管芯片结构的LED,散热效果好,保证了 LED的使用寿命。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。权利要求1.一种发光二极管芯片结构,其特征在于,所述发光二极管芯片结构设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层,所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极,所述发光二极 管芯片结构以倒置的方式设置在基板上。全文摘要本专利技术适用于光电
,提供了一种发光二极管芯片结构,所述发光二极管芯片结构设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层,所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极,所述发光二极管芯片结构以倒置的方式设置在基板上。本专利技术结构简单,使用该发光二极管芯片结构的LED,散热效果好,保证了LED的使用寿命。文档编号H01L33/64GK102891247SQ20121034597公开日2013年1月23日 申请日期2012年9月18日 优先权日2012年9月18日专利技术者徐广忠 申请人:泰州普吉光电股份有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种发光二极管芯片结构,其特征在于,所述发光二极管芯片结构设有一透明的蓝宝石衬底,通过焊接方式设置在所述蓝宝石衬底上的GaN结构层,所述GaN结构层的下表面设置有P电极和N电极,所述发光二极管芯片结构以倒置的方式设置在基板上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:徐广忠
申请(专利权)人:泰州普吉光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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