半导体发光装置和发光设备制造方法及图纸

提供了一种半导体发光装置和一种发光设备。半导体发光装置包括：发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体发光装置和一种发光设备。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种半导体装置，能够在向其施加电流时由于在P型半导体层和n型半导体层之间的ρ-η结处发生电子-空穴复合而发射各种颜色的光。这种LED相比于基于灯丝的发光装置的优点在于，这种LED具有长寿命、低功耗、优异的初始操作特性等。这些因素已经持续地促进了对LED的需求。近来值得注意的是，大量的注意力已经被吸引到能够发射蓝色/短波长区域的光的第III族氮化物半导体。由于对氮化物半导体装置的开发，已经对扩大其应用范围做出了技术上的改进。因此，对于确定如何在普通的照明设备和电器照明源方面利用氮化物半导体装置正开展大量的研究。根据现有技术，氮化物发光装置已经用作在低电流低输出移动产品中采用的组件。然而，近来，氮化物发光装置的应用范围已经扩大到涵盖高电流高输出产品的领域。同时，在利用LED制造发光设备的情况下，齐纳(Zener) 二极管用来保护LED免受静电放电(ESD)电压的影响。通常，这种齐纳二极管与LED —起安装在封装件中。然而，额外需要在封装件中安装齐纳二极管的工艺。此外，齐纳二极管自身和用来向齐纳二极管施加电信号的额外布线可能会导致发光效率的降低。在该
，正在试图将LED与齐纳二极管进行集成。
技术实现思路
本专利技术的一方面提供了一种集成有齐纳二极管的半导体发光装置，从而提高了封装工艺的便利性和可靠性。本专利技术的一方面还提供了一种这样的半导体发光装置，该半导体发光装置提高了与其集成的齐纳二极管的操作可靠性并且在安装在发光设备中时提高了散热性。本专利技术的一方面还提供了一种包括上述半导体发光装置的发光设备。根据本专利技术的一方面，提供了一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第一连接电极，将LED部的第一导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第二导电类型半导体层；第二连接电极，将LED部的第二导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第一导电类型半导体层；绝缘部，覆盖第一连接电极和第二连接电极，并且具有使第一连接电极和第二连接电极的至少一部分被暴露的开口区域；第一焊盘电极和第二焊盘电极，分别形成在通过开口区域暴露的第一连接电极和第二连接电极上，并且分别连接到第一连接电极和第二连接电极。绝缘部可以使LED部的上部区域不被暴露到外部。绝缘部可以使齐纳二极管部的上部区域不被暴露到外部。第一焊盘电极和第二焊盘电极可以不被设置在齐纳二极管部的区域中。第一焊盘电极和第二焊盘电极可以占据半导体发光装置的上表面面积的80%至95%。LED部还可以包括设置在第一导电类型半导体层的一个表面上的至少一个第一电极，第一连接电极可以连接到所述至少一个第一电极。所述至少一个第一电极可以穿透发光二极管部的活性层和第二导电类型半导体层，所述至少一个第一电极可以被绝缘部包围并且与活性层和第二导电类型半导体层电分 离。LED部还可以包括设置在第二导电类型半导体层的一个表面上的第二电极，第二连接电极可以连接到第二电极。第二电极可以由反光材料形成。第二电极可以设置成包围所述至少一个第一电极。第一电极和第二电极可以具有设置在同一水平面上的上表面。第一电极和第二电极可以沿相同的方向设置。 第一焊盘电极和第二焊盘电极可以由共晶材料形成。根据本专利技术的另一方面，提供了一种发光设备，所述发光设备包括安装基底和安装在安装基底上的半导体发光装置，当向半导体发光装置施加电信号时，半导体发光装置发光，其中，半导体发光装置包括发光二极管(LED)部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第一连接电极，将LED部的第一导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第二导电类型半导体层；第二连接电极，将LED部的第二导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第一导电类型半导体层；绝缘部，覆盖第一连接电极和第二连接电极，并且具有使第一连接电极和第二连接电极的至少一部分被暴露的开口区域；第一焊盘电极和第二焊盘电极，分别形成在通过开口区域暴露的第一连接电极和第二连接电极上，并且分别连接到第一连接电极和第二连接电极。安装基底可以为电路板。安装基底可以为引线框架。当半导体发光装置安装在安装基底上时，第一焊盘电极和第二焊盘电极可以朝向安装基底设置。附图说明通过以下结合附图的详细描述，将更清楚地理解本专利技术的以上和其它方面、特征和其它优点，在附图中图I是示出了根据本专利技术实施例的半导体发光装置的示意性俯视图；图2是沿着图I中的k_k'线截取的示意性剖视图3是沿着图I中的线截取的示意性剖视图；图4至图14是示出了根据本专利技术实施例的制造半导体发光装置的方法的示意图；图15是示出了根据本专利技术另一实施例的发光设备的示意性剖视图。具体实施例方式现在将参照附图详细地描述本专利技术的实施例。然而，本专利技术可以以许多不同的形式来实施，而不应被解释为局限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且这些实施例将把本专利技术的范围充分地传达给本领域技术人员。在附图中，为了清晰起见会夸大元件的形状和尺寸，并且将始终使用相同的标号来表示相同或相似的元件。图I是示出了根据本专利技术实施例的半导体发光装置的示意性俯视图。图2是沿着图I中的A-A'线截取的示意性剖视图，图3是沿着图I中的B-B'线截取的示意性剖视图。参照图I至图3，半导体发光装置具有以下结构发光二极管(LED)部①设置在透光基底101的一个区域中，并且齐纳二极管部②设置在透光基底101的另一区域中。即，半导体 发光装置100具有集成在其内的齐纳二极管部②，因此，当应用于封装件等时，不需要安装齐纳二极管。出于该原因，可以实现加工的便利性，并且不会发生在对齐纳二极管连接的引线结合时的电短路。此外，齐纳二极管被包括在半导体发光装置100中，从而可以提高封装件等中的集成度。参照图2和图3，LED部①包括第一导电类型半导体层102、活性层103和第二导电类型半导体层104。第一电极105a形成在第一导电类型半导体层102的表面上，第二电极105b形成在第二导电类型半导体层104的表面上。此外，齐纳二极管部②包括第一导电类型半导体层102、活性层103和第二导电类型半导体层104。第一电极105a形成在第一导电类型半导体层102的表面上，第二电极105b形成在第二导电类型半导体层104的表面上。在这种情况下，为了形成第一电极105a，可以去除第一导电类型半导体层102的一部分、活性层103的一部分和第二导电类型半导体层104的一部分。因此，LED部①的侧表面和齐纳二极管部②的侧表面可以是倾斜的。然而，如图4所示，根据去除第一导电类型半导体层102的一部分、活性层103的一部分和第二导电类型半导体层104的一部分的方法，侧表面可以不倾斜。第一连接电极109a形成为将LED部①的第一导电类型半导体层102电连接到齐纳二极管部②的第二导电类本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体发光装置，所述半导体发光装置包括：发光二极管部，设置在透光基底的一个区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；齐纳二极管部，设置在透光基底的另一区域上，并且包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；第一连接电极，将发光二极管部的第一导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第二导电类型半导体层；第二连接电极，将发光二极管部的第二导电类型半导体层连接到齐纳二极管部的第一导电类型半导体层；绝缘部，覆盖第一连接电极和第二连接电极，并且具有使第一连接电极和第二连接电极的至少一部分被暴露的开口区域；以及第一焊盘电极和第二焊盘电极，第一焊盘电极形成在通过开口区域暴露的第一连接电极上并且连接到第一连接电极，第二焊盘电极形成在通过开口区域暴露的第二连接电极上并且连接到第二连接电极。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：梁钟隣，金泰亨，申永澈，李泰泫，宋尚烨，金台勋，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：