本发明专利技术提供一种能够小型化的半导体封装体(1)。半导体封装体(1)具备:配线基板(10);电子部件(20),被搭载在配线基板(10)上;围框状部件(30),其具有:围框基体部(31),被设置在电子部件(20)的上表面(20A),并形成为沿电子部件(20)的上表面(20A)的围框状;以及粘接部(32),被设置在围框基体部(31)的上表面,粘接部(32)的宽度比围框基体部(31)的宽度大;盖部件(50),被粘接在粘接部(32)的上表面;以及封装树脂(60),其与粘接部(32)的下表面接触,且对比围框状部件(30)更向外侧露出的电子部件(20)以及配线基板(10)进行封装。
【技术实现步骤摘要】
半导体封装体
本专利技术涉及一种半导体封装体。
技术介绍
在日本特开2010-141123号公报中记载了用于构成便携终端设备的照相机部的照相机模块。图10示出了用于以往的照相机模块的半导体封装体的截面构造。配线基板(wiringboard)70具备配线层71。在配线基板70上安装有摄像元件80。摄像元件80具有朝上的受光面。摄像元件80的连接焊盘81通过金属线82与配线基板70的配线层71连接。围框状部件90被配置在配线基板70上,且将摄像元件80包围。围框状部件90具备从该围框状部件90的内周面向内突出的围框状的粘接部91。玻璃盖100通过粘合剂92被粘接在围框状部件90的粘接部91上。在由配线基板70、围框状部件90、以及玻璃盖100围成的密闭空间Si0中收容有摄像元件80。由此,可防止垃圾等附着在摄像元件80上。然而,由配线基板70、围框状部件90、以及玻璃盖100区划形成收容整个摄像元件80的密闭空间Si0的构造是导致半导体封装体大型化的一个原因。使得具有以往构造的上述半导体封装体难以适应近年来日益小型化的照相机模块。
技术实现思路
本专利技术的目的在于,提供一种能够小型化的半导体封装体。本专利技术的一个形态为一种半导体封装体。半导体封装体具备:配线基板;电子部件,被搭载在所述配线基板上;围框状部件,其具有:围框基体部,被设置在所述电子部件的上表面,并形成为沿所述电子部件的所述上表面的围框状;以及粘接部,被设置在所述围框基体部的上表面,所述粘接部的宽度比所述围框基体部的宽度大;盖部件,被粘接在所述粘接部的上表面;以及封装树脂,其与所述粘接部的下表面接触,且对比所述围框状部件更向外侧露出的所述电子部件以及所述配线基板进行封装。本专利技术的其他形态为一种半导体封装体,半导体封装体具备:配线基板;摄像元件,被搭载在所述配线基板上,所述摄像元件包含有效像素区域和比该有效像素区域更靠外侧的非有效像素区域;IR截止滤光片,其将所述摄像元件的所述有效像素区域覆盖;围框状部件,被固定在所述摄像元件的所述非有效像素区域上,所述围框状部件将所述IR截止滤光片支承在从所述摄像元件的所述非有效像素区域离开的高度位置处,所述围框状部件包含被粘接在所述摄像元件的所述非有效像素区域上的底面、被粘接在所述IR截止滤光片的整个外边缘上的上表面、以及含有外侧面台阶的侧面,所述围框状部件与所述IR截止滤光片配合区划形成将所述摄像元件的整个所述有效像素区域收容的密闭空间,所述IR截止滤光片与所述上表面之间的粘接界面的宽度比所述摄像元件与所述底面之间的粘接界面的宽度大;以及封装树脂,被填充在由所述外侧面台阶、所述摄像元件的外侧轮廓、以及所述配线基板区划形成的空间内,所述封装树脂覆盖将所述摄像元件和所述配线基板电气连接的金属线,且支承所述围框状部件。基于本专利技术,能够使半导体封装体小型化。附图说明图1A是本专利技术的一个实施方式的半导体封装体的概略剖视图。图1B是图1A的半导体封装体的概略俯视图,该图省略了对盖部件的图示。图2A~图2E分别是表示半导体封装体的制造方法的概略剖视图。图3A~图3C分别是表示半导体封装体的制造方法的概略剖视图。图4A以及图4B分别是表示半导体封装体的制造方法的概略俯视图。图5A~图5D分别是表示第1变形例的半导体封装体的制造方法的概略剖视图。图6是第2变形例的半导体封装体的概略剖视图。图7是第3变形例的半导体封装体的概略剖视图。图8是第4变形例的半导体封装体的概略剖视图。图9是第5变形例的半导体封装体的概略俯视图,该图省略了对盖部件的图示。图10是以往的半导体封装体的概略剖视图。具体实施方式以下,参照附图,对本专利技术的一个实施方式进行说明。附图概略地示出了构造,可能与实际尺寸不对应。一个实施方式的半导体封装体1用于照相机模块。如图1A所示,半导体封装体1具有:配线基板(wiringboard)10;摄像元件20,被安装在该配线基板10上;围框状部件30,被固装在摄像元件20上;以及盖部件50,被固装在围框状部件30上。配线基板10具有:基板主体11;沿厚度方向贯穿该基板主体11的贯穿电极12;以及配线图形13、14。基板主体11可以使用例如环氧玻璃基板。在该基板主体11的所需位置(在图1A中为2处)形成有贯穿孔11X。各个贯穿孔11X从基板主体11的第1面11A贯穿至第2面11B为止。贯穿电极12被设置在各个贯穿孔11X中。各个贯穿电极12的两个端部分别被连接在配线图形13、14上。配线图形13形成在基板主体11的第1面11A(安装有摄像元件20的安装面)上。配线图形14形成在基板主体11的第2面11B(安装面的相反侧的面)上。这些配线图形13、14通过上述贯穿电极12互相电气连接。另外,作为贯穿电极12以及配线图形13、14的材料,可以使用例如铜(Cu)等金属。摄像元件20以该摄像元件20的受光面(上表面20A)朝向上侧的状态被固装在基板主体11的第1面11A上。作为摄像元件20,可以使用例如CMOS图像传感器或者CCD图像传感器。该摄像元件20的连接焊盘21通过金属线22被电气连接在配线基板10的配线图形13上。在摄像元件20的上表面20A,固定有围框状部件30。具体地讲,围框状部件30通过粘合剂23被粘接在摄像元件20的上表面20A。更具体地讲,围框状部件30被粘接在比摄像元件20的有效像素区域A1(参照图1B)更靠外侧的非有效像素区域(例如,光学黑体区域(opticalblackarea))上。围框状部件30以包围摄像元件20的有效像素区域A1(受光部等对摄像特性有影响的区域)的形式被粘接在摄像元件20上。作为围框状部件30的材料没有特别限制,只要是具有绝缘性、可加工成所需形状的加工性、以及足够强度的材料即可。在半导体封装体1被以钎焊方式安装在主板(motherboard)上的情况下,作为围框状部件30的材料,优选为,具有250℃~270℃左右的耐热性的材料。例如,作为围框状部件30的材料,可以使用聚碳酸酯(PC)或者聚苯硫醚(PPS)等树脂。另外,作为粘合剂23,可以使用热固化型的粘合剂。作为热固化型的粘合剂,可以使用环氧类粘合剂或者聚氨酯类粘合剂等。上述围框状部件30具有:围框基体部31,其底面通过粘合剂23被粘接在摄像元件20上,该围框基体部31为围框状(也称为额缘状或者具有中央开口的封闭框状);以及宽度比该围框基体部31大的围框状的粘接部32。在图示的例子中,围框状部件30进一步具有立设部33,该立设部33被形成在粘接部32的外周,且朝上方立设。这些围框基体部31、粘接部32、以及立设部33被一体成型(形成)而形成单个部件。在围框基体部31中,高度H1被设定为例如300μm,宽度W1被设定为例如500μm。粘接部32形成在围框基体部31的上表面。粘接部32具有内周面,该内周面形成在比围框基体部31的内周面更向外侧偏移的位置上。通过粘接部32的内周面以及围框基体部31的内周面,在围框状部件30的内周面上形成有台阶部30D。也就是说,围框状部件30的内周面包含通过使围框基体部31(也称为底面侧的部件)比粘接部32的上表面32A的内边缘更向内侧突出而形成的台阶部30D。粘接部32的外边缘位于比围本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体封装体,其特征在于,具备:配线基板;电子部件,被搭载在所述配线基板上;围框状部件,其具有:围框基体部,被设置在所述电子部件的上表面,并形成为沿所述电子部件的所述上表面的围框状;以及粘接部,被设置在所述围框基体部的上表面,所述粘接部的宽度比所述围框基体部的宽度大;盖部件,被粘接在所述粘接部的上表面;以及封装树脂,其与所述粘接部的下表面接触,且对比所述围框状部件更向外侧露出的所述电子部件以及所述配线基板进行封装。
【技术特征摘要】
2011.06.10 JP 2011-1305361.一种半导体封装体,其特征在于,具备:配线基板;电子部件,被搭载在所述配线基板上;围框状部件,其具有:围框基体部,被设置在所述电子部件的上表面,并形成为沿所述电子部件的所述上表面的围框状;以及粘接部,被设置在所述围框基体部的上表面,所述粘接部的宽度比所述围框基体部的宽度大,其中,所述围框基体部被粘接在所述电子部件的所述上表面,所述粘接部包括配置于所述围框基体部的上方且所述围框基体部的外侧的下表面;盖部件,被粘接在所述粘接部的上表面;以及封装树脂,其与所述粘接部的下表面接触,且对比所述围框状部件更向外侧露出的所述电子部件以及所述配线基板进行封装,其中在所述粘接部的所述上表面形成有凹部,且所述盖部件通过涂布在所述粘接部的所述上表面以及所述凹部上的粘合剂,被粘接在所述粘接部的所述上表面。2.根据权利要求1所述的半导体封装体,其特征在于,所述粘接部为环状,所述凹部沿着所述粘接部的外侧轮廓形成为环状。3.根据权利要求1所述的半导体封装体,其特征在于,所述围框状部件的内周面包含通过使所述围框基体部比所述粘接部更向内侧突出而形成的台阶部。4.根据权利要求1所述的半导体封装体,其特征在于,所述围框状部件的内周面由所述粘接部的倾斜内周面以及所述围框基体部的倾斜内周面形成,所述粘接部的倾斜内周面以及所述围框基体部的倾斜内周面区划形成中央开口,所述中央开口的内径随着从所述围框基体部靠向所述粘接部的所述上表面连续地变小。5.根据权利要求1所述的半导体封装体,其特征在于,所述围框状部件具有立设部,该立设部以包围所述盖部件的形式...
【专利技术属性】
技术研发人员:布施正之,松泽悟志,
申请(专利权)人:新光电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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