存储器的可靠性测试方法技术

本发明专利技术提供一种存储器的可靠性测试方法，包括对存储器进行第一测试，第一测试包括：在存储器内写入数据；对存储器进行第一擦除操作，第一擦除操作持续第一时间；对存储器完成第一擦除操作后，判断存储器中的信息是否实现有效擦除；如果存储器中的信息实现了有效擦除，则存储器为良品；如果存储器中的信息未实现有效擦除，对存储器继续进行第二擦除操作，第二擦除操作持续第二时间；对存储器完成第二擦除操作后，判断存储器中的信息是否实现有效擦除；如果存储器中的信息实现了有效擦除，则存储器为弱擦除产品；如果存储器中的信息未实现有效擦除，则存储器为差品。本发明专利技术可靠性测试方法具有较高的测试准确度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种。
技术介绍
存储器为计算机系统的记忆设备，用来存放程序和数据。存储器大致可分为两大类易失存储器和非易失存储器。易失存储器在系统关闭时立即失去存储在内的数据；它需要持续的电源供应以维持数据。非易失存储器在系统关闭或无电源供应时仍能保持数据。 对于存储器而言,数据保持能力(Data Retention)、耐久力(Endurance)等是评价存储器性能的参数。在存储器制作完成之后准备出厂之前，通常会通过可靠性测试对存储器的性能进行评价。在公开号为CN102420017A的中国专利申请中公开了一种闪存的可靠性测试方法，包括对闪存进行烘焙，使闪存经受高温，并将烘焙之前只读区域中只读数据经校验算法计算后的第一校验值和烘焙后只读区域中只读数据经校验算法计算后的第二校验值进行比较，用于判断闪存的各参数是否符合设计规格。在所述中国专利申请中，通常在烘培之前的测试中对存储器的擦除操作进行可靠性测试。现有技术在对擦除操作进行可靠性测试时通常难以分辨弱擦除(Weak EraseFailure)的问题，而所述弱擦除是与存储器的耐久力相关的一项参数，如果弱擦除产品未能辨识出，容易将不良品发送至客户，会产生存储器质量差的影响。如何分辨弱擦除产品以提高可靠性测试的准确性成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种，可对弱擦除存储器进行判断，具有较高的测试准确度。为了解决上述问题，本专利技术提供一种，包括对存储器进行第一测试，所述第一测试包括在存储器内写入数据；对存储器进行第一擦除操作，所述第一擦除操作持续第一时间；对存储器完成第一擦除操作后，判断所述存储器中的信息是否实现有效擦除；如果所述存储器中的信息实现了有效擦除，则所述存储器为良品；如果所述存储器中的信息未实现有效擦除，对所述存储器继续进行第二擦除操作，所述第二擦除操作持续第二时间；对存储器完成第二擦除操作后，判断所述存储器中的信息是否实现有效擦除；如果所述存储器中的信息实现了有效擦除，则所述存储器为弱擦除产品；如果所述存储器中的信息未实现有效擦除，则所述存储器为差品。可选地，所述第一时间与所述第二时间的和与标准擦除时间相同。可选地，所述第一时间与所述第二时间相同。可选地，所述第一时间与所述第二时间不同。可选地，在判断所述存储器为弱擦除产品之后，对所述存储器设置标识。可选地，所述对所述存储器设置标识的步骤包括在存储器的扇区内写入标示性的数据。可选地，在对存储器进行第一测试之后还包括对存储器进行老化处理，并对老化后的存储器进行第二测试。可选地，在第二测试中，如果从存储器获取到所述标识，对所述存储器进行耐久力评价。可选地，所述对存储器进行老化处理的步骤包括使存储器在250°C的温度条件下持续72小时和初步的耐久力评价。可选地，所述存储器为非易失存储器。·可选地，存所述存储器为闪存。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点通过第一擦除操作和第二擦除操作在对存储器的擦除进行可靠性测试，并分别在两次次擦除操作之后均对存储器是否有效完成了数据擦除进行判断，对于如果经过第一擦除操作即完成数据擦除，则存储器为良品，如果经过两次擦除(第一擦除操作和第二擦除操作)可以完成数据擦除，则存储器为弱擦除产品，如果经过两次擦除(第一擦除操作和第二擦除操作)仍没有实现数据有效擦除，则存储器为差品，本专利技术实现了对弱擦除产品的辨识，对存储器的判定更加细致、准确性更高。附图说明图I是本专利技术一实施方式的流程示意图。具体实施例方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。因此本专利技术不受下面公开的具体实施方式的限制。专利技术人对现有技术的进行了分析，发现在对存储器的擦除操作进行测试时，部分产品存储器中的信息可以实现数据的擦除，但是擦除数据所花费的时间略长，为弱擦除存储器。这样的存储器与可快速实现数据擦除的产品相比具有相对较差的耐久力，但是这部分产品在现有技术可靠性测试方法中无法分辨出，造成了现有技术可靠性测试的准确度不够高的问题。相应地，为了解决上述问题专利技术人提供了一种，在对存储器的擦除进行测试的第一测试步骤中时设置两次擦除操作，并分别在每次擦除操作之后均判断存储器是否有效完成了数据擦除，如果经过一次擦除即完成数据擦除，则存储器为良品，如果经过两次擦除可以完成数据擦除，则存储器为弱擦除产品，如果经过两次擦除仍没有实现数据有效擦除，则存储器为差品，可见本专利技术对数据擦除进行可靠性测试时分辨出了弱擦除产品，对存储器的判定更加细致、准确性更高。参考图1，示出了本专利技术一实施方式的流程示意图。本专利技术包括第一测试，所述第一测试指的是未对存储器进行老化处理时所进行的可靠性测试，具体地，所述第一测试大致包括以下步骤步骤SI，在存储器内写入数据；步骤S2，对存储器进行第一擦除操作，所述第一擦除操作持续第一时间；步骤S3，对存储器完成第一擦除操作后，判断所述存储器中的信息是否实现有效擦除；步骤S4,如果所述存储器中的信息实现了有效擦除，则所述存储器为良品；步骤S5，如果所述存储器中的信息未实现有效擦除，对所述存储器进行第二擦除操作，所述第二擦除操作持续第二时间； 步骤S6，对存储器完成第二擦除操作后，判断所述存储器中的信息是否实现有效擦除；步骤S7，如果所述存储器中的信息实现了有效擦除，则所述存储器为弱擦除产品;步骤S8，如果所述存储器中的信息未实现有效擦除，则所述存储器为差品。下面结合具体实施例详述本专利技术具体实施方式的。执行步骤SI，在存储器内写入数据。此处所述存储器可以是闪存或只读存储器(Read-Only Memory, ROM)等的非易失存储器。向存储器内写入的数据包括“O”或“ 1”，本实施例中，本步骤以向存储器中写入数据“O”为例进行说明。执行步骤S2，对存储器进行第一擦除操作，所述第一擦除操作持续第一时间。此处对存储器中写入的数据“O”进行第一擦除操作。本实施例中，所述第一擦除操作持续的第一时间为标准擦除时间的一半。所述标准擦除时间指的是现有技术仅通过一次擦除对存储器进行可靠性测试时所用的时间。例如，标准擦除时间为4ms，相应地，所述第一时间为2ms。但是本专利技术对第一时间不做限制，所述第一时间小于所述标准擦除时间即可。具体地，对存储器进行持续2ms的第一擦除操作。执行步骤S3，对存储器完成第一擦除操作后，判断所述存储器中的信息是否实现有效擦除。此处判断所述存储器中的信息是否实现有效擦除的步骤包括获取完成第一擦除操作后的存储器的读出电流，基于存储器的读出电流与读出电流阈值的相对大小来判断原来存储的信息是否被擦除。例如存储器中写入“O”数据之后，对应“O”数据读出电流小于或等于ΙΟμΑ;对所述存储器进行持续2ms的第一擦除操作之后，获取存储器的读出电流，如果存储器的读出电流大于10 μ A，则表示存储器中的信息实现了擦除；反之，如果执行第一擦除操作之后存储器中的读出电流小于或等于10 μ Α,则表示存储器中的信息没有有效擦除。执行步骤S4，如果所述存本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器的可靠性测试方法，其特征在于，包括：对存储器进行第一测试，所述第一测试的步骤包括：在存储器内写入数据；对存储器进行第一擦除操作，所述第一擦除操作持续第一时间；对存储器完成第一擦除操作后，判断所述存储器中的信息是否实现有效擦除；如果所述存储器中的信息实现了有效擦除，则所述存储器为良品；如果所述存储器中的信息未实现有效擦除，对所述存储器继续进行第二擦除操作，所述第二擦除操作持续第二时间；对存储器完成第二擦除操作后，判断所述存储器中的信息是否实现有效擦除；如果所述存储器中的信息实现了有效擦除，则所述存储器为弱擦除产品；如果所述存储器中的信息未实现有效擦除，则所述存储器为差品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：钱亮，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：