发光二极管芯片封装体制造技术

本发明专利技术提供发光二极管芯片封装体，包含支架结构，具有凹槽以及凸起平台设置于凹槽内，其中凸起平台将凹槽划分为两个区域，发光二极管芯片设置于凸起平台上，两种荧光粉分别涂布于这两个区域的底部表面上，以及封装胶材填充于支架结构内，覆盖发光二极管芯片及荧光粉。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管芯片封装体，尤其涉及一种具有高演色指数的发光二极管芯片封装体。
技术介绍
发光二极管(light-emitting diode,简称LED)芯片是一种复合的半导体组件，其通过能量转换的方式将电流转换为光，单一的发光二极管芯片只能发出特定光色的光。传统上，为了达到白光，可以使用红光、绿光和蓝光三种发光二极管芯片所发出的光混成白光，此种白光的演色指数(color renderingindex ；CRI)高,但电路设计麻烦。另一种形成白光的方式为在蓝光二极管芯片上涂布红色与绿色混合的荧光粉，蓝光二极管芯片所发出的蓝光，与红色及绿色荧光粉受激发所发出的红光及绿光混成白光，此种白光的演色指数虽然可达到80 %，但是红色及绿色荧光粉会有互相吸光的问题，无法达到良好的发光效率。另外，还可以在红光及蓝光二极管芯片上直接涂布绿色荧光粉，达到发白光的目 的，然而，在芯片上方的绿色荧光粉容易受到光及热的影响，使得荧光粉的信赖性不佳。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供发光二极管芯片封装体，其可以克服上述的问题，使得发出的白光具有高演色指数，同时不会有荧光粉互相吸光的问题。此外，还可以提高荧光粉的信赖性，延长荧光粉的使用寿命。依据本专利技术的实施例，发光二极管芯片封装体包括支架结构，具有凹槽以及凸起平台设置于凹槽内，其中凸起平台将凹槽划分为两个区域；发光二极管芯片设置于凸起平台上；两种荧光粉分别涂布于凹槽的两个区域的底部表面上；以及封装胶材填充于支架结构内，覆盖发光二极管芯片及这些荧光粉。为了让本专利技术的上述目的、特征、及优点能更明显易懂，以下配合附图，作详细说明如下。附图说明图1A-1D是显示依据本专利技术的各实施例，发光二极管芯片封装体的平面示意图。图2A和2B是显示依据本专利技术的各实施例，沿着图IA的剖面线2_2’，发光二极管芯片封装体的剖面示意图，其中透镜结构的形状为两个连续的曲面。图3A和3B是显示依据本专利技术的各实施例，沿着图IA的剖面线2_2’，发光二极管芯片封装体的剖面示意图，其中透镜结构的形状为一个曲面。图4是显示依据本专利技术的一实施例，沿着图ID的剖面线4-4’，发光二极管芯片封装体的剖面示意图。附图标记10 :支架结构12:凸起平台14:凹槽14A、14B :凹槽的两个区域16 :发光二极管芯片18、20:荧光粉22 :封装胶材24:透镜结构26 :反射层28:打线接合30:导电支架32 :导通孔34 电极具体实施例方式参阅图1A，其显示本专利技术一实施例的发光二极管芯片封装体的平面示意图。发光二极管芯片封装体包含支架结构(lead frame) 10,支架结构10具有凹槽14以及凸起平台12设置在凹槽14内，在凸起平台12上可以设置一个或一个以上的发光二极管芯片16。在图IA中，凸起平台12将凹槽14划分成前、后两个区域14A和14B，在这两个区域14A和14B的底部表面上分别涂布两种荧光粉18和20。在一实施例中，凹槽14的侧壁可以是倾斜的侧壁，藉此可减少荧光粉18和20互相吸收，进而提升荧光粉18和20的发光效率。在一实施例中，发光二极管芯片16可以是蓝光二极管芯片，而荧光粉18和20则分别是红色和绿色荧光粉，形成发出白光的发光二极管芯片封装体。在另一实施例中，发光二极管芯片16可以是蓝光二极管芯片，而荧光粉18和20则分别是红色和黄色荧光粉，形成发出白光或暖色光的发光二极管芯片封装体。依据本专利技术的一实施例，这两种荧光粉18和20可藉由凸起平台12完全隔开，荧光粉18和20彼此之间无接触面，因此可避免或减少两种荧光粉18和20互相吸光的问题，提升荧光粉18和20的发光效率，并且可提高发光二极管芯片封装体的演色指数。在支架结构10的凹槽14底端还具有导电支架30,在一实施例中，发光二极管芯片16的两个导电垫(未示出)，例如分别为η型接点(n-contact)和p型接点(p-contact)是设置在芯片的顶端，并藉由打线接合28的方式分别与导电支架30电性连接，并且发光二极管芯片16经由导电支架30与外部电路(未示出)电性连接。图IB显示本专利技术另一实施例的发光二极管芯片封装体的平面示意图，图IB与图IA的差别在于导电支架30是设置在凸起平台12的上方，并且发光二极管芯片16的两个导电垫(未示出)藉由打线接合28的方式分别与导电支架30电性连接。图IC显示本专利技术另一实施例的发光二极管芯片封装体的平面示意图，图IC与图IB的差别在于发光二极管芯片16的两个导电垫(未示出)是设置在芯片的底端，并且发光二极管芯片16直接与设置在凸起平台12上方的导电支架30电性连接。图ID显示本专利技术另一实施例的发光二极管芯片封装体的平面示意图，图ID与图1A-1C的差别在于凸起平台12内具有导通孔(via) 32，并且在凸起平台12的下方设置电极34，发光二极管芯片16的两个导电垫(未示出)是设置在芯片的底端，并且发光二极管芯片16经由导通孔32与电极34电性连接，因此发光二极管芯片16可藉由电极34与外部电路电性连接。参阅图2A，其显示沿着图IA的剖面线2-2’，本专利技术一实施例的发光二极管芯片封装体的剖面示意图。如图2A所示，凸起平台12的顶端高于荧光粉18和20的表面，使得设置于凸起平台12上的发光二极管芯片16与荧光粉18和20完全隔开而无接触面，因此荧光粉18和20不会受到发光二极管芯片16发光及发热的影响，可提升荧光粉18和20的信赖性，延长荧光粉18和20的使用寿命。如图2A所示，发光二极管芯片封装体还包含封装胶材22填充于支架结构10的凹槽14内，覆盖发光二极管芯片16及荧光粉18和20，并且在封装胶材22上方还具有透镜结构24。 在此实施例中，透镜结构24的形状为两个连续的曲面，例如透镜结构24可以是两个连续的凸透镜，具有使光线反射及穿透的功能。透镜结构24的两个连续曲面的连接处对准发光二极管芯片16，使得发光二极管芯片16发出的光一部分从两个连续曲面的连接处穿透，另一部分从这两个连续的曲面反射。在一实施例中，发光二极管芯片16例如为蓝光二极管芯片，其发出的光穿过透镜结构24的光线穿透率约为15%至30%，较佳为25%，并且透镜结构24的光线反射率约为70%至85%，较佳为75%。如图2A所不,发光二极管芯片16发出的光还有一部分会照射在突光粉18和20上，使得荧光粉18和20受到激发而发光，并且荧光粉18和20发出的光穿过封装胶材22及透镜结构24,与发光二极管芯片16发出的光混成白光。参阅图2B，其显示沿着图IA的剖面线2-2’，本专利技术另一实施例的发光二极管芯片封装体的剖面示意图。图2B与图2A的差别在于图2A的发光二极管芯片16具有垂直的侧壁，而图2B的发光二极管芯片16具有倾斜的侧壁，因此图2B的发光二极管芯片16的侧面出光较佳，可以利用侧面出光去激发荧光粉18和20。参阅图3A，其显示沿着图IA的剖面线2-2’，本专利技术另一实施例的发光二极管芯片封装体的剖面示意图。图3A与图2A的差别在于透镜结构24的形状是一个曲面，例如为一个凸透镜，并且图3A的发光二极管芯片封装体还包含反射层26设置于透镜结构24内，反射层26的材料例如为具有镜面效果的金属材料或其它可以使光线反射的材料。反射层26位本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管芯片封装体，包括：一支架结构，具有一凹槽以及一凸起平台设置于该凹槽内，其中该凸起平台将该凹槽划分为两个区域；一发光二极管芯片，设置于该凸起平台上；两种荧光粉，分别涂布于该凹槽的该两个区域的底部表面上；以及一封装胶材，填充于该支架结构内，覆盖该发光二极管芯片及该些荧光粉。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：黄春樱，陈富鑫，卢昱昕，
申请(专利权)人：隆达电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：