一种具有双角度的台面造型的芯片，是圆片结构。芯片台面为芯片边缘一周具有一定角度和宽度的锥形双斜面造型。芯片内圆部分（除台面的剩余部分）为芯片的应接面积部分。所述双斜面造型芯片包括：呈圆柱形的芯片主体、位于芯片主体上方的第一斜面体、位于第一斜面体上方的第二斜面体，所述芯片主体、第一斜面体、第二斜面体为一体结构，第一斜面体与第二斜面体的侧面形成一锥形角。本实用新型专利技术的优点在于：整流管芯片能承载较高反向击穿电压的冲击，适用于普通高压电力整流管芯片。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种半导体芯片结构，具体是ー种半导体芯片的台面造型结构。
技术介绍
随着功率器件制造技术的进歩，电カ整流管朝着大电流、高电压的方向发展。为了提高器件的工作电压，就必须要同时提高电カ整流管芯片的承载高电压的能力。在现阶段的
中，业内通常采用的方法是沿着圆形的芯片边缘一周研磨出一定角度和宽度的锥形斜面或弧面(统称为芯片的台面)，从而使芯片具有一定的击穿电压。而随着不同角度磨角器搭配研磨エ艺新应用技术的出现，芯片边缘一周研磨成多角度台面造型，使电カ整流管芯片具有了承载更高反向击穿电压的能力。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供ー种具有双角度的台面造型的芯片，这种芯片台面造型使得电カ整流管芯片具有承载高反向击穿电压的能力。本技术采用以下技术方案解决上述技术问题的ー种具有双角度的台面造型的芯片，是圆片结构，所述具有双角度的台面造型的芯片包括呈圆柱形的芯片主体、位于芯片主体上方的第一斜面体、位于第一斜面体上方的第二斜面体，所述芯片主体、第一斜面体、第二斜面体为一体结构，第一斜面体与第二斜面体的侧面形成ー锥形角。本技术进ー步具体为所述第一斜面体的下表面与芯片主体直径相同，并且边缘重合，所述第二斜面体的下表面与第一斜面体的上表面的直径相同，并且边缘重合。本技术进ー步具体为所述第一斜面体的圆周侧面为圆锥形斜面，该斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于25度；所述第二斜面体的圆周侧面为圆锥形斜面，该斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于20度。本技术进ー步具体为所述第二斜面体的斜面相对于水平面的倾角小于第一斜面体的斜面相对于水平面的倾角。本技术的优点在于通过两个锥形磨角器的角度搭配研磨成的芯片台面造型，能够使电力整流管芯片具有承载高反向击穿电压的能力。附图说明图I是本技术ー种具有双斜面造型芯片的截面图。具体实施方式请參阅图I所示，本技术是ー种具有双角度的台面造型的芯片，是圆片结构。芯片台面为芯片边缘一周具有一定角度和宽度的锥形双斜面造型。芯片内圆部分(除台面的剰余部分)为芯片的应接面积部分。所述芯片包括呈圆形的芯片主体I、位于芯片主体I上方的第一斜面体2、位于第一斜面体2上方的第二斜面体3。所述芯片主体I、第一斜面体2、第二斜面体3为一体结构。所述第一斜面体2的下表面与芯片主体I的直径相同，并且边缘重合；所述第二斜面体3的下表面与第一斜面体2的上表面的直径相同，并且边缘重合。所述第一斜面体2的圆周侧面为斜面22，斜面22各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于25度。所述第二斜面体3的圆周侧面为斜面32，斜面32各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于20度。所述第二斜面体3的斜面32相对于水平面的倾斜角小于第一斜面体2的斜面22相对于水平面的倾斜角，从而在芯片的第二斜面体3与第一斜面体2的斜面连接间形成一·定角度。本技术是采用手工磨角方式，即用手将芯片按压在磨角器上，磨角器由电机带动同步旋转，手工控制使芯片的边缘磨出需要的锥形角度。通过两个不同角度锥形磨角器的搭配而研磨成的芯片台面造型，使得电カ整流管芯片具有承载高反向击穿电压的能力。以上所述仅为本专利技术创造的较佳实施例而已，并不用以限制本专利技术创造，凡在本专利技术创造的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本专利技术创造的保护范围之内。权利要求1.ー种具有双角度的台面造型的芯片，是圆片结构，其特征在于，所述具有双角度的台面造型的芯片包括呈圆柱形的芯片主体、位于芯片主体上方的第一斜面体、位于第一斜面体上方的第二斜面体，所述芯片主体、第一斜面体、第二斜面体为一体结构，第一斜面体与第二斜面体的侧面形成一锥形角。2.如权利要求I所述的具有双角度的台面造型的芯片，其特征在于所述第一斜面体的下表面与芯片主体直径相同，并且边缘重合，所述第二斜面体的下表面与第一斜面体的上表面的直径相同，并且边缘重合。3.如权利要求2所述的具有双角度的台面造型的芯片，其特征在于所述第一斜面体的圆周侧面为圆锥形斜面，该斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于25度； 所述第二斜面体的圆周侧面为圆锥形斜面，该斜面各部分相对于水平面的倾斜角度为大于O度小于等于20度。4.如权利要求3所述的具有双角度的台面造型的芯片，其特征在于所述第二斜面体的斜面相对于水平面的倾角小于第一斜面体的斜面相对于水平面的倾角。专利摘要一种具有双角度的台面造型的芯片，是圆片结构。芯片台面为芯片边缘一周具有一定角度和宽度的锥形双斜面造型。芯片内圆部分(除台面的剩余部分)为芯片的应接面积部分。所述双斜面造型芯片包括呈圆柱形的芯片主体、位于芯片主体上方的第一斜面体、位于第一斜面体上方的第二斜面体，所述芯片主体、第一斜面体、第二斜面体为一体结构，第一斜面体与第二斜面体的侧面形成一锥形角。本技术的优点在于整流管芯片能承载较高反向击穿电压的冲击，适用于普通高压电力整流管芯片。文档编号H01L29/06GK202662606SQ20122036686公开日2013年1月9日 申请日期2012年7月26日 优先权日2012年7月26日专利技术者戴立新 申请人:黄山市七七七电子有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种具有双角度的台面造型的芯片，是圆片结构，其特征在于，所述具有双角度的台面造型的芯片包括：呈圆柱形的芯片主体、位于芯片主体上方的第一斜面体、位于第一斜面体上方的第二斜面体，所述芯片主体、第一斜面体、第二斜面体为一体结构，第一斜面体与第二斜面体的侧面形成一锥形角。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：戴立新，
申请(专利权)人：黄山市七七七电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：
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