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袖珍式超声波穴位按摩仪及其操作电路制造技术

技术编号:8195937 阅读:149 留言:0更新日期:2013-01-10 11:59
一种穴位医治、理疗、康复和保健的超声波装置——袖珍式超声波穴位按摩仪。它主要由振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源及其控制操作电路构成。振子结构装配在机壳操作面板结构一端;机壳操作面板结构装配三组配有功率挡级指示灯、频率挡级指示灯、模式挡级指示灯的功能开关操作按键和配有电源指示灯的电源开关按键;超声波电源控制操作电路主要包括模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路。模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路分别通过模式控制开关接点、频率控制开关接点和功率控制开关接点与相应的控制功能开关操作按键构成操作连接,电源开关操作电路通过电源开关接点与电源开关按键构成操作连接。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种的用于穴位医治、理疗、康复和保健的超声波装置及其操作电路。
技术介绍
中医常用的器械——针灸无非是通过其对有关穴位的机械、物理刺激,而产生治疗、保健作用,而超声波会以同样的刺激产生更高效的治疗、保健作用,这已被大量医学理论与临床实践所证明。加之超声波有比针灸更多的优越性,如无进针的刺痛、无出血、无灼伤等,就更加受到专业和日常医治、理疗、康复和保健应用的青睐。然而,现有的超声波理 疗、康复和保健的超声波装置几乎均为医院内的固定设备,或者是比较笨重、配置复杂的组合设备,不仅使用、维护困难,而且需要专业人员操作,医治、理疗、康复和保健的接受者也要受到体位及其活动限制。然而,这类设备或器械以其广泛应用功能,如低功率的机械波、安全无副作用的超声波频率等,非常适用于包括保健需求的各种人群,以致提出家庭、随身、随时、随地应用的需求。这就产生了广泛需求与专用设备的矛盾。解决这个矛盾的方法就是研发一种便携式、易操作、适用于各种人群的广泛应用型医治、理疗、康复和保健的超声波装置。
技术实现思路
为解决广泛需求与专用设备的矛盾本技术提供一种穴位医治、理疗、康复和保健的超声波装置——袖珍式超声波穴位按摩仪。它主要由振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源及其控制操作电路构成。振子结构装配在机壳操作面板结构一端;机壳操作面板结构装配三组配有功率挡级指示灯、频率挡级指示灯、模式挡级指示灯的功能开关操作按键和配有电源指示灯的电源开关按键;超声波电源控制操作电路主要包括模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路。功率挡级功能开关操作按键、频率挡级功能开关操作按键和模式挡级功能开关操作按键分别通过功率控制开关接点、频率控制开关接点和模式控制开关接点与模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路构成操作连接。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是装置由振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源电路及其操作构成。振子结构装配在机壳操作面板结构的左端。按使用需要装置配有小面按摩振子大面按摩振子。在机壳操作面板结构的正面,从左至右依次装配三组薄膜型控制功能开关操作按键和电源开关按键。在机壳操作面板结构的正面右端的电源开关按键上部,配有电源指示灯;在机壳操作面板结构的正面中右端的控制功能开关操作按键上部,对应各个功能,配有功率挡级指示灯、频率挡级指示灯和模式挡级指示灯。超声波电源及其控制操作电路主要由主电路和电源开关操作电路、模式控制操作电路、频率控制操作电路、功率控制操作电路构成。模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路分别通过模式控制开关接点、频率控制开关接点和功率控制开关接点与相应的控制功能开关操作按键构成操作连接,电源开关操作电路通过电源开关接点与电源开关按键构成操作连接。模式控制操作电路通过脉冲控制信号接线端和公共接地端与主电路连接,频率控制操作电路通过低频率控制信号接线端、中频率控制信号接线端、高频率控制信号接线端和公共接地端与主电路连接,功率控制操作电路通过斩波控制信号接线端和公共接地端与主电路连接;电源开关操作电路通过工作电源正极接线端和公共接地端连接到各个电路。模式控制操作电路主要由CMOS型模式控制四D触发器芯片、CMOS型脉冲发生555定时器芯片及其外围器件构成;频率控制操作电路主要由CMOS型频率控制四D触发器芯片及其外围器件构成;功率控制操作电路主要由CMOS型功率控制四D触发器芯片、CMOS型占空比产生555定时器芯片及其外围器件构成;电源开关操作电路主要由P沟道增强型电源开关MOSFET器件、电源开关接点、电池及其外围器件构成。 本技术的有益效果是是一种便携式、易操作、适用于各种人群的广泛应用型医治、理疗、康复和保健的超声波装置。便于任何非专业使用者自行使用、操作,安全、可靠、无副作用;机体及电路结构简单,易于批量生产;系统的纯硬件构成使得维护、维修简便易行。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。图I是本技术实施例一袖珍式超声波穴位按摩仪的结构外观正面示意图。图2是袖珍式超声波穴位按摩仪的小面按摩振子结构剖视图。图3是袖珍式超声波穴位按摩仪的大面按摩振子结构剖视图。图4是袖珍式超声波穴位按摩仪的模式控制操作电路结构图。图5是袖珍式超声波穴位按摩仪的频率控制操作电路结构图。图6是袖珍式超声波穴位按摩仪的功率控制操作电路结构图。图7是袖珍式超声波穴位按摩仪的电源开关操作电路结构图。在图Γ6中1.振子结构,2.机壳操作面板结构,3.控制功能开关操作按键,4.电源开关按键,5.电源指示灯,6.功率挡级指示灯,7.频率挡级指示灯,8.模式挡级指示灯。在图2、3中1. I.换能器一变幅杆结构,I. 2.压电转换膜片,I. 3.膜片引线,1.4.外摩触接点,I. 5.内摩触接点,I. 6.安装螺纹,I. 7.基壳体,I. 8.换能器一基座结构,1.9.护套。在图Γ7中E为工作电源正极接线端,Rdm为模式操作与门上拉电阻,DMa为模式操作与门第一二极管,Dab为模式操作与门第二二极管,U1为模式控制四D触发器芯片;RM为模式操作恢复电阻,Cm为模式操作恢复电容,Km为模式控制开关接点;DM1为短脉冲指示LED器件,Dm2为中脉冲指示LED器件,Dm3为长脉冲指示LED器件,Rmi为短脉冲延时电阻,Rm2为中脉冲延时电阻,Rm3为长脉冲延时电阻,Rmc为脉冲间歇延时电阻,Cmi为脉冲延时电容,U2为脉冲发生555定时器芯片,Cm2为模式控制滤波电容,Rml为脉冲控制信号负载电阻,M为脉冲控制信号接线端。在图5、中Rdf为频率操作与门上拉电阻,Rdfi为低频率指示LED限流电阻,Rdf2为中频率指示LED限流电阻,Rdf3为高频率冲指示LED限流电阻,Dfi为低频率指示LED器件,Df2为中频率指示LED器件,Df3为高频率指示LED器件,Dpa为频率操作与门第一二极管,Dpb为频率操作与门第二二极管,U3为频率控制四D触发器芯片;Rf为频率操作恢复电阻,Cf为频率操作恢复电容,Kf为频率控制开关接点A为低频率控制信号接线端,F2为中频率控制信号接线端,F3为高频率控制信号接线端。在图6、中RDP为功率操作与门上拉电阻,DpaS功率操作与门第一二极管,Dpb为功率操作与门第二二极管,U4为功率控制四D触发器芯片;RP为功率操作恢复电阻,Cp为功率操作恢复电容,Kp为功率控制开关接点;DP1为弱功率指示LED器件,Dp2为中功率指示LED器件,Dp3为强功率指示LED器件,Rpi为低占空比延时电阻,Rp2为中占空比延时电阻,Rp3为高占空比延时电阻,RrcS间歇占空延时电阻,Cpi为占空比控制延时电容,U5为占空比产生555定时器芯片,Cp2为功率控制滤波电容,Rpij为斩波控制信号负载电阻,P为斩波控制信号接线端。·在图7中Rei为电源指示LED限流电阻,Vd为电源指示灯LED器件,Re2为电容限流电阻,Ce为记忆电容,K为电源开关接点,Rb为偏流电阻,Qk为电源开关MOSFET器件,Rc为分压电阻,T为开关晶体管,Rg为栅极分压电阻,Bat为电池,Soc为充电插口。具体实施方式在图I所示的本技术实施例袖珍式超声波穴位按摩仪的结构外观正面示意图中振子结构I本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种袖珍式超声波穴位按摩仪及其操作电路,其特征是:装置由振子结构、机壳操作面板结构和超声波电源电路及其操作构成;振子结构装配在机壳操作面板结构的左端;在机壳操作面板结构的正面,从左至右依次装配三组薄膜型控制功能开关操作按键和电源开关按键;在机壳操作面板结构的正面右端的电源开关按键上部,配有电源指示灯;在机壳操作面板结构的正面中右端的控制功能开关操作按键上部,对应各个功能,配有功率挡级指示灯、频率挡级指示灯和模式挡级指示灯;超声波电源及其控制操作电路主要由主电路和电源开关操作电路、模式控制操作电路、频率控制操作电路、功率控制操作电路构成;模式控制操作电路、频率控制操作电路和功率控制操作电路分别通过模式控制开关接点、频率控制开关接点和功率控制开关接点与相应的控制功能开关操作按键构成操作连接,电源开关操作电路通过电源开关接点与电源开关按键构成操作连接;模式控制操作电路通过脉冲控制信号接线端和公共接地端与主电路连接,频率控制操作电路通过低频率控制信号接线端、中频率控制信号接线端、高频率控制信号接线端和公共接地端与主电路连接,功率控制操作电路通过斩波控制信号接线端和公共接地端与主电路连接;电源开关操作电路通过工作电源正极接线端和公共接地端连接到各个电路;模式控制操作电路主要由CMOS型模式控制四D触发器芯片、CMOS型脉冲发生555定时器芯片及其外围器件构成;频率控制操作电路主要由CMOS型频率控制四D触发器芯片及其外围器件构成;功率控制操作电路主要由CMOS型功率控制四D触发器芯片、CMOS型占空比产生555定时器芯片及其外围器件构成;电源开关操作电路主要由P沟道增强型电源开关MOSFET器件、电源开关接点、电池及其外围器件构成。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:屈百达
申请(专利权)人:江南大学
类型:实用新型
国别省市:

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