本发明专利技术公开了一种屏蔽电缆(2)，所述屏蔽电缆包括：一个或多个导体组(4)，所述一个或多个导体组沿着所述电缆(2)的长度(L)延伸并且沿着所述电缆(2)的宽度(W)彼此间隔开，每一个导体组(4)具有一个或多个尺寸不大于24AWG的导体(6)，并且每一个导体组(4)在0至20GHz的频率范围内的插入损耗为小于约-20dB/m；第一屏蔽膜和第二屏蔽膜(8)，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜设置在所述电缆(2)的相对侧上，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜(8)包括覆盖部分(7)和压紧部分(9)，所述覆盖部分和所述压紧部分被布置成使得在横截面中，所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜(8)的所述覆盖部分(7)组合起来基本上围绕每一个导体组(4)，并且所述第一屏蔽膜和所述第二屏蔽膜(8)的所述压紧部分(9)在每一个导体组(4)的每一侧上形成所述电缆(2)的压紧部分。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术整体涉及电缆和连接器。
技术介绍
用于传输电信号的电缆是众所周知的。一种通用型的电缆是同轴电缆。同轴电缆通常包括由绝缘体围绕的电导线。线和绝缘体被屏蔽件围绕，并且线、绝缘体和屏蔽件被护套围绕。另一种通用型的电缆是包括一个或多个例如由金属箔形成的屏蔽层围绕的绝缘信号导体的屏蔽电缆。为了便于电连接屏蔽层，有时在屏蔽层和一个或多个信号导体的绝缘体之间设置另外的非绝缘导体。这两种通用类型的电缆通常均要求使用针对端接特别设计的连接器，并且通常不适于使用批量端接技术，即，同时将多个导体连接至各个接触元件，例如电连接器的触点或印刷电路板上的接触元件。
技术实现思路
屏蔽电缆包括一个或多个沿着电缆长度延伸并且沿着电缆宽度彼此间隔开的导体组。每一个导体组具有一个或多个尺寸不大于24AWG的导体，并且每一个导体组在O至20GHz的频率范围内的插入损耗为小于_20dB/m。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜设置在电缆的相对侧上，第一膜和第二膜包括覆盖部分和压紧部分，并且其被布置成使得在横截面中，第一膜和第二膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且第一膜和第二膜的压紧部分组合起来在每个导体的每一侧上形成电缆的压紧部分。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一覆盖部分之间的最大间距为D，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜的第一压紧部分之间的最小间距为Cl1，并且VD小于约O. 25。导体组可以包括两个双轴布置的导体，并且由于导体组的谐振产生的插入损耗可为约O。导体组可以包括两个双轴布置的导体，并且标称插入损耗(不含由于谐振产生的插入损耗)可为由于导体组的谐振产生的插入损耗的约O. 5倍。电缆可以包括设置在屏蔽膜的压紧部分之间的粘合剂层。每一个导体组的插入损耗可小于约-5dB/m或约_4dB/m、或约_3dB/m。在高达约IOGbps的数据传送速度下，电缆的偏差可小于约20皮秒/米或小于约10皮秒/米。电缆可以具有在约I米的电缆长度上保持在目标特性阻抗的5%_10%内的特性阻抗。电缆的一个或多个导体组可以包括第一导体组和第二导体组，每一个导体组具有第一绝缘导体和第二绝缘导体，并且每一个导体组中第一绝缘导体相对于第二绝缘导体的高频电隔离可基本上小于第一导体组相对于相邻导体组的高频电隔离。在5-15GHZ的指定频率范围和I米的长度下，第一绝缘导体相对于第二导体的高频隔离为第一远端串扰Cl，并且在指定频率下第一导体组相对于相邻导体组的高频隔离为第二远端串扰C2。C2可比Cl低至少10dB。电缆可具有小于O. I的(VD。屏蔽电缆包括多个沿着电缆长度延伸并且沿着电缆宽度彼此间隔开的导体组，每一个导体组具有两个尺寸不大于24AWG的导体，并且每一个导体组在O至20GHz的频率范围内的信号衰减小于_20dB/m。电缆也包括排扰线和设置在电缆相对侧上的第一屏蔽膜和第二屏蔽膜，第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分，所述覆盖部分和所述压紧部分被布置成使得在横截面中，第一膜和第二膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且第一膜和第二膜的压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成电缆的压紧部分。对于至少一个导体组而言，排扰线和导体组的最近导体之间的间距可为大于导体组的两个导体之间中心至中心间距的O. 5倍。屏蔽电缆可以包括多个沿着电缆长度延伸并且沿着电缆宽度彼此间隔开的导体 组，每一个导体组具有以双轴构型布置的两个导体，这些导体的每一个的尺寸为不大于24AWG。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜设置在电缆的相对侧上，两个屏蔽膜均不包含纵向折叠，所述纵向折叠定向屏蔽膜以在电缆两侧上覆盖导体组。每一个导体组在O至20GHz的频率范围内的插入损耗为小于_20dB/m，并且由于导体组的谐振产生的插入损耗为约O。电缆还可以包括至少一条排扰线，其中第一屏蔽膜和第二屏蔽膜包括覆盖部分和压紧部分，其被布置成使得在横截面内，第一膜和第二膜的覆盖部分组合起来基本上围绕每一个导体组，并且第一膜和第二膜的压紧部分组合起来在每一个导体组的每一侧上形成电缆的压紧部分，其中，对于至少一个导体组而言，排扰线的中心和导体组的最接近导体的中心之间的间距可为大于导体组的两个导体之间中心至中心间距的O. 5倍。屏蔽电缆包括多个沿着电缆长度延伸并且沿着电缆宽度彼此间隔开的导体组，这些导体组的每一个包含以双轴构型布置的两个导体，两个导体的尺寸均不大于24AWG。第一屏蔽膜和第二屏蔽膜设置在电缆的相对侧上，两个屏蔽膜均不包含将屏蔽膜粘结到自身的接缝，其中每一个导体组在O至20GHz的频率范围内的插入损耗为小于_20dB/m，并且由于导体组的谐振损耗产生的插入损耗为约O。每个屏蔽膜单独地可以围绕每一个导体组的周边的小于全部的区域。本专利技术的上述
技术实现思路
并非意图描述本专利技术的每一个公开的实施例或每种实施方式。以下附图和详细说明更具体地举例说明了示例性实施例。附图说明图I为屏蔽电缆的示例性实施例的透视图；图2a_2g为屏蔽电缆的七个示例性实施例的正面剖视图；图3为被端接至印刷电路板的图I的两个屏蔽电缆的透视图。图4a_4d为屏蔽电缆的示例性端接过程的俯视图；图5为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的俯视图；图6为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的俯视图；图7a_7d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图8a_8c为屏蔽电缆的三个其他示例性实施例的正面剖视图；图9a_9b分别为被端接至印刷电路板的电组件的示例性实施例的俯视图和局部正面剖视图。图IOa-IOe和IOf-IOg分别为示出制备屏蔽电缆的示例性方法的透视图和正面剖视图；图Ila-Ilc为示出制备屏蔽电缆的示例性方法的细节的正面剖视图；图12a_12b分别为根据本专利技术的方面的屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图和对应的细部图。图13a_13b为根据本专利技术的方面的屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图。图14a_14b为屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图；图15a_15c为屏蔽电缆的三个其他示例性实施例的正面剖视图； 图16a_16g为示出屏蔽电缆的平行部分的七个示例性实施例的正面剖视细部图；图17a_17b为屏蔽电缆的平行部分的另一个示例性实施例的正面剖视细部图；图18为成弯曲构型的屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视细部图。图19为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视细部图；图20a_20f为示出屏蔽电缆的平行部分的六个其他示例性实施例的正面剖视细部图；图21-22为屏蔽电缆的两个其他示例性实施例的正面剖视图；图23为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图24为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图25为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图26a_26d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图27为屏蔽电缆的另一个示例性实施例的正面剖视图；图28a_28d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图29a_29d为屏蔽电缆的四个其他示例性实施例的正面剖视图；图30a为可以利用导体组的高组装密度的屏蔽电缆组件的透视图；图30b和30c为示例性屏蔽电缆的正面剖视图，这两幅图还描绘了可用于表征导体组密度的参数；图30d为示例性屏蔽电缆组件的俯视图，其中屏蔽电缆附接到端接元件，并且图30e是其侧视图；图30本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：道格拉斯·B·贡德尔，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：
国别省市：
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