电子装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种电子装置。该电子装置包括设置在电路基底上的第一半导体封装。第二半导体封装设置在电路基底上，并与第一半导体封装隔开。绝缘的电磁屏蔽结构设置在第一半导体封装的顶表面和侧表面上。导电的电磁屏蔽结构设置在电路基底上，以覆盖第一半导体封装、第二半导体封装及绝缘的电磁屏蔽结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的总体构思的实施例涉及ー种半导体装置、一种半导体封装、一种电子装置及一种电子系统。
技术介绍
在电子系统和装置中，对于不受电磁波影响的电子元件的需求已经增加。例如，由诸如手持式电话或移动电话的便携式装置产生的电磁波会对人体造成有害影响和/或产生电磁干扰(EMI)，EMI导致内部半导体芯片出故障和/或削弱天线的接收灵敏度。用于减小EMI的传统技术包括利用通常由单层屏蔽层构成的单个屏蔽件覆盖多 个电气元件。然而，传统屏蔽技术不足以抑制在多个装置之间存在的近场EMI。
技术实现思路
本专利技术的总体构思的示例性实施例提供一种半导体装置及能够阻挡电磁波的半导体封装。本专利技术的总体构思的其他特点和效用将在下面的描述中进行部分阐述，部分将从描述而显而易见，或者可通过实施本专利技术的总体构思而了解。本专利技术的总体构思的其他实施例提供ー种能够阻挡电磁波的电子元件。本专利技术的总体构思的进ー步的其他示例性实施例提供一种电子装置及能够阻挡电磁波的电子系统。本专利技术的总体构思的特点不应该受上面的描述限制，本领域的普通技术人员将从在此描述的示例性实施例清楚地理解其他未提及的特点。根据本专利技术的总体构思的ー个特点，一种电子装置包括电路基底及设置在电路基底上的第一半导体封装。第二半导体封装设置在电路基底上，并与第一半导体封装隔开。绝缘的电磁屏蔽结构设置在第一半导体封装的顶表面和侧表面上。导电的电磁屏蔽结构设置在电路基底上，以覆盖第一半导体封装、第二半导体封装及绝缘的电磁屏蔽结构。绝缘的电磁屏蔽结构可包括具有第一传输轴的第一极化器及具有与第一极化器的第一传输轴正交的第二传输轴的第二极化器。根据本专利技术的总体构思的另ー个特点，一种半导体封装包括封装基底及设置在封装基底上的第一半导体芯片。第一电磁屏蔽结构设置在第一半导体芯片上。第一电磁屏蔽结构包括具有第一传输轴的第一极化器及具有不同于第一传输轴的第二传输轴的第二极化器。第一电磁屏蔽结构可设置在第一半导体芯片的顶表面上。第一电磁屏蔽结构可设置在第一半导体芯片的顶表面和侧表面上。第一电磁屏蔽结构可具有绝缘特性。半导体封装还可包括介于封装基底和第一半导体芯片之间的下方填充构件。下方填充构件可覆盖第一半导体芯片的侧壁，第一电磁屏蔽结构可包括覆盖第一半导体芯片的顶表面的部分及覆盖下方填充构件的侧表面的部分。第一电磁屏蔽结构还可包括覆盖封装基底的顶表面的部分。半导体封装还可包括设置在第一电磁屏蔽结构上的模塑层。半导体封装还可包括覆盖封装基底和第一半导体芯片的模塑层。第一电磁屏蔽结构可包括覆盖设置在第一半导体芯片上的模塑层的顶表面的部分及覆盖模塑层的侧表面的部分。 第一电磁屏蔽结构还可包括覆盖封装基底的侧表面的部分。第一电磁屏蔽结构可从覆盖第一半导体芯片的顶表面的部分延伸，以覆盖靠近第一半导体芯片设置的封装基底。此外，半导体封装还可包括介于第一半导体芯片的侧表面和第一电磁屏蔽结构的侧表面之间的空的空间。半导体封装还可包括设置在封装基底上的第二半导体芯片。第二半导体芯片可设置在封装基底和第一半导体芯片之间。在另ー种情况下，第ニ半导体芯片可与第一半导体芯片水平地隔开。第一电磁屏蔽结构可延伸，以覆盖第一半导体芯片和第二半导体芯片。半导体封装还可包括设置在第二半导体芯片上的第二电磁屏蔽结构。第二电磁屏蔽结构可包括具有第三传输轴的第三极化器及具有与第三极化器的第三传输轴正交的第四传输轴的第四极化器。第三传输轴和第四传输轴可在平面上彼此正交。半导体封装还可包括设置在封装基底的任一表面上的第二电磁屏蔽结构。根据本专利技术的总体构思的另ー个特点，一种半导体装置包括具有彼此相对地设置的第一表面和第二表面的半导体基底。互连结构设置在半导体基底的第一表面上。绝缘层设置在互连结构上。开ロ形成为穿过绝缘层，以使互连结构的一部分暴露。导电图案设置在互连结构的被开ロ暴露的部分上。电磁屏蔽结构设置在绝缘层上。电磁屏蔽结构包括顺序地堆叠的第一极化器和第二极化器。第一极化器可具有第一极化表面，第二极化器可具有不同于第一极化表面的第二极化表面。根据本专利技术的总体构思的另ー个特点，一种电子装置包括第一半导体芯片;第ニ半导体芯片；绝缘的电磁屏蔽结构，介于第一半导体芯片和第二半导体芯片之间。绝缘的电磁屏蔽结构包括具有第一传输轴的第一极化器及具有不同于第一传输轴的第二传输轴的第二极化器。所述电子装置还可包括封装基底，第一半导体芯片和第二半导体芯片可设置在封装基底上。第一半导体芯片和第二半导体芯片可竖直地堆叠在封装基底上。第一半导体芯片和第二半导体芯片可在封装基底上沿着水平方向彼此隔开。根据本专利技术的总体构思的另ー个特点，一种电子装置包括具有内部空间的壳体。第一绝缘电磁屏蔽结构设置在壳体的内表面上。处理装置设置在壳体的内部空间中。第二绝缘电磁屏蔽结构设置在处理装置内。第一绝缘电磁屏蔽结构和第二绝缘电磁屏蔽结构中的任意ー个包括顺序地堆叠的第一极化器和第二极化器。第一极化器具有第一传输轴，第ニ极化器具有在平面上与第一极化器的第一传输轴正交的第二传输轴。电子装置还可包括与壳体结合的输入/输入(I/o)装置，I/O装置包括暴露到壳体的外部的显示表面。附图说明通过下面结合附图对示例性实施例进行的描述，本专利技术的总体构思的这些和/或其他特点和效用将会变得明显且更加易于理解，在附图中图I至图11是示出根据本专利技术的总体构思的示例性实施例的半导体装置的截面图；图12A至图12H是示出根据本专利技术的总体构思的示例性实施例的电磁屏蔽结构的图；图13至图19B是示出根据本专利技术的总体构思的一些示例性实施例的制造半导体装置的方法的图；图20至图65是示出根据本专利技术的总体构思的示例性实施例的半导体封装的图； 图66至图72是示出根据本专利技术的总体构思的示例性实施例的电子装置的截面图；图73是示出根据本专利技术的总体构思的示例性实施例的电子系统的图；图74是示出根据本专利技术的总体构思的示例性实施例的电子装置的图。具体实施例方式现在，将详细说明本专利技术的总体构思的示例性实施例，其示例在附图中示出，在附图中，相同的标号始終指示相同的元件。下面同时參照附图描述示例性实施例，以解释本专利技术的总体构思。在此參照作为本专利技术的总体构思的示例性实施例的示意性图解的截面解描述本专利技术的总体构思的示例性实施例。同样地，例如，可以预料到会出现由于制造技术和/或公差导致图解的形状发生变化。因此，本专利技术的总体构思的示例性实施例不应该被解释为限于在此示出的区域的具体形状，而是包括由于(例如)制造导致的形状的偏差。例如，被示出为矩形的蚀刻区域通常将具有圆滑的或弯曲的特征。因此，在附图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状不意在示出装置的区域的精确形状且不意在限制本专利技术构思的范围。图I是根据本专利技术的总体构思的至少ー个示例性实施例的半导体装置的图。參照图1，可提供半导体基底I。半导体基底I可以是包括半导体集成电路(IC)的硅基底。半导体基底I可具有彼此相对地设置的第一表面FS和第二表面BS。夹层绝缘层3可设置在半导体基底I的其上形成有IC的第一表面FS上。导电焊盘6可设置在夹层绝缘层3上，绝缘层9可设置在具有焊盘6的半导体基底I上。绝缘层可以是钝化层。绝缘层9可具有使焊盘6暴露的开ロ。下绝缘层12可设置在绝缘层9上。金属互连件18可重新本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电子装置，包括：电路基底；第一半导体封装，设置在电路基底上；第二半导体封装，设置在电路基底上，并与第一半导体封装隔开；绝缘的电磁屏蔽结构，设置在第一半导体封装的顶表面和侧表面上；导电的电磁屏蔽结构，设置在电路基底上，并被构造成覆盖第一半导体封装、第二半导体封装及绝缘的电磁屏蔽结构。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：金容勋，崔仁虎，金京范，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：