一种堆叠式非晶硅太阳能电池制造技术

技术编号:8182424 阅读:159 留言:0更新日期:2013-01-09 00:23
本实用新型专利技术提供了一种占用面积小、发电效率高的堆叠式非晶硅太阳能电池,从上到下依次为上玻璃层、二氧化锡层、多个PN半导体层、树脂层和下玻璃层;所述上玻璃层、二氧化锡层、PN半导体层、树脂层和下玻璃层的面积相同。本实用新型专利技术的堆叠式非晶硅太阳能电池,通过设置多层PN半导体层,并增加二氧化锡层和树脂层,大大减小了电池的占用空间,并提高了发电效率,使得太阳能电池应用更加广泛。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种太阳能电池,尤其是一种堆叠式非晶硅太阳能电池
技术介绍
随着环境污染的日益加剧以及石油资源的日益枯竭,太阳能作为一种清洁环保、取之不尽用之不竭的能源,日益受到人们的青睐,应用也越来越广泛。太阳能电池式一种利用太阳能的具体方式。非晶硅太阳能电池作为一种新型太阳能电池,具有生产成本低、便于大规模生产等优点,具有广阔的市场前景。而现有的非晶硅太阳能电池通常包括若干个相互串联的非晶硅片组成,所有的非晶硅片位于同一平面上,因此,该太阳能电池占用空间大、不便于安装,发电效率低。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种占用面积小、发电效率高的堆叠式非晶硅太阳能电池。实现本技术目的的堆叠式非晶硅太阳能电池,包括从上到下依次为上玻璃层、二氧化锡层、多个PN半导体层、树脂层和下玻璃层;所述上玻璃层、二氧化锡层、PN半导体层、树脂层和下玻璃层的面积相同。所述PN半导体层为十层以上。本技术的堆叠式非晶硅太阳能电池的有益效果如下通过设置多层PN半导体层,并增加二氧化锡层和树脂层,大大减小了电池的占用空间,并提高了发电效率,使得太阳能电池应用更加广泛。附图说明图1为本技术的堆叠式非晶硅太阳能电池的结构示意图。具体实施方式本技术的实施例如下如图I所示,本技术的堆叠式非晶硅太阳能电池,包括从上到下依次为上玻璃层I、二氧化锡层2、多个PN半导体层3、树脂层4和下玻璃层5 ;所述上玻璃层I、二氧化锡层2、PN半导体层3、树脂层4和下玻璃层5的面积相同。所述PN半导体层3为十层以上。本技术的堆叠式非晶硅太阳能电池,通过设置多层PN半导体层,并增加二氧化锡层和树脂层,大大减小了电池的占用空间,并提高了发电效率,使得太阳能电池应用更加广泛。上面所述的实施例仅仅是对本技术的优选实施方式进行描述,并非对本技术的范围进行限定,在不脱离本技术设计精神前提下,本领域普通工程技术人员对本技术技术方案做出的各种变形和改进,均应落入本技术的权利要求书确定的保护范 围内。权利要求1.一种堆叠式非晶硅太阳能电池,其特征在于包括从上到下依次为上玻璃层、二氧化锡层、多个PN半导体层、树脂层和下玻璃层;所述上玻璃层、二氧化锡层、PN半导体层、树脂层和下玻璃层的面积相同。2.根据权利要求I所述的一种堆叠式非晶硅太阳能电池,其特征在于所述PN半导体层为十层以上。专利摘要本技术提供了一种占用面积小、发电效率高的堆叠式非晶硅太阳能电池,从上到下依次为上玻璃层、二氧化锡层、多个PN半导体层、树脂层和下玻璃层;所述上玻璃层、二氧化锡层、PN半导体层、树脂层和下玻璃层的面积相同。本技术的堆叠式非晶硅太阳能电池,通过设置多层PN半导体层,并增加二氧化锡层和树脂层,大大减小了电池的占用空间,并提高了发电效率,使得太阳能电池应用更加广泛。文档编号H01L31/0376GK202651133SQ20122024250公开日2013年1月2日 申请日期2012年5月28日 优先权日2012年5月28日专利技术者佘金荣, 戴国清, 邵明 申请人:莆田市威特电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种堆叠式非晶硅太阳能电池,其特征在于:包括从上到下依次为上玻璃层、二氧化锡层、多个PN半导体层、树脂层和下玻璃层;所述上玻璃层、二氧化锡层、PN半导体层、树脂层和下玻璃层的面积相同。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:佘金荣戴国清邵明
申请(专利权)人:莆田市威特电子有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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