一种蓝宝石衬底制造技术

技术编号:8175198 阅读:212 留言:0更新日期:2013-01-08 20:42
本实用新型专利技术涉及一种蓝宝石衬底,包括衬底本体,所述的衬底本体正面粗糙度小于等于0.15nm。采用本实用新型专利技术表面粗糙度≤0.15nm,表面无加工应力,无表面损伤层和亚表面损伤层,GaN异质外延的结晶质量高,外延生长的GaN半高宽达到20弧秒以下。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及LED照明应用领域,尤其是一种蓝宝石衬底
技术介绍
LED照明产业技术发展的基石是衬底材料,目前能用于LED生产的衬底最主要的是蓝宝石A1203衬底。随着白光LED进入家庭将逐步取代传统照明,对LED发光性能要求越来越高,对蓝宝石衬底的表面粗糙度要求也越来越高。目前,做LED外延的蓝宝石衬底的表面粗糙度一般要求O. 3nm以下,平片衬底存在少量的亚表面损伤层,外延的GaN薄膜质量不高,半高宽(FWHM)均在25弧秒以上。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种表面粗糙度较低的蓝宝石衬底。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种蓝宝石衬底,包括衬底本体,所述的衬底本体正面粗糙度小于等于O. 15nm。进一步的说,本技术所述的衬底本体表面无加工应力,表面无表面损伤层和亚表面损伤层。外延生长的GaN薄膜质量半高宽达到20弧秒以下。本技术的有益效果是,解决了
技术介绍
中存在的缺陷,表面粗糙度< O. 15nm,表面无加工应力,无表面损伤层和亚表面损伤层,GaN异质外延的结晶质量高,外延生长的GaN半高宽达到20弧秒以下。以下结合附图和实施例对本技术进一步说明。图I是本技术的优选实施例的结构示意图;图中I、衬底本体;2、表面粗糙度。具体实施方式现在结合附图和优选实施例对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图,仅以示意方式说明本技术的基本结构,因此其仅显示与本技术有关的构成。如图I所示的一种蓝宝石衬底,包括衬底本体I,所述的衬底本体正面粗糙度2为O. 15nm。加工时,选取蓝宝石衬底单面研磨片,在化学机械抛光机上采用化学机械抛光的方法,将衬底表面的粗糙度加工至O. 15nm。以上说明书中描述的只是本技术的具体实施方式,各种举例说明不对本技术的实质内容构成限制,所属
的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形,而不背离技术的实质和范围。权利要求1.ー种蓝宝石衬底,包括衬底本体,其特征在于所述的衬底本体正面粗糙度小于等于 O. 15nm。2.如权利要求I所述的ー种蓝宝石衬底,其特征在于所述的衬底本体表面无表面损伤层和亚表面损伤层。专利摘要本技术涉及一种蓝宝石衬底,包括衬底本体,所述的衬底本体正面粗糙度小于等于0.15nm。采用本技术表面粗糙度≤0.15nm,表面无加工应力,无表面损伤层和亚表面损伤层,GaN异质外延的结晶质量高,外延生长的GaN半高宽达到20弧秒以下。文档编号C30B25/18GK202643907SQ20122021259公开日2013年1月2日 申请日期2012年5月11日 优先权日2012年5月11日专利技术者石剑舫 申请人:江苏鑫和泰光电科技有限公司本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种蓝宝石衬底,包括衬底本体,其特征在于:所述的衬底本体正面粗糙度小于等于0.15nm。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:石剑舫
申请(专利权)人:江苏鑫和泰光电科技有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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