本发明专利技术大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical?vapor?deposition;CVD)系统，其具有能够处理多个基板的一处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为一水平居中的垂直等离子体产生器，其允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为一双系统，藉此将各自具有其自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载这些基板。每一机器人可使用该系统内的两个处理线。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】垂直直列CVD系统专利技术背景专利
本专利技术的实施例大体而言关于一种垂直化学气相沉积(chemical vapordeposition;CVD)系统。相关技术的描述CVD是一种将化学前驱物引入处理腔室中、发生化学反应以形成预定化合物或材料，及将该预定化合物或材料沉积于处理腔室内的基板上的工艺。存在若干种CVD工艺。一种CVD工艺为在腔室中点燃等离子体以增强前驱物之间的反应的等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapor deposition;PECVD)。可藉由使用感应稱合等离子体源或电容耦合等离子体源而完成PECVD。 CVD工艺可用以处理大面积基板，诸如平板显示器或太阳电池板。CVD可用以沉积多层，诸如用于晶体管的硅基薄膜。在此项技术中需要一种降低平板显示器装置的制造成本的方法及设备。
技术实现思路
本专利技术大体而言关于一种垂直CVD系统,该垂直CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为水平居中的垂直等离子体产生器，该垂直等离子体产生器允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为双系统，藉此将各自具有自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载基板。每一机器人可进入该系统内的两个处理线。在一个实施例中，公开了一种设备。该设备包括基板装载站；机器人，该机器人可操作以自基板堆迭模块取得基板及将该基板置放于该基板装载站中；装载锁定室，该装载锁定室耦合至该基板装载站。该装载锁定室具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板位置；以及处理腔室，该处理腔室耦合至该装载锁定室。该基板装载站具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板装载位置。该处理腔室具有安置于一或多个处理源的相对侧上的两个基板装载位置。在另一实施例中，公开了一种设备。该设备包括两个基板装载站；两个机器人，该两个机器人可操作以自基板堆迭模块取得基板；两个装载锁定室；以及两个处理腔室。每一基板装载站具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板装载位置。每一机器人可操作以将基板置放于每一基板装载站中。每一装载锁定室耦合至相应的基板装载站，每一装载锁定室具有安置于中心壁的相对侧上的两个基板位置。每一处理腔室耦合至相应的装载锁定室，每一处理腔室具有安置于一或多个处理源的相对侧上的两个基板装载位置。在另一实施例中，一种方法包括使用第一机器人自第一基板堆迭模块取得第一基板；将该第一基板置放于第一位置中的第一基板装载站中；使用该第一机器人自该第一基板堆迭模块取得第二基板；将该第二基板置放于与该第一基板装载站分离的第二位置中的第二基板装载站中；使用第二机器人自第二基板堆迭模块取得第三基板；将该第三基板置放于与该第一位置分离的第三位置中的该第一基板装载站中；使用该第二机器人自该第二基板堆迭模块取得第四基板；以及将该第四基板置放于与该第二位置分离的第四位置中的该第二基板装载站中。附图简要说明因此，可通过参考实施例(其中一些实施例图示于附加附图中)，获知上文所简要概述的本专利技术的更为具体的描述，从而可详细理解本专利技术的上述特征的方式。然而，应注意，附加附图仅图示本专利技术的典型实施例，且因此不欲视为本专利技术范畴的限制，因为本专利技术可允许其他同等有效的实施例。图I为根据一个实施例的处理系统的示意图。图2为图I的处理系统的示意俯视图。 图3为图I的处理系统的示意侧视图。图4为图I的处理腔室的近视图。图5为图I的处理系统的不意后视图。图6A为图I的处理腔室的示意横截面图。图6B为图I的处理腔室的部分侧视图。图7为用于图I的处理系统的抽空系统的图解说明。图8为图I的处理腔室的等角视图。图9为用于图I的处理系统的基板定序的俯视图解说明。图IOA至图IOC为图I的处理腔室的示意图。图IlA及图IlB为用于图I的处理系统中的基板载体的示意图。附图说明图12A及图12B为图示针对图I的处理系统将基板自装载锁定室转移至处理腔室的示意图。图13为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的示意等角视图。图14为根据一个实施例的等离子体产生器的示意俯视图。图15为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的不意俯视图。图16为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的不意俯视图。图17为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的不意俯视图。图18为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的不意俯视图。图19为根据另一实施例的垂直CVD处理系统的不意俯视图。图20为根据一个实施例的垂直基板批式装载锁定系统的图解说明。图21至图22为等离子体产生器的另一实施例的图解说明。图23为根据另一实施例的静态PECVD系统的不意系统布局。图24为根据另一实施例的静态PECVD系统的示意系统布局。图25为根据另一实施例的动态PECVD系统2500的示意系统布局。图26A至图26G为大气装卸站的示意图。图27A至图27D为装载锁定移位机构的图解说明。图28至图33图示用于处理系统及等离子体源的附加配置。为促进理解，在可能情况下已使用相同元件符号来指定为附图所公用的相同元件。可预期可将一个实施例的元件及特征结构有益地并入未进一步叙述的其他实施例中。详细说明本专利技术大体而言关于一种垂直CVD系统,该垂直CVD系统具有能够处理多个基板的处理腔室。虽然将该多个基板安置于该处理腔室内的处理源的相对侧上，但未使处理环境彼此隔离。该处理源为水平居中的垂直等离子体产生器，该垂直等离子体产生器允许在该等离子体产生器的任一侧上同时但以彼此独立的方式处理多个基板。将该系统配置为双系统，藉此将各自具有自己的处理腔室的两个相同处理线配置为彼此邻近。多个机器人用以自处理系统装载且卸载基板。每一机器人可进入该系统内的两个处理线。水平居中的垂直等离子体产生器为具有垂直于处理腔室内的等离子体源的等离子体产生器。应理解，所谓垂直，是指等离子体自接近或处于腔室底部的第一端延伸至接近或处于腔室顶部的第二端。应理解，所谓水平居中，是指等离子体源等间隔地介于处理腔室的两个壁或端之间。 可在可购自Applied Materials, Inc. (Santa Clara, California)的改进的AKTAristo系统中使用垂直CVD腔室来实施本文所论述的实施例。应理解，亦可在其他系统(包括由其他制造商出售的那些系统)中实施实施例。图I为根据一个实施例的垂直、线性CVD系统100的不意图。系统100的大小可设定为在沉积2，000埃厚度的氮化硅薄膜时处理具有大于约90，OOOmm2的表面积的基板，且能够每小时处理大于90个基板。系统100较佳包括两个分离处理线114AU14B，处理线114A、114B由公用系统控制平台112耦合在一起以形成双处理线配置/布局。公用电源供应器(诸如，交流电源供应器)、公用及/或共享泵送及排气组件及公用充气板可用于双处理线114A、114B。对每小时大于90个基板的系统总量而言，每一处理线114A、114B每小时可处理大于45个基板。亦预期可使用单个处理线或大于两个处理线来配置系统。用于垂直基板处理的双处理线114A、114B存在若干益处。因为腔室经垂直地配置，所以系统100的占地面积大约本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：栗田真一，J·库德拉，S·安瓦尔，J·M·怀特，DK·伊姆，H·沃尔夫，D·兹瓦罗，稻川真，I·莫里，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：
国别省市：
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