一种高频超声发射器及阵列声学参数近场校准方法技术

技术编号:8164140 阅读:216 留言:0更新日期:2013-01-07 21:08
本发明专利技术涉及一种高频超声发射器及阵列声学参数的近场校准方法,通过在高频发射器及阵列的近场获取相距很近的两个相互平行的平面上的复声压数据,采用差分近似的方法得到该位置处的质点振速分布,构建基于质点振速信息的“次级声源”,然后采用瑞利积分公式对发射器及阵列的声场进行计算,从而得到高频发射器及阵列声场的声学参数。本发明专利技术的有益效果是:该校准方法具有实施简便、计算高效、准确等显著特点,适合用于任意形状的高频超声发射器及其阵列的声场中声压量的校准和测试。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种高频超声发射器及阵列声学参数近场校准方法,其特征在于:通过在高频超声发射器或者阵列的近场区域获取两组距离为Δz且相互平行的测量面内的复声压数据,利用有限差分构建一个基于质点振速的虚拟的“次级声源”;然后,利用次级声源的振速分布数据,采用瑞利积分的方法计算得到高频超声发射器及阵列的声场中给定位置处的声压量值。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:王世全平自红黄勇军朱学文
申请(专利权)人:中国船舶重工集团公司第七一五研究所
类型:发明
国别省市:

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