异常检测装置和异常检测方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供能够提高异常放电的判定精度、且降低数据处理的负荷的异常检测装置和异常检测方法。一种异常检测装置，具备：监视部，其监视载置于处理室（C）内的晶片（W）即等离子体处理后的晶片从脱离开始直到打开输送闸阀的动作，将所述动作规定为晶片脱离时的动作；取得部，在被规定的所述晶片脱离时的动作中，取得从定向耦合器输出的行波或反射波中的至少任一种高频信号，所述定向耦合器设置于对所述处理室内施加高频电力的高频电源和匹配器之间或设置于作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极和所述匹配器之间；分析部，其分析取得的所述高频信号的波形图案；和异常判定部，其基于所述高频信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于检测等离子体处理装置的异常放电的。
技术介绍
在对半导体晶片(以下，称为晶片。)和基板等被处理体实施使用等离子的微细加工时，向进行等离子体处理的处理室内导入气体，施加高频电 力，通过将导入的气体分解而生成等离子体，使用该等离子体对被处理体进行等离子体处理。在生成由等离子体的处理室内，由于各种各样的原因，高频电场集中，有时产生电弧放电等异常放电。异常放电在被处理体的表面残留有放电痕迹，使配置于处理室内的构成部件烧损。另外，也成为使附着于处理室内的构成部件上的反应生成物等剥离而产生微粒(particle)的原因。因此，在早期检测处理室内的异常放电并且发现异常放电的情况下，需要立即适当地采取停止等离子体处理装置的动作等的措施，防止被处理体和各种部件的损伤和微粒的产生。于是，在现有技术中提案有早期检测异常放电的方法。作为一个例子，举出在晶片处理后设置测试工序，经由测试工序通过目视发现放电痕的方法。但是，根据该方法，直到晶片处理后测试工序需要相当长的等待时间，在该期间也要接连不断地对未处理的晶片执行等离子体处理。由此，假如在测试工序中即使发现晶片的缺陷，直到使产生异常放电的等离子体处理装置停止也需要相应的时间，在这期间要对相当多的产品晶片进行处理，会生产出大量的不良片(chip)。作为早期检测异常放电的其它的方法，还提案有使用AE (声发射AcousticEmission)传感器，根据AE信号的波形图案检测异常放电的技术(例如，参照专利文献I)。先行技术文献专利文献专利文献I :(日本)特开2011 — 14608号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题但是，由于AE传感器灵敏度高，利用AE传感器检测的AE信号不仅是起因于等离子体异常放电的信号，还大量含有起因于等离子体处理装置的输送闸阀的开闭和输送销的上下动的机械振动等噪声。由此，由于AE信号中含有的噪声，有可能降低等离子体处理装置的异常放电的检测精度。本专利技术是鉴于以上的课题而完成的，目的在于提供，能够提高异常放电的判定精度，且降低数据处理的负荷。用于解决课题的方法为解决上述课题，根据本专利技术的一个方式，提供一种异常检测装置，其特征在于，具备取得部，其取得从RF传感器输出的高频信号和从AE传感器输出的AE信号，上述RF传感器设置于将高频电力施加在对被处理体进行等离子体处理的处理室内的高频电源的匹配器和作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极之间，上述AE传感器用于检测在上述处理室产生的声发射；分析部，其分析所取得的上述高频率信号的波形图案和上述AE信号的波形图案；和异常判定部，其基于上述高频信号的波形图案的分析结果和上述AE信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。也可以是，上述分析部基于上述高频信号的波形图案和上述AE信号的波形图案，抽取上述被处理体脱离时的动作中的上述高频信号的最大振幅和上述AE信号的最大振幅的值，上述异常判定部通过比较上述高频率信号的最大振幅和第一阈值、且比较上述AE信号的最大振幅和第二阈值，来判定有无异常放电。也可以是，上述RF传感器是定向耦合器、RF探测器或者电流探测器中任一个。·根据本专利技术的另一个方式，提供一种异常检测装置，其特征在于，具备监视部，其监视载置于处理室内的等离子体处理后的被处理体从脱离开始直到打开输送闸阀的动作，将上述动作规定为被处理体脱离时的动作；取得部，其在被规定的上述被处理体脱离时的动作中，取得从定向耦合器输出的行波或反射波中的至少任一种高频信号，上述定向耦合器设置于对上述处理室内施加高频电力的高频电源和匹配器之间或设置于作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极和上述匹配器之间；分析部，其分析所取得的上述高频率信号的波形图案；和异常判定部，其基于上述高频信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。也可以是，上述取得部取得从用于检测在上述处理室中产生的声发射(AE)的AE传感器输出的AE信号，上述分析部分析上述取得的AE信号的波形图案，上述异常判定部基于上述高频信号的波形图案和上述AE信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。也可以是，上述分析部基于上述高频信号的波形图案和上述AE信号的波形图案，抽取上述被处理体脱离时的动作中的上述高频信号的最大振幅和上述AE信号的最大振幅的值，上述异常判定部通过比较上述高频率信号的最大振幅和第一阈值，且比较上述AE信号的最大振幅和第二阈值，判定有无异常放电。也可以是，上述异常判定部通过比较上述高频率信号的最大振幅的产生时刻和上述AE信号的最大振幅的产生时刻，判定有无异常放电。也可以是，上述分析部对AE信号的波形图案进行频率分析，从频率分析后的数据使用所要求的噪声去除过滤器除去噪声后，对噪声被除去的数据进行分析。也可以是，上述AE传感器安装于对还作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极供给高频电力的供电棒上。也可以是，每I μ sec 5 μ sec进行上述高频信号的取样。也可以是，每I μ sec Imsec进行上述AE信号的取样。也可以是，上述监视部，在关断对静电卡盘的电极施加的直流高压电力的输出时、或反向施加了上述直流高压电力时，判定为上述等离子体处理后的被处理体的脱离开始。为解决上述课题，根据本专利技术的一个方式，提供一种异常检测方法，其特征在于，包括取得从RF传感器输出的高频信号和从AE传感器输出的AE信号的步骤，上述RF传感器设置于将高频电力施加在对被处理体进行等离子体处理的处理室内的高频电源的匹配器和作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极之间，上述AE传感器用于检测在上述处理室产生的声发射；分析所取得的上述高频率信号的波形图案和上述AE信号的波形图案的步骤；和基于上述高频信号的波形图案的分析结果和上述AE信号的波形图案的分析结果来判定有无异常放电的步骤。另外，根据本专利技术的另一个方式，提供一种异常检测方法，其特征在于，包括监视载置于处理室内的等离子体处理后的被处理体从脱离开始直到打开输送闸阀的动作，将上述动作规定为被处理体脱离时的动作的步骤；在被规定的上述被处理体脱离时的动作中，取得从定向耦合器输出的行波或反射波中的至少任一种高频信号的步骤，上述定向耦合器设置于对上述处理室内施加高频电力的高频电源和匹配器之间或设置于作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极和上述匹配器之间；分析已取得的上述高频率信号的波形图案的步骤；和基于上述高频率信号的波形图案的分析结果，判定有无异常放电的步骤。进一步根据本专利技术的另一个方式，提供一种等离子体处理装置，其特征在于，具 备对基板进行处理的处理室；在上述处理室内进行等离子体生成的等离子体生成机构；和与上述等离子体生成机构的供电部连接、检测上述等离子体的异状的异常放电检测装置，上述异常放电检测装置包括取得部，其取得从RF传感器输出的高频信号和从AE传感器输出的AE信号，上述RF传感器设置于将高频电力施加在对被处理体进行等离子体处理的处理室内的高频电源的匹配器和作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极之间，上述AE传感器用于检测在上述处理室产生的声发射；分析部，其分析所取得的上述高频率信号的波形图案和上述AE信号的波形图案；和异常判定部，其基于上述高频信号的波形图案的分析结果和上述AE信号的波形图案的分析结果判定有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异常检测装置，其特征在于，具备：取得部，其取得从RF传感器输出的高频信号和从AE传感器输出的AE信号，所述RF传感器设置于将高频电力施加在对被处理体进行等离子体处理的处理室内的高频电源的匹配器和作为载置被处理体的载置台发挥作用的下部电极之间，所述AE传感器用于检测在所述处理室产生的声发射；分析部，其分析所取得的所述高频率信号的波形图案和所述AE信号的波形图案；和异常判定部，其基于所述高频信号的波形图案的分析结果和所述AE信号的波形图案的分析结果判定有无异常放电。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：中谷理子，大岭治树，纲本哲，长池宏史，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：