本发明专利技术提供一种成膜装置，具备：基板保持件，该基板保持件以将多个基板隔开间隔而重叠的方式对多个基板进行保持；反应管，该反应管用于容纳基板保持件；原料气体供给管，该原料气体供给管对被基板保持件保持的多个基板供给要成膜于多个基板上的薄膜的原料气体，其中基板保持件容纳于反应管；支承部，该支承部用于支承反应管；加热部，该加热部配置在反应管的外侧，对多个基板进行加热；保护管，该保护管在一端部固定于支承部，在基板保持件与反应管之间沿着多个基板的排列方向延伸，内部供温度测量部插入；突起部，该突起部设置在保护管的外表面与反应管的内表面的至少一方，在保护管的外表面与反应管的内表面之间形成空隙。
【技术实现步骤摘要】
本申请以2011年6月30日向日本专利局提交的日本专利申请号第2011-146244号为基础，主张其优先权，本说明书参考并包含其全部公开内容。本专利技术涉及在基板上形成薄膜的成膜装置。
技术介绍
在半导体集成电路的制造工序中，有在半导体晶片等的基板(以下称作晶片)上形成各种薄膜的各种成膜工序。在成膜工序中，存在使用所谓的分批式的成膜装置的情况。该成膜装置具备晶舟，该晶舟隔开间隔保持多个晶片；反应管，该反应管容纳晶舟；支承部，该支承部支承反应管；原料气体供给管，该原料气体供给管沿着反应管内的晶 舟延伸，向晶片供给用于在晶片上形成薄膜的原料气体；以及加热器，该加热器配置在反应管的外侧，对保持于晶舟的晶片进行加热。并且，在上述成膜装置中，为了测量晶片的温度而沿着晶舟设置有温度测量部。为了在原料气体中保护温度测量部，温度测量部大多插入到沿着晶舟延伸的保护管的内部(例如专利文献I)。专利文献I :日本特开2002-270593号公报在上述成膜装置中，在将薄膜形成在晶片上的情况下，例如将晶片搭载于晶舟，将晶舟容纳在反应管内，利用加热器对保持于晶舟的晶片进行加热，在晶片温度达到规定的成膜温度之后，供给原料气体。如此一来，利用晶片的热量来分解原料气体，并利用分解生成物在晶片上形成薄膜。此时，分解生成物不仅堆积于晶片，也堆积于晶舟、反应管以及保护管。因此，当保护管的外表面与反应管的内表面接触时，有时保护管因分解生成物而粘贴在反应管的内表面。在该情况下，在进行成膜装置的维护时，不容易从反应管的内表面拆下保护管，如果强行拆下，则也存在保护管破损的情况。因此，需要进行慎重的操作，维护所需要的时间也会增长。并且，在保护管粘贴在反应管的内表面的情况下，在成膜结束后，晶片的温度下降时，由于应力作用于保护管，而有可能使保护管因该应力而破损。
技术实现思路
本专利技术根据上述情况，提供一种能够避免保护管粘贴在反应管的内表面的成膜装置。根据本专利技术的一个实施方式，提供一种成膜装置，该成膜装置具备基板保持件，该基板保持件以将多个基板隔开间隔而重叠的方式对所述多个基板进行保持；反应管，该反应管用于容纳所述基板保持件；原料气体供给管，该原料气体供给管对被所述基板保持件保持的所述多个基板供给要成膜于所述多个基板上的薄膜的原料气体，所述基板保持件容纳于所述反应管；支承部，该支承部用于支承所述反应管；加热部，该加热部配置在所述反应管的外侧，对所述多个基板进行加热；保护管，该保护管在一端部固定于所述支承部，在所述基板保持件与所述反应管之间沿着所述多个基板的排列方向延伸，内部供温度测量部插入；突起部，该突起部设置在所述保护管的外表面与所述反应管的内表面的至少一方，在所述保护管的外表面与所述反应管的内表面之间形成空隙。以下说明将阐述本专利技术的其他目的和优点，其一部分可以通过以下说明或者对专利技术的实施予以明确。本专利技术的目的和优点将结合附图以及具体实施方式予以明确。附图说明构成本专利技术的说明书、实施例的附图、以上所述以及以下对实施例的详细说明用于解释本专利技术的原理。图I是示出基于本专利技术的实施方式的成膜装置的简略剖视图。图2是示出图I的成膜装置的保护管与反应管之间的位置关系的简略俯视图。图3A以及图3B是说明在图I的成膜装置中，应力作用于保护管的原因的图。图4是示出在图I的成膜装置中，作用于保护管的应力的测量结果的图表。图5A以及图5B是说明设置在图I的成膜装置的保护管的前端部的突起部的效果的说明图。图6A以及图6B是示出图I的成膜装置的变形例中的保护管与反应管之间的位置关系的简略俯视图。具体实施例方式参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。在以下说明中，对具备相同功能和作用的构成要素标注相同的标号，仅在需要时进行重复说明。以下，参照附图对不作为本专利技术的限定的例示的实施方式进行说明。在全部附图中，对相同或者对应的部件或者元件标注相同或者对应的附图标记,并省略重复的说明。并且，附图的目的不在于示出部件或元件之间的相对比例，因此，具体的尺寸应当根据以下不起限定作用的实施方式，由本领域技术人员来决定。图I是示出基于本专利技术的实施方式的成膜装置10的简略剖视图。如图所示，成膜装置10具有晶舟21，该晶舟21以将多个晶片W沿上下方向隔开间隔而重叠的方式对多个晶片W进行保持；反应管22，该反应管22用于容纳晶舟21 ;外管23，该外管23用于容纳反应管22 ;多通联接件24，该多通联接件24支承反应管22和外管23。并且，在成膜装置10设置有原料气体喷嘴25和保护管26，原料气体喷嘴25对保持于晶舟21的晶片W供给原料气体，保护管26供例如热电偶、测温电阻器等温度测量部插入，在原料气体等中保护该温度测量部。原料气体喷嘴25以及保护管26在晶舟21与反应管22之间的空间沿着晶舟21延伸，以晶舟21作为中心而相互对应地配置。并且，在成膜装置10设置有对保持于晶舟21的晶片W进行加热的加热器27，该加热器27被配置为包围外管23的外周。加热器27可以具有沿上下方向配置的多个分割加热器，对各分割加热器连接有电源装置(未图示)。另外，也可以将从外管23的上方加热晶片W的增加的加热器(未图示)设置在外管23的上方。晶舟21例如由石英玻璃制成，具有上盖部21a、下盖部21b、以及与下盖部21b相对而支承上盖部21a的例如3根(在图I中仅示出两根)支柱21c。在支柱21c形成有多个狭缝。多个狭缝分别形成为与各支柱21c的对应的狭缝位于相同的高度，利用上述狭缝来支承晶片W。狭缝的数量以及间隔，优选根据晶片W的尺寸、在一次成膜工序中应当处理的晶片W的个数、反应管22等的尺寸来决定。并且，晶舟21在其下部支承于基座28，基座28固定在升降板29上。升降板29借助未图示的升降机构而能够上下移动。在成膜时，利用升降机构使升降板29上升，经由例如O型环、金属密封件等密封部件而与多通联接件24的下表面接触。由此，将由外管23、多通联接件24以及升降板29划分的空间(以下称作内部空间)与其外侧的空间隔开。并且，在从反应管22卸下晶舟21时，利用升降机构使升降板29下降，进而使晶舟21下降。反应管22具有有盖的圆筒状的形状，例如由石英玻璃制成，在其下端部支承于设置在多通联接件24的内周的凸缘部。包围反应管22的外侧的外管23具有有盖的圆筒状的形状，例如由石英玻璃制成。并且，外管23经由例如O型环、金属密封件等密封部件而气 密地安装于多通联接件24的上表面。此外，在反应管22设置有未图示的一个或两个以上开口，利用该开口来连通反应管22的内侧的空间与外侧的空间(外管23的内侧的空间)。并且，排气管(未图示)与多通联接件24连接，排气管与包括真空泵的排气装置连接。利用该结构，从后述的原料气体喷嘴25对晶片W供给的原料气体通过反应管22的开口和外管23的排气管而被排出。并且，在排气管设置有压力控制器(未图示)，由此调整反应管22内的压力。多通联接件24在其上部凸缘，利用未图示的多个螺栓以及螺母安装于基部30。由此，多通联接件24将反应管22以及外管23支承于基部30。原料气体喷嘴25例如由石英玻璃制成，通过形成于多通联接件24的喷嘴导入部24a而到达内部空间，朝向上方弯曲并沿着晶舟21延伸。在喷嘴导入部24a的端部设置有例如本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种成膜装置，其特征在于，具备：基板保持件，该基板保持件以将多个基板隔开间隔而重叠的方式对所述多个基板进行保持；反应管，该反应管用于容纳所述基板保持件；原料气体供给管，该原料气体供给管对被所述基板保持件保持的所述多个基板供给要成膜于所述多个基板上的薄膜的原料气体，所述基板保持件容纳于所述反应管；支承部，该支承部用于支承所述反应管；加热部，该加热部配置在所述反应管的外侧，对所述多个基板进行加热；保护管，该保护管在一端部固定于所述支承部，在所述基板保持件与所述反应管之间沿着所述多个基板的排列方向延伸，内部供温度测量部插入；突起部，该突起部设置在所述保护管的外表面与所述反应管的内表面的至少一方，在所述保护管的外表面与所述反应管的内表面之间形成空隙。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤泉，白谷勇雄，浅利聪，村上强，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：
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