降低光刻胶图形缺陷的方法及形成光刻胶图形的设备技术

本申请公开了一种降低光刻胶图形缺陷的方法，应用于涂胶/显影机，包括：判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量；根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作。利用本申请所提供的方法，可以避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行带来的不利影响，进而解决所述第一光刻胶在所述第二光刻胶之后运行，所述第一光刻胶形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联的现象，影响后续刻蚀工艺的正常进行的问题。

【技术实现步骤摘要】
降低光刻胶图形缺陷的方法及形成光刻胶图形的设备
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种降低光刻胶图形缺陷的方法以及一种形成光刻胶图形的设备。
技术介绍
涂胶、显影工艺是半导体制造中的一项重要技术。具体的，在涂胶、显影工艺里，晶圆需在涂胶/显影机中经历一系列的工艺步骤，如在预处理晶圆的上表面涂胶、甩胶、烘焙（常称软烘），期间，利用涂胶/显影机内部的自动传送装置将晶圆在各操作位之间转移。软烘完成后，利用另一套传送装置将经过涂胶处理的晶圆每次一片的送入对准与曝光系统中，进行曝光，从而将特定掩膜版上的图形直接刻印到已经过涂胶处理的晶圆上。曝光后的晶圆需从曝光系统转移到晶圆轨道系统，进行短时间的曝光后烘焙（常称为后烘），以提供光刻胶的粘附性并减少驻波。而后，晶圆重新回到涂胶/显影机中，进行显影。然而，利用上述工艺步骤对晶圆进行涂胶、显影后，得到的光刻胶图形间隙中，容易出现光刻胶残留互联现象，从而影响后续刻蚀工艺的正常进行。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是利用现有技术中的涂胶、显影工艺，得到的光刻胶图形间隙中，容易出现光刻胶残留互联现象，从而影响后续刻蚀工艺的正常进行。为解决上述问题，本专利技术提供了以下技术方案：一种降低光刻胶图形缺陷的方法，应用于涂胶/显影机，包括：判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量；根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作。优选的，所述第一光刻胶的材料对氨敏感。优选的，所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。优选的，所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶包括：判断当前即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶；判断所述第一光刻胶运行之前，运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。优选的，所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶还包括：判断开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。优选的，所述根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作包括：当所统计的数量小于24时，控制所述涂胶/显影机停止运行所述第一光刻胶；当所统计的数量不小于24时，控制所述涂胶/显影机继续运行所述第一光刻胶。优选的，所述停止运行所述第一光刻胶后还包括：清除所述涂胶/显影机内，第二光刻胶运行过程中产生的废气。优选的，所述清除所述涂胶/显影机内，所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：运行第三光刻胶，且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24；其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。优选的，所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：在没有光刻胶运行的前提下，处理不小于24个的伪晶圆。一种形成光刻胶图形的设备，包括涂胶/显影机和自动控制装置；其中，所述自动控制装置包括：判断单元：用于判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；统计单元：用于统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机内处理过的晶圆数量；控制单元：用于根据所述统计单元统计的数量，控制所述涂胶/显影机的工作。优选的，所述第一光刻胶的材料对氨敏感。优选的，所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。优选的，所述判断单元包括：第一判断单元：用于判断即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶；第二判断单元：用于判断所述第一光刻胶运行之间，运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。优选的，所述判断单元还包括：第三判断单元：用于判断开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。优选的，所述控制单元包括：第一控制单元：用于当所述统计单元中统计的数量小于24时，控制所述涂胶/显影机停止运行第一光刻胶；第二控制单元，用于当所述统计单元中统计的数量不小于24时，控制所述涂胶/显影机继续运行第一光刻胶。优选的，所述控制单元还包括：第三控制单元：用于停止运行所述第一光刻胶后，控制所述涂胶/显影机，清除所述涂胶/显影机内所述第二光刻胶运行过程中产生的废气。优选的，所述清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：运行第三光刻胶，且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24；其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。优选的，所述清除所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：在没有光刻胶运行的前提下，处理不小于24个的伪晶圆。与现有技术相比，本专利技术具有以下优点：由于第二光刻胶运行过中所产生的废气会对第一光刻胶的运行产生一定的影响，因此，本专利技术所提供的降低光刻胶图形缺陷的方法中，会在涂胶/显影机里运行第一光刻胶之前，先判断之前运行过的光刻胶中是否存在第二光刻胶。如果存在，则会统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量，并根据所统计的数量，控制所述涂胶/显影机的工作，从而避免所述第二光刻胶运行过程中所产生的废气，对所述第一光刻胶的运行带来的不利影响，进而解决所述第一光刻胶在所述第二光刻胶之后运行，所述第一光刻胶形成的光刻胶图形间隙中，出现光刻胶残留互联的现象，影响后续刻蚀工艺的正常进行的问题。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术实施例一所提供的降低光刻胶图形缺陷的方法流程图；图2为本专利技术实施例一中，所提供的判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶的一种方法流程图；图3为本专利技术实施例一中，所提供的判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶的另一种方法流程图；图4是本专利技术实施例二所提供的降低光刻胶图形缺陷的方法流程图；图5是本专利技术实施例三所提供的形成光刻胶图形设备中，自动控制装置的结构示意图；图6是本专利技术实施例三所提供的形成光刻胶图形设备中，判断单元的一种结构示意图；图7是本专利技术实施例三所提供的形成光刻胶图形设备中，判断单元的另一种结构示意图；图8是本专利技术实施例三所提供的形成光刻胶图形设备中，控制单元的结构示意图；图9是本专利技术实施例四所提供的形成光刻胶图形设备中，控制单元的结构示意图。具体实施方式正如
技术介绍
部分所述，利用现有技术中的涂胶、显影工艺，得到的光刻胶图形间隙中，容易出现光刻胶残留互联现象，从而影响后续刻蚀工艺的正常进行。专利技术人研究发现，这是由于现有技术中涂胶/显影机的涂胶单元里，通常安装有多种不同种类的光刻胶，而且根据具体的生产需求，不同种类的光刻胶混合运行，即根据生产需要，所述涂胶单元在待处理的晶圆表面涂覆特定种类光刻胶，而且涂覆有光刻胶的晶圆，会在所述涂胶/显影机中高精度热板单元的反应腔室里，经历的曝光后的烘烤制程（常称为后烘），而在后烘制程中会产生大量的废气。专利技术人进一步研究发现，所述废气中的成分含有残留的氨和溶解剂，而所述废气中的氨会污染所述高精度热板单元的反应腔室。当所述涂胶单元里先前运行的光刻胶为高沸点材料时，涂覆有该光刻胶的晶圆，在经历后烘制程时，所产生的废气不易排出本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种降低光刻胶图形缺陷的方法，应用于涂胶/显影机，其特征在于，包括：判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量；根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作。

【技术特征摘要】
1.一种降低光刻胶图形缺陷的方法，应用于涂胶/显影机，其特征在于，所述方法适用于第二光刻胶运行过程中产生的废气对第一光刻胶的运行产生影响的情形，所述方法包括：判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶；统计所述第二光刻胶结束运行后，所述第一光刻胶开始运行前，所述涂胶/显影机中处理过的晶圆数量；根据所统计的处理过的晶圆数量，控制所述涂胶/显影机的工作，包括：当所统计的数量小于24时，控制所述涂胶/显影机停止运行所述第一光刻胶；当所统计的数量不小于24时，控制所述涂胶/显影机继续运行所述第一光刻胶。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一光刻胶的材料对氨敏感。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二光刻胶的材料为高沸点材料。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶包括：判断当前即将开始运行的光刻胶是否为第一光刻胶；判断所述第一光刻胶运行之前，运行过的光刻胶中是否有第二光刻胶。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述判断所述涂胶/显影机中运行第一光刻胶之前，是否运行过第二光刻胶还包括：判断开始运行所述第一光刻胶之前，刚刚结束运行的光刻胶是否为第二光刻胶。6.如权利要求1-5任一项所述的方法，其特征在于，所述停止运行所述第一光刻胶后还包括：清除所述涂胶/显影机内，第二光刻胶运行过程中产生的废气。7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述清除所述涂胶/显影机内，所述第二光刻胶运行过程中产生的废气具体为：运行第三光刻胶，且经所述第三光刻胶处理过的晶圆数量不小于24；其中，所述第三光刻胶的材料既非高沸点材料又不对氨敏感。8.一种形成光刻胶图形的设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡林，王彩虹，陈蕾，鲍晔，周孟兴，
申请(专利权)人：上海宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：