带保护套的半导体放电管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种带保护套的半导体放电管，包括一个放电管本体，所述放电管本体包括N1型衬底、正面P扩散区、背面P扩散区、正面P扩散区内的N+扩散区、背面P扩散区内的N+扩散区和设于所述N1型衬底的正面和背面的N2扩散区，所述放电管本体还与一个由取样电路、放大电路、触发电路、告警电路顺序连接构成的告警信号发生装置相连接，在所述放电管本体和告警信号发生装置外围还套有一保护套管。本实用新型专利技术的优点在于可将反向重复峰值电压做到10～100V，且可实现快速告警，便于维护和处理。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及ー种半导体放电管，尤其涉及一种低电压半导体放电管。
技术介绍
半导体放电管，是ー种 过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路的两端。半导体放电管被广泛应用于通讯交换设备中的程控交换机、电话机、传真机、配线架、XDSL、通讯接ロ、通讯发射设备等一切需要防雷保护的领域，以保护其内部的IC免受瞬间过电压的冲击和破坏。在当今世界微电子及通讯设备高速发展的今天，半导体放电管已成为世界通讯设备的首选器件。现阶段，国内大部分半导体放电管的反向重复峰值电压在200 400V，虽然通过离子注入方式，可以把电压做到100V 200V，但是用常规的半导体放电管对于常用的24V，36V，48V，60V的信号线无法起到有效的保护。同时，常规放电管并不具有告警功能，不便于维护人员及时处理。此外，没有外围没有保护装置，其还容易经常损坏。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种可将反向重复峰值电压做到10 100V，且可实现快速告警且使用寿命更长的新型半导体放电管。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是一种半导体放电管，包括ー个放电管本体，所述放电管本体包括NI型衬底、正面P扩散区、背面P扩散区、正面P扩散区内的N+扩散区、背面P扩散区内的N+扩散区和设于所述NI型衬底的正面和背面的N2扩散区，所述放电管本体还与ー个由取样电路、放大电路、触发电路、告警电路顺序连接构成的告警信号发生装置相连接，在所述放电管本体和告警信号发生装置外围还套有一保护套管。作为优选，所述的取样电路、放大电路、触发电路、告警电路由第一电阻、第二电阻、第二电阻、第一晶体三极管、第二晶体三极管、可控硅触发器和发光二极管连接构成；第ー电阻一端、第二电阻一端连接两半导体放电管的串接点，第二电阻另一端连接第一晶体三极管的基极和第二晶体三极管的发射极，第一电阻的另一端、第三电阻的一端及可控硅触发器的阳极接地端，第三电阻的另一端连接第一晶体三极管的发射极及第ニ晶体三极管的基极，第一晶体三极管的集电极与第二晶体三极管的集电极连接可控硅触发器的触发极，可控硅触发器的阴极连接发光二极管阳极，发光二极管的阴极及地端连接所述电信设备的告警系统。采用上述技术方案，使得本技术具有如下优点本技术先在NI型衬底的正面和背面增设N2扩散区，然后在N2扩散区中形成正面P扩散区和背面P扩散区，以及形成正面P扩散区内的N+扩散区和背面P扩散区内的N+扩散区，通过这样ー个特殊的PN结扩散区结构设计，从而使得反向重复峰值电压做到10 100V。同时设计串接了ー个告警装置，有助于维护人员及时发现和处理，提高放电管的可靠性。在其外围加装ー个保护套管，可以进一歩避免其在外部压カ下损坏，延长使用寿命。以下结合附图对本技术作进ー步详细说明图I为本技术结构示意图；图2为本技术半导体放电管制造エ艺过程的平面图；其中I.放电管本体；2.告警信号发生装置；3.保护套管。具体实施方式如图I和2所示，一种半导体放电管，包括一个放电管本体，所述放电管本体包括NI型衬底、正面P扩散区、背面P扩散区、正面P扩散区内的N+扩散区、背面P扩散区内的N+扩散区和设于所述NI型衬底的正面和背面的N2扩散区，所述放电管本体还与ー个由取样电路、放大电路、触发电路、告警电路顺序连接构成的告警信号发生装置相连接，在所述放电管本体和告警信号发生装置外围还套有一保护套管。所述的取样电路、放大电路、触发电路、告警电路由第一电阻、第二电阻、第二电阻、第一晶体三极管、第二晶体三极管、可控硅触发器和发光二极管连接构成；第一电阻一端、第二电阻一端连接两半导体放电管的串接点，第二电阻另一端连接第一晶体三极管的基极和第二晶体三极管的发射极，第一电阻的另一端、第三电阻的一端及可控硅触发器的阳极接地端，第三电阻的另一端连接第一晶体三极管的发射极及第ニ晶体三极管的基极，第一晶体三极管的集电极与第二晶体三极管的集电极连接可控硅触发器的触发极，可控硅触发器的阴极连接发光二极管阳极，发光二极管的阴极及地端连接所述电信设备的告警系统。需要指出的是，上述实施例虽对本技术作了比较详细的文字描述，但这些文字描述只是对本技术设计思路的简单描述，而不是对本技术思路的限制。任何不超过本技术设计思路的组合、増加或修改，均落入本技术的保护范围内。权利要求1.ー种带保护套的半导体放电管，包括一个放电管本体，其特征在于，所述放电管本体包括NI型衬底、正面P扩散区、背面P扩散区、正面P扩散区内的N+扩散区、背面P扩散区内的N+扩散区和设于所述NI型衬底的正面和背面的N2扩散区，所述放电管本体还与ー个由取样电路、放大电路、触发电路、告警电路顺序连接构成的告警信号发生装置相连接，在所述放电管本体和告警信号发生装置外围还套有一保护套管。2.根据权利要求I所述的带保护套的半导体放电管，其特征在于所述的取样电路、放大电路、触发电路、告警电路由第一电阻、第二电阻、第二电阻、第一晶体三极管、第二晶体三极管、可控硅触发器和发光二极管连接构成；第一电阻一端、第二电阻一端连接两半导体放电管的串接点，第二电阻另一端连接第一晶体三极管的基极和第二晶体三极管的发射极，第一电阻的另一端、第三电阻的一端及可控硅触发器的阳极接地端，第三电阻的另一端连接第一晶体三极管的发射极及第ニ晶体三极管的基极，第一晶体三极管的集电极与第二晶体三极管的集电极连接可控硅触发器的触发极，可控硅触发器的阴极连接发光二极管阳极，发光二极管的阴极及地端连接所述电信设备的告警系统。专利摘要本技术公开了一种带保护套的半导体放电管，包括一个放电管本体，所述放电管本体包括N1型衬底、正面P扩散区、背面P扩散区、正面P扩散区内的N+扩散区、背面P扩散区内的N+扩散区和设于所述N1型衬底的正面和背面的N2扩散区，所述放电管本体还与一个由取样电路、放大电路、触发电路、告警电路顺序连接构成的告警信号发生装置相连接，在所述放电管本体和告警信号发生装置外围还套有一保护套管。本技术的优点在于可将反向重复峰值电压做到10～100V，且可实现快速告警，便于维护和处理。文档编号H02H9/04GK202633317SQ20122026946公开日2012年12月26日 申请日期2012年6月8日 优先权日2012年6月8日专利技术者张小平 申请人:江苏晟芯微电子有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种带保护套的半导体放电管，包括一个放电管本体，其特征在于，所述放电管本体包括N1型衬底、正面P扩散区、背面P扩散区、正面P扩散区内的N+扩散区、背面P扩散区内的N+扩散区和设于所述N1型衬底的正面和背面的N2扩散区，所述放电管本体还与一个由取样电路、放大电路、触发电路、告警电路顺序连接构成的告警信号发生装置相连接，在所述放电管本体和告警信号发生装置外围还套有一保护套管。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张小平，
申请(专利权)人：江苏晟芯微电子有限公司，
类型：实用新型
国别省市：