扁平同轴缆线及其制造方法技术

一种扁平同轴缆线，包括一绝缘基础层、一导体线路层、一绝缘覆盖层、一电磁屏蔽层及一外部绝缘层。导体线路层配置在该绝缘基础层上。绝缘覆盖层与该绝缘基础层包围该导体线路层，其中该绝缘基础层及该绝缘覆盖层构成一内部绝缘层。电磁屏蔽层包围该内部绝缘层。外部绝缘层包围该电磁屏蔽层。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于一种同轴缆线，且特别是一种。
技术介绍
同轴缆线经常应用于传输讯号来确保讯号传输的稳定性。习知的同轴缆线包括以金属材质(例如铜、铝镀铜或锡镀铜)所制作的单线或绞线作为内部导体、包围内部导体的内部绝缘层(例如铁弗龙层)、包围内部绝缘层的电磁屏蔽层(例如编织铜网)及包围电磁屏蔽层的外部绝缘体(例如耐燃的聚合物层)。基于上述架构，同轴缆线通常具有圆柱状的结构。同轴缆线的外径可依照实际的应用来变化。然而，当同轴缆线应用于薄型化电子产品时，为了满足电性上的要求，同轴缆线的外径将有其最小极限。因此，同轴缆线依照现 行架构将不利于电子产品的薄型化。
技术实现思路
本专利技术提出一种扁平同轴缆线，以占有较薄的空间。本专利技术更提出一种扁平同轴缆线制造方法，以制造出占有较薄空间的扁平同轴缆线。本专利技术揭露一种扁平同轴缆线，其包括一绝缘基础层、一导体线路层、一绝缘覆盖层、一电磁屏蔽层及一外部绝缘层。导体线路层配置在该绝缘基础层上。绝缘覆盖层与该绝缘基础层包围该导体线路层，其中该绝缘基础层及该绝缘覆盖层构成一内部绝缘层。电磁屏蔽层包围该内部绝缘层。外部绝缘层包围该电磁屏蔽层。本专利技术更揭露一种扁平同轴缆线制造方法。形成一导体线路层在一绝缘基础层上。以一绝缘覆盖层与该绝缘基础层包围该导体线路层，其中该绝缘基础层及该绝缘覆盖层构成一内部绝缘层。以一电磁屏蔽层及一外部绝缘层包围该内部绝缘层，使得该电磁屏蔽层位于该内部绝缘层及该外部绝缘层之间。基于上述，本专利技术的扁平同轴缆线以层状的导电线路层取代习知同轴缆线的内部导体(例如单线或绞线)以减少同轴缆线的厚度，故有助于电子产品的薄型化。此外，本专利技术的扁平同轴缆线制造方法可制作出扁平同轴缆线。附图说明图I为本专利技术的一实施例的扁平同轴缆线的俯视图。图2为图I的扁平同轴缆线沿A-A线的放大剖面图。图3为本专利技术的另一实施例的扁平同轴缆线的剖面图。图4为本专利技术的另一实施例的扁平同轴缆线的立体图。图5A至图5C绘示本专利技术的另一实施例的扁平同轴缆线制造方法。图6A至图6C绘示本专利技术的另一实施例的扁平同轴缆线制造方法。图7A至图7C绘示本专利技术的另一实施例的扁平同轴缆线制造方法。图8A至图SC绘示本专利技术的另一实施例的扁平同轴缆线制造方法。符号说明100、100’、100”扁平同轴缆线110、110’ 内部绝缘层112:绝缘基础层114、114’ 绝缘覆盖层120:导电线路层130:电磁屏蔽层140:外部绝缘层150:电连接器201、201’、202、202’ 扁平同轴缆线210、210’ 内部绝缘层 212 :绝缘基础层214、214’ 绝缘覆盖层220:导电线路层222 :架桥层222’ 黏结层230:电磁屏蔽层240 :外部绝缘层具体实施例方式图I为本专利技术的一实施例的扁平同轴缆线的俯视图，且图2为图I的扁平同轴缆线沿A-A线的放大剖面图。请参考图I及图2，扁平同轴缆线100包括一绝缘基础层112。在本实施例中，绝缘基础层112的材质可为软性聚合物，例如具有绝缘性、良好介电强度(绝缘耐压强度)及耐化学性的PI、PET或PC等材质。本实施例的扁平同轴缆线100更包括一导体线路层120，且导体线路层120配置在绝缘基础层112上。在本实施例中，导体线路层120的材质可为金、银或铜。导体线路层120的宽度可为O. 5厘米至2厘米，而导体线路层120的厚度可为50微米至200微米。不同于习知的圆柱状同轴缆线的内部导体(例如单线或绞线)的横切面具有实质上一致的外径，导体线路层120的宽度及厚度的比值至少大于2。本实施例的扁平同轴缆线100更包括一绝缘覆盖层114，且绝缘覆盖层114配置在绝缘基础层112上，并与绝缘基础层112包围导体线路层120。如图I所示，导体线路层120可具有两个端电极122，其未被绝缘覆盖层114所覆盖。绝缘基础层112及绝缘覆盖层114构成一内部绝缘层110。在本实施例中，绝缘覆盖层114的材质可为软性聚合物，例如具有绝缘性及良好介电强度(绝缘耐压强度)的PI、PET或PC等材质。本实施例的扁平同轴缆线100更包括一电磁屏蔽层130，且电磁屏蔽层130包围绝缘基础层112及绝缘覆盖层114。在本实施例中，电磁屏蔽层130的材质可为铝。本实施例的扁平同轴缆线100更包括一外部绝缘层140，且外部绝缘层140包围电磁屏蔽层130。在本实施例中，外部绝缘层140的材质可为软性聚合物，例如具有绝缘性、良好介电强度(绝缘耐压强度)及耐燃性的PI、PET或PC等材质。图3为本专利技术的另一实施例的扁平同轴缆线的剖面图。请参考图3，不同于图2的扁平同轴缆线100的绝缘覆盖层114仅配置于绝缘基础层112的配置有导电线路层120的一面，本实施例的扁平同轴缆线100’的绝缘覆盖层114’更包围绝缘基础层112，使得电磁屏蔽层130位于绝缘覆盖层114与外部绝缘层140之间。在本实施例中，绝缘覆盖层114’的材质亦可为软性聚合物，例如具有绝缘性及良好介电强度(绝缘耐压强度)的PI、PET或PC等材质。图4为本专利技术的另一实施例的扁平同轴缆线的立体图。请参考图4，除了具有图I的扁平同轴缆线100的所有构件以外，本实施例的扁平同轴缆线100”更具有一电连接器150，且电连接器150连接于导体线路层的一端电极(类似图I的端电极)。上文配合图I至图4揭露了多个结构实施例。下文将配合图式揭露多个方法实施例。图5A至图5C绘示本专利技术的另一实施例的扁平同轴缆线制造方法。请参考图5A，形成一导体线路层220在一绝缘基础层212上。在本实施例中，可以卷材或片材方式供给及输送绝缘基础层212。绝缘基础层212的材质可为软性聚合物，例如具有绝缘性、良好介电强度(绝缘耐压强度)及耐化学性的PI、PET或PC等材质。此外，在本实施例中，形成导体线路层220的步骤可包括通过化学镀在绝缘基础层212上形成一架桥层222，再通过电镀在架桥层222上形成一电镀层以作为导体线路层 220。架桥层222配置在绝缘基础层212及导体线路层220之间，且导体线路层220通过架桥层222配置在绝缘基础层212上。架桥层222的材质可为镍，而导体线路层220的材质可为金、银或铜。请参考图5B，以一绝缘覆盖层214与绝缘基础层212包围导体线路层220。绝缘基础层212及绝缘覆盖层214构成一内部绝缘层210。在本实施例中，可通过涂布液态绝缘材料形成绝缘覆盖层214在绝缘基础层212及导体线路层220上。绝缘覆盖层214的材质可为软性聚合物，例如具有绝缘性及良好介电强度(绝缘耐压强度)的PI等材质。请参考图5C，以一电磁屏蔽层230及一外部绝缘层240包围内部绝缘层210，使得电磁屏蔽层230位于内部绝缘层210及外部绝缘层240之间，以完成扁平同轴缆线201。在本实施例中，可先将电磁屏蔽层230形成在外部绝缘层240上，接着将形成有电磁屏蔽层230的外部绝缘层240贴附至内层绝缘层210。电磁屏蔽层230可通过铝蒸镀或贴附铝箔形成在外部绝缘层240上。外部绝缘层240的材质可为软性聚合物，例如具有绝缘性、良好介电强度(绝缘耐压强度)及耐燃性的PI、PET或PC等材质。图6A至图6C绘示本专利技术的另一实施例的扁平同轴缆线制造方法。请参考图6A，形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种扁平同轴缆线，其特征在于，包括：一绝缘基础层；一导体线路层，配置在该绝缘基础层上；一绝缘覆盖层，与该绝缘基础层包围该导体线路层，其中该绝缘基础层及该绝缘覆盖层构成一内部绝缘层；一电磁屏蔽层，包围该内部绝缘层；以及一外部绝缘层，包围该电磁屏蔽层。

【技术特征摘要】
2011.06.24 TW 1001222801.ー种扁平同轴缆线，其特征在于，包括 ー绝缘基础层； ー导体线路层，配置在该绝缘基础层上； 一绝缘覆盖层，与该绝缘基础层包围该导体线路层，其中该绝缘基础层及该绝缘覆盖层构成一内部绝缘层； ー电磁屏蔽层，包围该内部绝缘层；以及 一外部绝缘层，包围该电磁屏蔽层。2.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在于，更包括 一架桥层，配置在该绝缘基础层及该导体线路层之间，且该导体线路层通过该架桥层配置在该绝缘基础层上。3.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在于，更包括 一黏结层，配置在该绝缘基础层及该导体线路层之间，且该导体线路层通过该黏结层配置在该绝缘基础层上。4.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在干，该绝缘覆盖层更包围该绝缘基础层，使得该电磁屏蔽层配置在该绝缘覆盖层与该外部绝缘层之间。5.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在干，该绝缘基础层的材质为软性聚合物。6.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在于，该导体线路层的材质为金、银或铜。7.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在干，该绝缘覆盖层的材质为软性聚合物。8.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在干，该电磁屏蔽层的材质为铝。9.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在于，该外部绝缘层的材质为软性聚合物。10.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在于，该导体线路层的宽度为O.5厘米至2厘米。11.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在于，该导体线路层的厚度为50微米至200微米。12.根据权利要求I所述的扁平同轴缆线，其特征在于，该导电线路层的宽度及厚度的比值大于2。13.根据权利要求I所述的扁平同轴缆...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴健君，李世炜，
申请(专利权)人：仁宝电脑工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：