一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路制造技术

技术编号:8124298 阅读:399 留言:0更新日期:2012-12-22 15:28
本实用新型专利技术提出了一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路,包括可变频率振荡器,与所述的可变频率振荡器相连的变压器耦合电路,与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路,所述的谐振匹配电路与高频无极灯相连,所述的可变频率振荡器外接图腾柱输出电路,所述的图腾柱输出电路一端与所述的可变频率振荡器驱动输出引脚相连,另一端与所述的变压器耦合电路相连。本实用新型专利技术一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路出光率高、电路简单、造价低、工作可靠。(*该技术在2022年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路
技术介绍
众所周知,高频无极灯英文名为HF Electrode-less discharge lamp,它是基于电磁感应和荧光气体放电两个熟知原理相结合而成的一种新型电光源,由于它没有灯丝或电极,所以不存在限制灯泡寿命的必然元件,正常情况下使用,一般寿命可达数万小时以上。灯泡内壁涂有三基色粉,灯泡内充入适量的低压混合惰性气体,在其下端植入铋汞和铟网。高频感应磁场激发泡内混合气体电离,形成等离子体。等离子体中的汞原子受激从低能态跃迁至高能态,根据量子理论,当汞原子从高能态返回基态时,会辐射出波长为253. 7nm 的高能紫外线,紫外线撞击内壁的三基色粉,三基色粉受激而发出可见光。这就是高频无极灯的工作原理。调整三基色粉的比例,便可以改变色温,其光谱分布可覆盖380nm至780nm的可见光。这是目前最优秀,最具发展前景的电光源之一,它与陶瓷金卤灯、LED灯一样,同为当代电光源最新技术的应用成果,它们各有所长,也各有其短,各有自已的应用领域。高频无极灯上市已有7、8年了,作为无极灯的高频功率信号源,绝大多数都是简单的自激式电路。它虽然简单,成本低,但在设计和调试上却是难度较大,开始接触该电路时,以为很容易,进入之后才知道它不是省油的灯,导致许多设计者从‘高频’转向‘低频’,目前低频无极灯的市场在整个行业中所占份额越来越大。与其说是人们觉得低频无极灯的光效比高频无极灯高,不如说是技术难度较低,因为低频无极灯可以使用现成的IC芯片,高频无极灯没有专用芯片。然而,低频无极灯的制造成本较高,而且需要专用灯具,装入灯具之后,出光率却是比高频无极灯低。其实,开发出一个能用于2. 65MHz的IC芯片是完全有可能的,但时至今日,还没有人认真投入。如果有现成的驱动芯片,对高频无极灯来说,不仅电路调整较为容易,而且技术上也得到升级。
技术实现思路
本技术提出一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路,解决了现有技术中无极灯出光率低、电路复杂、体积大、成本高的问题。本技术的技术方案是这样实现的本技术公开了一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路,包括可变频率振荡器,与所述的可变频率振荡器相连的变压器耦合电路,与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路,所述的谐振匹配电路与高频无极灯相连,所述的可变频率振荡器外接图腾柱输出电路,所述的图腾柱输出电路一端与所述的可变频率振荡器驱动输出引脚相连,另一端与所述的变压器耦合电路相连。在本技术所述的高频无极灯电路功率半桥的驱动电路中,所述的高频无极灯电路功率半桥的驱动电路还包括滤波电路,连接于所述的谐振匹配电路及所述的高频无极灯之间,用于对所述的谐振匹配电路进行滤波。在本技术所述的高频无极灯电路功率半桥的驱动电路中,所述的变压器耦合电路具有初级线圈以及与之耦合的两个次级线圈,所述的可变频率振荡器产生的振荡电压通过变压器的初级线圈耦合到两个次级线圈。在本技术所述的高频无极灯电路功率半桥的驱动电路中,所述的谐振匹配电路包括分别属于两个金氧半场效晶体管源极与漏极串接而成的电路。在本技术所述的高频无极灯电路功率半桥的驱动电路中,所述的图腾柱输出电路包括四个三极管,每两个三级管发射极串接后由集电极再次串接。实施本技术的一种闻频无极灯电路功率半桥的驱动电路,具有以下有益的技术效果出光率高、电路简单、造价低、工作可靠。附图说明 为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图I是本技术一种闻频无极灯电路功率半桥的驱动电路功能|旲块意图;图2是本技术一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路第一部分连接示意图;图3为是本技术一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路第二部分连接示意图。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。请参阅图1,本技术的较佳实施例,一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路,包括可变频率振荡器1,与可变频率振荡器I相连的变压器耦合电路2,与变压器耦合电路2相连的谐振匹配电路3,谐振匹配电路3与高频无极灯6相连,可变频率振荡器I外接图腾柱输出电路5,图腾柱输出电路5 —端与可变频率振荡器I驱动输出引脚相连,另一端与变压器耦合电路2相连。在本技术另一实施例中,高频无极灯电路功率半桥的驱动电路还包括滤波电路4,连接于谐振匹配电路3及高频无极灯6之间,用于对谐振匹配电路3进行滤波。其中,变压器耦合电路2具有初级线圈以及与之耦合的两个次级线圈,可变频率振荡器I产生的振荡电压通过变压器的初级线圈耦合到两个次级线圈。谐振匹配电路3包括两个金氧半场效晶体管源极与漏极串接而成的电路。图腾柱输出电路5包括四个三极管,每两个三级管发射极串接后由各自的集电极再次串接。请参阅图2及图3,一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路电路元件图,为了便于说明,分两部分表示,请看图中标识A,需要注意的是,图2与图3本是一个整体的。可变频率振荡器I可由性能电源管理芯片MC33067改造而成,具体地说该IC的特点是‘可变频率振荡器具有可控死区,准确再触发单稳态定时器’,具有温度补偿基准,准确输出钳位的高增益带宽误差放大器,控制触发器两个高电流图腾柱输出,非常适合于驱动功率M0SFET。如果我们将‘可变频率振荡器具有可控死区’改造成‘恒频率振荡器具有可控死区’,就变成一只高频无极灯功率半桥的驱动1C。本技术旨在利用现有的电源管理IC芯片,通过管脚与外围元件的重新搭配,变成一只高频无极灯电路功率半桥的驱动1C。一种高性能谐振型集成控制器MC33067已被成功运用作为2. 65MHz功率半桥的驱动,实验结果证明该方案是可行的。本技术的技术要点是将MC33067的管脚接法稍作调整,某些外围元件重新取值,就变成一只高频无极灯电路功率半桥的驱动1C。将IC的第12、14脚接成图腾柱形式,通过一只隔离变压器接至功率半桥上下臂的输入端。 将‘可变频率振荡器具有可控死区’改造成‘恒频率振荡器具有可控死区’。为此,需要将IC的第5脚(电压基准)接至第7脚(误差放大器),第3脚则从Rvfo电阻断开,独立输出,并通过串接一只IKQ金属氧化膜电阻和一只2. 2KQ的精密可调电位器对地,第6脚、第8脚各通过一个IOK以上的电阻与第6脚相接。这样,就构成一个MOSFET管的驱动1C,它具有可编程的工作频率,适当调整第3脚的精密可调电位器2. 2K Q,就可以很方便地改变工作频率。第I 脚的 R15 = 2. 7KQ , C18 = 271pf ’第 3 脚的 R16 = 3KQ+2. 2KQ 可调电阻,作为频率微调之用。而第16脚的R20为(510Q+2. 2KQ可调电位器),C19 = 9本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路,包括可变频率振荡器,与所述的可变频率振荡器相连的变压器耦合电路,与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路,所述的谐振匹配电路与高频无极灯相连,其特征在于,所述的可变频率振荡器外接图腾柱输出电路,所述的图腾柱输出电路一端与所述的可变频率振荡器驱动输出引脚相连,另一端与所述的变压器耦合电路相连。

【技术特征摘要】
1.一种高频无极灯电路功率半桥的驱动电路,包括可变频率振荡器,与所述的可变频率振荡器相连的变压器耦合电路,与所述的变压器耦合电路相连的谐振匹配电路,所述的谐振匹配电路与高频无极灯相连,其特征在于,所述的可变频率振荡器外接图腾柱输出电路,所述的图腾柱输出电路一端与所述的可变频率振荡器驱动输出引脚相连,另一端与所述的变压器耦合电路相连。2.根据权利要求I所述的高频无极灯电路功率半桥的驱动电路,其特征在于,所述的高频无极灯电路功率半桥的驱动电路还包括滤波电路,连接于所述的谐振匹配电路及所述的高频无极灯之间,用于对所述的谐振...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢立山郑耿标陈裕嘉
申请(专利权)人:深圳市格林莱电子技术有限公司
类型:实用新型
国别省市:

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