在基板上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成彼此分离的第一接地触垫和第二接地触垫；形成填充接地触垫之间的空间的第一分割膜，形成沉积在第一接地触垫的一表面上的第二分割膜，以及形成被沉积在第二接地触垫的一表面上的第三分割膜；在各个分割膜的上部形成具有规定高度的第一间隔层；在形成有第一间隔层的基板上溅射晶种金属；在第一间隔层的上部形成具有规定高度的第二间隔层；对形成有该第二间隔层的基板实施金属电镀工艺，来形成连接到第一、第二接地触垫的第一、第二反射镜；除去第一、第二间隔层；将齐纳二极管连接到第一反射镜上，并将LED连接到第二反射镜上；以及沉积荧光材料，以便填充由第一反射镜与第二反射镜形成的空间。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种LED模块及其制造方法，更具体而言，涉及制造LED模块的LED模块及其制造方法。
技术介绍
在现有的制造LED模块的一般方法中，将LED元件组装在导线架形状的封装之中，并涂布荧光材料来制成独立LED元件，并将该LED元件安装在一 PCB基板的表面上，从而制造出照明用模块。然而，此方法具有如下缺陷，S卩、由于LED元件的发热特性差且发光效率低，并且大小受到制约，因此难以制造出具有现有的照明用灯泡的亮度的照明用模块，且无法降低成本。 为了克服这种问题，公知有一种板上芯片(Chip On Board, COB)的方法，其中，会使用金属基板PCB (Metal Core PCB，MCPCB)基板来去掉封装，而将LED直接组装在该MCPCB基板上。但是，MCPCB虽然具有高导热性，但是其材料相当昂贵，并且为大量生产而必须投资建设经过特殊设计的量产用设备，进一步，在制造MCPCB时，很难实施50um以下的微处理。所以，在制造用于照明的LED模块中，COB方法已经被视为效率低下，而且，MCPCB非常昂贵而不适用于照明用模块。另外，虽然已经有人在研究能够改良元件本身的发光能力的高效率LED单芯片，但是，此芯片却非常昂贵，而且需要用到经过特殊设计的封装来改良它的发热特性，因此它的尺寸也无法缩减，而且组装的成本也非常高。据此，需要一种更有效的LED模块制造方法。
技术实现思路
本专利技术的某些实施例提供一种LED模块以及制造该LED模块的方法，使其能够在制造高灰度LED模块时，通过改良LED元件的发热特性来提高它的发光效率，并且可以将低灰度的LED采用模块形式来制造出廉价且小型的高灰度LED模块。另外，本专利技术的某些实施例提供一种LED模块以及制造该LED模块的方法，使其能通过在每一个LED元件中安装反射板，可提高发光特性，并且可以制造各种形态的模块，从而可以制造出具有各种功能的照明用高灰度LED。再者，本专利技术的某些实施例提供一种LED模块以及制造该LED模块的方法，使其由于采用了半导体工艺，因此易于进行大量生产，可以显著降低模块的缺陷率，且还可以明显降低每个单元的生产成本。为了达到上述目的，根据本专利技术的第一实施方式，提供一种LED模块的制造方法，其包括如下工序在基板上形成绝缘膜；在上述绝缘膜上形成彼此分离的第一接地触垫和第二接地触垫；形成填充上述第一接地触垫和第二接地触垫之间的空间的第一分割膜，形成沉积在上述第一接地触垫的一表面上的第二分割膜，以及形成被沉积在上述第二接地触垫的一表面上的第三分割膜；在上述各个分割膜的上部形成具有规定高度的第一间隔层；在形成有上述第一间隔层的基板上溅射晶种金属；在上述第一间隔层的上部形成具有规定高度的第二间隔层；对形成有该第二间隔层的基板实施金属电镀工艺，来形成连接到上述第一接地触垫的第一反射镜以及连接到上述第二接地触垫的第二反射镜；除去上述第一间隔层和第二间隔层；将齐纳二极管连接到上述第一反射镜上，并将LED连接到上述第二反射镜上；以及沉积荧光材料，以便填充由上述第一反射镜与上述第二反射镜形成的空间。另外，根据本专利技术的第二实施方式，提供一种LED模块的制造方法，其包括如下工序将齐纳二极管于插入基板；在上述基板上形成绝缘膜；在上述绝缘膜上形成彼此分离的第一接地触垫和第二接地触垫；形成填充上述接地触垫之间的空间第一分割膜，形成沉积在上述第一接地触垫的一表面上的第二分割膜，以及形成沉积在上述第二接地触垫的一表面上的第三分割膜；在上述各个分割膜的上部形成具有规定高度的第一间隔层；在形成有上述第一间隔层的基板上溅射晶种金属；在上述第一间隔层的上部形成具有规定高度的第二间隔层；对形成有上述第二间隔层的基板实施金属电镀工艺，来形成连接到上述第一接地触垫的第一反射镜以及连接到上述第二接地触垫的第二反射镜；除去上述第一间隔层 和第二间隔层；将LED连接至上述第二反射镜；以及沉积荧光材料，以便填充由上述第一反射镜和上述第二反射镜所形成的空间。此外，根据本专利技术的第三实施方式，提供一种LED模块，其包括第一接地触垫和第二接地触垫，彼此分离地形成在形成有绝缘膜的基板上；第一反射镜，其一表面连接到上述第一接地触垫；第二反射镜，其一表面连接到上述第二接地触垫；齐纳二极管，其连接到上述第一反射镜；LED,其配置于上述第二反射镜的一部分表面之上；以及突光体,其形成于上述齐纳二极管和上述二极管之上，其中，上述第一反射镜的另一表面和上述第二反射镜的另一表面彼此对置。根据上述的实施方式，能够在制造高灰度LED模块时，通过改良LED元件的发热特性来提高它的发光效率，并且可以将低灰度的LED采用模块形式来制造出廉价且小型的高灰度LED模块。另外，根据上述的实施方式，通过在每一个LED元件中安装反射板，可提高发光特性，并且可以制造各种形态的模块，从而可以制造出具有各种功能的照明用高灰度LED。再者，根据上述的实施方式，由于采用了半导体工艺，因此易于进行大量生产，可以显著降低模块的缺陷率，且还可以明显降低每个单元的生产成本。附图说明图Ia至Ih是表示根据本专利技术一实施例的LED模块的制造方法的示意图；图2为表示根据本专利技术一实施例的LED模块的剖面图；图3a至3c为表示根据本专利技术另一实施例的LED模块的制造方法的示意图；图4表示根据本专利技术一实施例的LED模块的制造方法的流程图。具体实施例方式下面，将参考附图来详细说明本专利技术的实施例，、使得本领域普通技术人员可轻易地施行本专利技术。然而，应该注意的是，本专利技术并不受限于这些实施例，确切地说，可以以各种其它方式来实现。另外，在附图中，为简化解释起见，和说明无关的部分会被省略，而且在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的部件。在整份文件个说明书中，用于表示其中一元件连接至或耦合至另一元件的“被连接到至”或是“被耦合至”等用词包含下面两种情况一个元件“直接被连接到至或是被耦合至”另一元件；以及一个元件经透过其它又一元件“被电子连接至或是被电子耦合到至”另一元件。进一步言之，本文件说明书中所使用的“包括或包含”等用词的意义为，除了本文所述的组件、工序、操作、及/或元件之外，并不排除存在或加入一或多个组件、工序、操作、及/或元件(有特别的相反的记载时除外)。图Ia至Ih表示根据本专利技术一实施例的LED模块的制造方法的示意图。根据本专利技术一实施例的LED模块包含包括第一接地触垫142和第二接地触垫144，彼此分离地位于其上形成在形成有一绝缘膜120的基板110上彼此分离的第一接地触垫142和第二接地触垫144 ;第一反射镜182，其一表面会连接到该第一接地触垫142 ;第二 反射镜184，其一表面会连接该到第二接地触垫144 ;齐纳二极管191，其连接到该第一反射镜182 ;LED192，其会被定位配置于在该第二反射镜184的一部分表面之上；以及194荧光体194，其会被形成在该齐纳二极管191与LED192之上，而且该第一反射镜182的另一表面和该第二反射镜184的另一表面可形成为彼此对置。下面，将更详细地说明该LED模块的制造方法。首先，如图Ia中所描绘所示，在该基板110上形成该绝缘膜120会被形成在该基板110之上。明确具体而言地说，在Si基板110之上沉积Al金属会被，沉积在Si基本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2010.03.19 KR 10-2010-00248621.一种LED模块的制造方法，其包括如下工序 在基板上形成绝缘膜； 在上述绝缘膜上形成彼此分离的第一接地触垫和第二接地触垫； 形成填充上述第一接地触垫和第二接地触垫之间的空间的第一分割膜，形成沉积在上述第一接地触垫的一表面上的第二分割膜，以及形成被沉积在上述第二接地触垫的一表面上的第三分割膜； 在上述各个分割膜的上部形成具有规定高度的第一间隔层； 在形成有上述第一间隔层的基板上溅射晶种金属； 在上述第一间隔层的上部形成具有规定高度的第二间隔层； 对形成有该第二间隔层的基板实施金属电镀工艺，来形成连接到上述第一接地触垫的第一反射镜以及连接到上述第二接地触垫的第二反射镜； 除去上述第一间隔层和第二间隔层； 将齐纳二极管连接到上述第一反射镜上，并将LED连接到上述第二反射镜上；以及 沉积荧光材料，以便填充由上述第一反射镜与上述第二反射镜形成的空间。2.根据权利要求I所述的制造方法，其中，形成上述第一间隔层的工序包括如下工序 在形成有上述分割膜的基板上沉积第一光刻胶层；以及 蚀刻上述第一光刻胶层，以使露出上述第一接地触垫与第二接地触垫的一部分。3.根据权利要求I所述的制造方法，其中，形成上述第二间隔层的工序中，通过上述第二间隔层来覆盖形成在上述第一分割膜上的第一间隔层的整个上表面。4.根据权利要求I所述的制造方法，其中，形成上述第二间隔层的工序中，通过上述第二间隔层使形成在上述第二分割膜与第三分割膜之上的第一间隔层的部分上表面露出。5.根据权利要求I所述的制造方法，其中，形成上述第二间隔层的工序包括如下工序 在上述实施了溅射的基板上沉积第二光刻胶层；以及 蚀刻上述第二光刻胶层，以使露出上述第一接地触垫与第二接地触垫的一部分，并使上述第二光刻胶层覆盖形成在上述第一分割膜上的第一间隔层的整个上表面。6.根据权利要求I所述的制造方法，其中，形成上述绝缘膜的工序包括如下工序 在上述基板之上形成阳极氧化招(Anodic Aluminum Oxide, AAO)层，并在上述阳极氧化铝层的上端沉积氧化硅(Si02)层。7.根据权利要求I所述的制造方法，其中，形成上述第一接地触垫和第二接地触垫的工序包括如下工序 在上述绝缘膜之上溅射晶种金属，并实施用以制造上述第一接地触垫和第二接地触垫的构图工艺和金属电镀工艺。8.根据权利要求7所述的制造方法，其中，作为上述晶种金属采用Ti或Au，而Cu或Au使用于上述金属电镀工艺中。9.根据权利要求I所述的制造方法，其中，上述第一分割膜至第三分割膜是在上述第一接地触垫和第二接地触垫之上涂布聚合物而形成的。10.根据权利要求I所述的制造方法，其中，上述第一反射镜和第二反射镜是在形成有上述第二间隔层的基板上电镀Ni、Su、Cu、Au以及Ag之中的一个以上而形成的。11.一种LED模块的制造方法，其包括如下工序将齐纳二极管于插入基板； 在上述基板上形成绝缘膜； 在上述绝缘膜上形成彼此分离的第一接地触垫和第二接地触垫； 形成填充上...
【专利技术属性】
技术研发人员：李源祥，金永根，
申请(专利权)人：大元创新科技有限公司，
类型：
国别省市：
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