晶片封装体及其形成方法技术

本发明专利技术提供一种晶片封装体及其形成方法，该晶片封装体包括：一基底，具有多个侧边及多个转角区，其中每一所述转角区位于该基底的所述侧边中的至少其中两个的交叉处；一元件区，形成于该基底之中；一导电层，设置于该基底之上，且电性连接该元件区；一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；以及一承载基底，其中该基底设置于该承载基底之上，且该基底于所述转角区的至少其中之一处具有朝该承载基底延伸的一凹陷。本发明专利技术能够提升晶片封装体的可靠度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术有关于晶片封装体，且特别是有关于以晶圆级封装制程所形成的晶片封装体。
技术介绍
晶片封装制程是形成电子产品过程中的一重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。为了提高晶片封装体的可靠度与效能，业界亟需改进的晶片封装体及其制程。
技术实现思路
本专利技术一实施例提供一种晶片封装体，包括一基底，具有多个侧边及多个转角区，其中每一所述转角区位于该基底的所述侧边中的至少其中两个的交叉处；一元件区，形成于该基底之中；一导电层，设置于该基底之上，且电性连接该元件区；一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；以及一承载基底，其中该基底设置于该承载基底之上，且该基底于所述转角区的至少其中之一处具有朝该承载基底延伸的一凹陷。本专利技术所述的晶片封装体，该凹陷露出该承载基底。本专利技术所述的晶片封装体，该凹陷的一侧壁倾斜于该基底的所述侧边中的至少其中两个。本专利技术所述的晶片封装体，该凹陷具有一侧壁，且该侧壁具有一圆弧状轮廓。本专利技术所述的晶片封装体，该基底的至少一所述侧边在该承载基底的一表面上的一投影重叠于该承载基底的至少一侧边。本专利技术所述的晶片封装体，该基底的至少一所述侧边在该承载基底的一表面上的一投影不与该承载基底的所有侧边重叠。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一保护层，设置于该基底之上。本专利技术所述的晶片封装体，该保护层的至少一侧边在该基底的一表面上的一投影不与该基底的所述侧边重叠。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一间隔层，设置于该基底与该承载基底之间。本专利技术所述的晶片封装体，该凹陷露出该间隔层。本专利技术所述的晶片封装体，还包括一孔洞，自该基底的一表面朝该承载基底延伸，其中部分的该导电层位于该孔洞之中。本专利技术一实施例提供一种晶片封装体的形成方法，包括提供一基底，该基底具有多个侧边及多个转角区，其中每一所述转角区位于该基底的所述侧边中的至少其中两个的交叉处，其中该基底中具有一兀件区；提供一承载基底；将该基底设置于该承载基底之上；于该基底之上形成一绝缘层；于该基底上的该绝缘层之上形成一导电层，其中该导电层电性连接该元件区；以及自该基底的所述转角区中的至少其中之一移除部分的该基底以形成朝该承载基底延伸的一凹陷。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，还包括沿着该基底的多个预定切割道进行一切割制程以形成彼此分离的多个晶片封装体。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该切割制程包括先切割该基底，接着切割该承载基底或先切割该承载基底，接着切割该基底。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该凹陷的形成方法包括以一切割制程、一蚀刻制程、或前述的组合移除部分的该基底。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，还包括移除部分的该基底而使该基底的至少一所述侧边在该承载基底的一表面上的一投影不与该承载基底的所有侧边重叠。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，还包括自该基底的一表面移除部分的该基底以形成朝该承载基底延伸的一孔洞；以及在形成该孔洞之后，于该基底上形成该绝缘层及于该绝缘层之上形成该导电层，其中部分的该绝缘层及部分的该导电层位于该孔洞之中。 本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该孔洞与该凹陷同时形成。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，该凹陷的形成方法包括以ー第一刀片沿着该基底的多个预定切割道进行一切割制程以移除部分的该基底；以及以一第二刀片沿着该基底的所述预定切割道进行ー第二切割制程以切断该基底及该承载基底，其中该第一刀片的宽度大于该第二刀片的宽度。本专利技术所述的晶片封装体的形成方法，还包括于该基底的一表面上形成一保护层，其中该保护层的至少ー侧边在该基底的该表面上的一投影不与该基底的所述侧边重叠。本专利技术能够提升晶片封装体的可靠度。附图说明图1A-1B显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的制程剖面图。图2A及2B分别显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的俯视图及立体示意图。图3显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的俯视图。图4显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的俯视图。图5A及5B分别显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体的俯视图及立体示意图。附图中符号的简单说明如下20,50 :凹陷;100、100’ :基底；102 :元件区；104 :绝缘层；106 :导电垫结构；108 间隔层；110 :承载基底；112 :孔洞；114 :绝缘层；116 :导电层；118 :保护层；120 :导电结构;SC :切割道。具体实施例方式以下将详细说明本专利技术实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本专利技术提供许多可供应用的专利技术概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本专利技术的特定方式，非用以限制本专利技术的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本专利技术，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间必然具有任何关连性。再者，当述及ー第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。本专利技术ー实施例的晶片封装体可用以封装影像感测晶片。然其应用不限于此，例如在本专利技术的晶片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源元件或无源元件(activeor passive elements)、数字电路或模拟电路(digital or analog circuits)等集成电路的电子元件(electronic components),例如是有关于光电元件(opto electronicdevices)、微机电系统(Micro Electro Mechanical System;MEMS)、微流体系统(microfluidic systems)、或利用热、光线及压力等物理量变化来测量的物理感测器(PhysicalSensor)。特别是可选择使用晶圆级封装(wafer scale package;WSP)制程对影像感测元件、发光二极管(light-emitting diodes; LEDs)、太阳能电池(solar cells)、射频元件(RFcircuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、微制动器(micro actuators) >表面声波兀件(surface acoustic wave devices)、压カ感测器(process sensors)喷墨头(ink printer heads)、或功率晶片模组(power IC modules)等半导体晶片进行封装。其中上述晶圆级封装制程主要指在晶圆阶段完成封装步骤后，再予以切割成独立 的封装体，然而，在一特定实施例中，例如将已分离的半导体晶片重新分布在一承载晶圆上，再进行封装制程，亦可称之为晶圆级封装制程。另外，上述晶圆级封装制程亦适用于借堆叠(stack)方式安排具有集成电路的多片晶圆，以形成多层集成电路(multi-layerintegrated circuit devices)的晶片封装体。在ー实施中，上述切割后的封装体为一晶片尺寸封装体(CSP;chip scale package)。晶片尺寸封装体(CSP)的尺寸可仅略大于所封装的晶片。例如，晶片尺寸封装体的尺寸不大于所封装晶片的尺寸的120%。图1A-1B显示根据本专利技术一实施例的晶片封装体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片封装体，其特征在于，包括：一基底，具有多个侧边及多个转角区，其中每一所述转角区位于该基底的所述侧边中的至少其中两个的交叉处；一元件区，形成于该基底之中；一导电层，设置于该基底之上，且电性连接该元件区；一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；以及一承载基底，其中该基底设置于该承载基底之上，且该基底于所述转角区的至少其中之一处具有朝该承载基底延伸的一凹陷。

【技术特征摘要】
2011.06.16 US 61/497,8501.一种晶片封装体，其特征在于，包括 一基底，具有多个侧边及多个转角区，其中每一所述转角区位于该基底的所述侧边中的至少其中两个的交叉处； 一元件区，形成于该基底之中； 一导电层，设置于该基底之上，且电性连接该元件区； 一绝缘层，设置于该基底与该导电层之间；以及 一承载基底，其中该基底设置于该承载基底之上，且该基底于所述转角区的至少其中之一处具有朝该承载基底延伸的一凹陷。2.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，该凹陷露出该承载基底。3.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，该凹陷的一侧壁倾斜于该基底的所述侧边中的至少其中两个。4.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，该凹陷具有一侧壁，且该侧壁具有一圆弧状轮廓。5.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，该基底的至少一所述侧边在该承载基底的一表面上的一投影重叠于该承载基底的至少一侧边。6.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，该基底的至少一所述侧边在该承载基底的一表面上的一投影不与该承载基底的所有侧边重叠。7.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一保护层，设置于该基底之上。8.根据权利要求7所述的晶片封装体，其特征在于，该保护层的至少一侧边在该基底的一表面上的一投影不与该基底的所述侧边重叠。9.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一间隔层，设置于该基底与该承载基底之间。10.根据权利要求9所述的晶片封装体，其特征在于，该凹陷露出该间隔层。11.根据权利要求I所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一孔洞，自该基底的一表面朝该承载基底延伸，其中部分的该导电层位于该孔洞之中。12.—种晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括 提供一基底，该基底具有多个侧边及多个转角区，其中每一所述转角区位于该基底的所述侧边中的至少其中两个的交叉处，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：颜裕林，陈键辉，刘沧宇，何彦仕，
申请(专利权)人：精材科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：