【技术实现步骤摘要】
本专利技术用于存储器的设计，提出了一种在同一芯片上实现两种接口规范FLASH存储器件的方法，能提高系统集成度。
技术介绍
在很多嵌入式系统应用中，需要同时用到NOR和NAND两种规范的FLASH(闪存)存储器。而最新的设计手段使得可以通过周边电路的手段，在NAND工艺上，用NAND的存储单元，实现NOR规范FLASH的功能。
技术实现思路
本专利技术采用NAND工艺和同样或类似的NAND存储单元的芯片上，通过周边电路设 计，同时实现符合一种或多种NOR接口规范和NAND规范的存储器，其中包括但不限于 -类似SRAM接口的伪-NOR -串行接口的伪NOR -一种或多种专用接口规范的NAND -串行接口的NAND 在本专利技术下，同一总量的存储单元阵列，可对应于二个或多个上述逻辑定义上的存储器，而个逻辑存储器的大小和总数是可重构的。附图说明图I是按照本专利技术实现的记忆芯片的架构图，其中 A是缓冲区；B是储存单元阵列；C是ECC ；X1,…Xn是CTRL ；Y1,…Yn是10。具体实施例方式本专利技术的基本框架为芯片有记忆单元阵列、缓存区、ECC控制器(若需)和若干控制/10单元组成。每个控制/10单元对应特定的IO协议规范，控制对芯片的读写操作，控制在缓冲区对数据进行不同字节和地址区间的转换。每个控制单元可以按重构需要被使能或使不能。如果需要，缓冲区也可以设计为重构的；如果需要，ECC控制器和IO控制器们可共享缓冲区。
【技术保护点】
一种可重构的在同一芯片上实现NAND和伪NOR？FLASH的存储芯片。
【技术特征摘要】
1.一种可重构的在同一芯片上实现NAND和伪NOR FLASH的存储芯片。2.一种符合专利要求I的设计，其特征在于，采用NAND工艺和同样或类似的NAND存储单元的芯片上，通过周边电路设计，同时实现符合一种或多种NOR接口规范和NAND规范的存储器。3.一种符合专利要求2的设计，其特征在于，本发明可实现包括但不限于I)类似SRAM接口的伪_N0R，2)串行接口的伪N0R，3) —种或多种专用接口规范的NAND，4)串行接口的NAND。4.一种符合专利要求2的设计，其特征在于，同一总量的存储单元阵列，可对应于二个或多个上述逻辑定义上的存...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：上海摩晶电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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