本发明专利技术公开了一种高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法，在生产工艺步骤中增加腔体检漏工艺，腔体检漏工艺自动执行并实时报警；当腔体检漏工艺得到的测量结果超标时，高密度等离子体化学气相淀积设备发出警报并使生产工艺步骤停止执行；当腔体检漏工艺得到的测量结果正常时，生产工艺步骤继续执行。本发明专利技术能降低检漏的时间、提高设备的产能，能够使检漏的实施达到可控并能通过自动的规格管理来有效避免产品事故的发生，使产品的质量得到保证。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造工艺方法，特别是涉及一种。
技术介绍
随着半导体产品的不断精细化发展，对高密度等离子体化学气相淀积(High-Density Plasma Chemical Vapor Deposition,HDP CVD)工艺的要求也在不断提高。其中，HDP CVD设备的腔体的泄露对产品影响也越来越大，例如有些制品已经无法承受HDPCVD设备腔体的约5sCCm即占反应物2%的微漏异常了，为了防止由于上述腔体的泄露原因而导致的产品质量事故的发生，现有HDP CVD设备的腔体检漏(Leak Check)方法是采用手动检漏，即每天在进行一次手动检漏，如果手动检漏的结果正常，则HDP CVD设备的腔体就能够进行产品的生产。HDP CVD设备的工艺生产都是采用自动化生产，当HDP CVD设备的腔 体处于联机(online)状态时，硅片即产品能够自动进入所述腔体中进行薄膜的生长，所述产品在所述腔体中的生长工艺步骤由HDP CVD设备的电脑的控制，所述电脑的控制是采用编好的程序对所述生产工艺步骤进行实时控制。采用现有手动检漏方法进行检漏测试时，产品不能进入到所述腔体中，故需要在检漏前将腔体切换到脱机(off-line)状态，使产品不进入到所述腔体中，之后再进行检漏测试。现有手动检漏方法在检漏测试时，是先将所述腔体抽到底压，所述底压为所述高密度等离子体化学气相淀积设备的真空设备将所述腔体抽到的最低压强；再将所述腔体的阀门关闭；在间隔相同的不同的时间点对所述腔体的压强进行检测，并用两相邻时间点间的压强差除以时间差计算出各时间段之间的漏率值，用所计算出的各所述漏率值取平均得到所述漏率的平均值。最后以所述漏率的平均值作为测量结果，并与规格进行比较，如果测量结果在规格内，则将所述腔体切换到联机状态，进行产品的生产。上面所述的现有手动检漏方法的缺点有I、因为需要靠人工进行现场检测，不仅会增加工作人员的工作量，而且还会存在漏检的风险以及容易出现误操作。这样就会使实际执行情况很难跟踪，不能避免由于泄露原因而导致的产品质量事故的发生，最终会影响到产品的质量，造成巨大损失。2、当随着产品对漏率的要求越来越高时，测量结果的规格也会越来越严，且各种不同工艺的产品的规格也会不一样，工作人员容易将各种产品工艺的规则值搞混从而会使测量结果是否满足规格不能得到有效控制。这样也同样不能避免由于泄露原因而导致的产品质量事故的发生。3、由于现有技术需要将腔体进行脱机、联机的切换，以及多次漏率的计算，会使现有技术所耗费的时间较长，采用现有方法平均每个腔体需要花费的时间要大于15分钟，这会使大大降低HDP CVD设备的产能
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种，能降低检漏的时间、提高设备的产能，能够使检漏的实施达到可控并能通过自动的规格管理来有效避免产品事故的发生，使产品的质量得到保证。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种，在生产工艺步骤中增加腔体检漏工艺，所述腔体检漏工艺自动执行并实时报警；当所述腔体检漏工艺得到的测量结果超标时，高密度等离子体化学气相淀积设备发出警报并使所述生产工艺步骤停止执行；当所述腔体检漏工艺得到的测量结果正常时，所述生产工艺步骤继续执行。进一步的改进是，所述腔体检漏工艺包括如下步骤步骤一、将所述高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体抽到极限真空，所述极限真空为所述高密度等离子体化学气相淀积设备的真空设备将所述腔体抽到的最低压强。步骤二、将所述腔体的所有阀门关闭并保持一段时间。 步骤三、对所述腔体的压强进行测量；当所测量的压强值小于压强规格值时，所述测量结果正常；当所测量的压强值大于等于压强规格值时，所述测量结果超标。进一步的改进是，步骤二中的保持时间能根据所对应的生产工艺分别进行设定，保持时间要求保证所述测量结果的准确。更优选择为，步骤二中的保持时间设定为10秒 60秒。进一步的改进是，步骤三中所述压强规格值能根据所对应的生产工艺分别进行设定，所述压强规格值要求保证所述腔体的泄露不会对产品的质量产生影响。更优选择为，步骤三中所述压强规格值设定为I毫托 3毫托。本专利技术通过将所述腔体检漏工艺整合到所述生产工艺步骤中，能够使腔体检漏也实现自动化，不需要对腔体进行脱机、联机的切换，能降低检漏的时间、提高设备的产能，能够使检漏的实施达到可控并能通过自动的规格管理来有效避免产品事故的发生，使产品的质量得到保证。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明图I是本专利技术实施例的腔体检漏工艺的流程图。具体实施例方式本专利技术实施例是在生产工艺步骤中增加腔体检漏工艺，所述腔体检漏工艺自动执行并实时报警；当所述腔体检漏工艺得到的测量结果超标时，高密度等离子体化学气相淀积设备发出警报并使所述生产工艺步骤停止执行；当所述腔体检漏工艺得到的测量结果正常时，所述生产工艺步骤继续执行。如图I所示，是本专利技术实施例的腔体检漏工艺的流程图。如表一所示，为本专利技术实施例的腔体检漏工艺的各步骤的参数设定，其中腔体检漏工艺在表一中的名称为PHO，Bass-Pressure、Ke印和Leak check分别表不步骤一、二和三。其中 Step End Control、Maximum Step time、Pressure Control为各步骤中都有的三个工艺条件,Step End Control表示各步骤的结束条件、Maximum Step time表示各步骤的时间设置、Pressure Control表示各步骤的压力控制设置。所述腔体检漏工艺包括如下步骤步骤一、将所述高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体抽到极限真空，所述极限真空为所述高密度等离子体化学气相淀积设备的真空设备将所述腔体抽到的最低压强。如表一所示，其中By time表示步骤一是按时间的条件结束的,且步骤一中的结束时间是IOs ;TTVF0表示步骤一中所有阀门都打开。其中的结束时间是可以根据实际的生产工艺进行更改。步骤二、将所述腔体的所有阀门关闭并保持一段时间。保持时间能根据所对应的生产工艺分别进行设定，保持时间要求保证所述测量结果的准确，其中所述保持时间最好设定为10秒 60秒。如表一所示，其中By time表示步骤二是按时间的条件结束的,且步骤一中的结束时间是15s、即保持时间为15s ；TTV Closed表示步骤二中所有阀门都关闭。其中的保持时间是可以根据实际的生产工艺进行更改。步骤三、对所述腔体的压强进行测量；当所测量的压强值小于压强规格值时，所述测量结果正常；当所测量的压强值大于等于压强规格值时，所述测量结果超标。所述压强规 格值能根据所对应的生产工艺分别进行设定，所述压强规格值要求保证所述腔体的泄露不会对产品的质量产生影响，其中所述压强规格值最好设定为I毫托 3毫托。如表一所示，其中Pressure < ImT表示步骤三是按压力的条件结束的，ImTorr即为所述压强规格值，当所述腔体的压强大于ImTorr时，所述高密度等离子体化学气相淀积设备发出警报并使所述生产工艺步骤停止执行。当所述腔体的压强小于lmTorr时，步骤三会于5s后结束，步骤三后的其它所述生产工艺步骤继续执行。TTV Closed表示步骤三中所有阀门都关闭。其中的压强规格值、运行时本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高密度等离子体化学气相淀积设备的腔体检漏方法，其特征在于：在生产工艺步骤中增加腔体检漏工艺，所述腔体检漏工艺自动执行并实时报警；当所述腔体检漏工艺得到的测量结果超标时，高密度等离子体化学气相淀积设备发出警报并使所述生产工艺步骤停止执行；当所述腔体检漏工艺得到的测量结果正常时，所述生产工艺步骤继续执行。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨继业，孙玲玲，王炜，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：
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