液状组合物及金属基电路基板制造技术

一种液状组合物，其包含液晶聚酯、溶剂和体积平均粒径为10μm以上且80μm以下的氮化硼，该氮化硼的含量相对于该液晶聚酯及该氮化硼的总计含量为30～90体积％。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及包含液晶聚酯、溶剂及导热填充材料的液状组合物、和使用了该液状组合物的金属基电路基板。其中，“导热填充材料”是指具有导热性的无机或有机的填充材料(填料)。本申请基于2010年3月24日在日本申请的特愿2010-068780号而主张优先权，在这里引用其内容。
技术介绍
近年，对应于功率晶体管或混合IC的高密度安装化的发展，提出考虑了由这些发热部件产生的热的金属基电路基板(例如，金属基布线基板或金属基基板)。例如，如专利 文献1、2中公开的那样，报道了为了提高金属基电路基板的放热性而使安装部件的工作稳定，使夹在金属基板(例如，也称为金属基)与电路形成用的导电箔(例如，金属箔或金属薄层)之间的绝缘膜(例如，粘接剂层)中含有导热填充材料(例如，无机粉末或球状无机填充材料)的技术。在专利文献1、2中，作为绝缘膜，使用由环氧树脂等高分子化合物形成的绝缘膜，作为导热填充材料，使用氧化铝、氮化铝、氮化硼或其它的化合物。另一方面，已知液晶聚酯与环氧树脂等相比热导率高，考虑作为构成金属基电路基板的绝缘膜的材料来利用。现有技术文献专利文献专利文献I :日本特开平4-323889号公报(段落〔0004〕〔0006〕〔0007〕的栏)专利文献2 :日本特开平5-167212号公报(段落〔0007〕〔0008〕的栏)
技术实现思路
专利技术所要解决的问题然而，使用由液晶聚酯形成的绝缘膜来构成金属基电路基板时，若为了进一步提高热导率而在绝缘膜中高填充导热填充材料，则伴随于此绝缘膜其中的液晶聚酯与导电箔的接触面积实质上减少而密合性变差。该导电箔由于在电路图案的形成时有加工成微细形状的倾向，所以必须确保即使形成微细的图案也不会从绝缘膜剥离那样的密合性。本专利技术者们发现，特别是作为导热填充材料使用氮化硼时，利用氮化硼的纵取向能够达成以Bruggeman的式子预期以上的高热导率。可是，若在绝缘膜中高填充氮化硼，贝U伴随于此上述绝缘膜如上所述，其中的液晶聚酯与导电箔的接触面积实质上减少而密合性变差。因此，本专利技术鉴于这样的情况，第I目的在于提供可以适宜作为不仅导热性优异、而且与导电箔的密合性也优异的绝缘膜的材料使用的液状组合物，此外，第2目的在于提供具备由这样的液状组合物形成的绝缘膜的放热性高的金属基电路基板。用于解决问题的方法为了达成所述的目的，本专利技术者发现，由在液晶聚酯中含有氮化硼作为导热填充材料的液状组合物形成的绝缘膜中，其热导率及密合强度较大地依赖于氮化硼的粒径。并且，为了提高绝缘膜的热导率及密合强度，着眼于使用大粒径的氮化硼作为导热填充材料，从而完成本专利技术。S卩，本专利技术的第I方案是一种液状组合物，其包含液晶聚酯、溶剂和体积平均粒径为10 μ m以上且80 μ m以下的氮化硼，上述氮化硼的含量相对于上述液晶聚酯及上述氮化硼的总计含量为30 90体积％。此外，本专利技术的第2方案是一种液状组合物，其中，除上述第I方案的构成以外，上述液晶聚酯是具有下述式(I)所示的第I结构单元、下述式(2)所示的第2结构单元和下述式(3)所示的第3结构单元，且相对于全部结构单元的总计含量，上述第I结构单元的含量为30 80摩尔％，上述第2结构单元的含量为35 10摩尔％，及上述第3结构单元的含量为35 10摩尔％的液晶聚酯(I)-O-Ar1-CO-^ (2)-CO-Ar2-CO-及(3) -X-Ar3-Y-(式中，Ar1表示1，4_亚苯基、2，6_萘基或4，4’-亚联苯基；Ar2表示1，4_亚苯基、1，3-亚苯基或2，6-萘基；Ar3表示1，4-亚苯基或1，3_亚苯基；X表示-NH- ;Y表不 _0_ 或-NH-O )ο此外，本专利技术的第3方案是一种液状组合物，其中，除上述第I或第2方案的构成以外，上述氮化硼为二次聚集体粒子。进而，本专利技术的第4方案是一种金属基电路基板，其具有金属基板、设置在该金属基板上的绝缘膜和设置在该绝缘膜上的电路形成用的导电箔，上述绝缘膜是从上述第I 第3中的任一方案所述的液状组合物的流延物中除去溶剂而形成的绝缘膜。专利技术的效果根据本专利技术，能够提供一种液状组合物，其即使在液晶聚酯中高填充导热填充材料的情况下，通过使用大粒径的氮化硼作为该导热填充材料，也可以适宜作为导热性及密合性优异的绝缘膜的材料使用。此外，通过具备由这样的液状组合物形成的绝缘膜，能够提供放热性高的金属基电路基板。附图说明图I是本专利技术的实施方式I所述的金属基电路基板的截面图。具体实施例方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。将本专利技术的实施方式I不于图I中。在该实施方式I中，作为导电箔的一个例子使用铜箔5。〈金属基电路基板的构成〉该实施方式I所述的金属基电路基板1，如图I所示那样具有金属基板2，在金属基板2的表面(图I的上面)层叠有绝缘膜3。进而，在绝缘膜3的表面(图I的上面)层叠有铜箔5。其中，金属基板2例如由铝、铜、不锈钢或它们的合金等形成，可以使用与以往的金属基电路基板相同的物质。此外，金属基板2的厚度例如为O. 5 5_。另外,金属基板2可以是平板状，也可以弯曲加工成任意的曲面状。此外，绝缘膜3由含有导热填充材料的液晶聚酯形成。关于该导热填充材料在后面叙述。进而，在铜箔5上通过例如蚀刻等形成电路的布线图案。并且，使用该布线图案，在金属基电路基板I上安装电子部件(未图示)。此外，铜箔5的厚度例如为30 500 μ m。<液晶聚酯>构成绝缘膜3的液晶聚酯是在熔融时显示光学各向异性、在450°C以下的温度下 形成各向异性熔融体的液晶聚酯。在该实施方式I中，使用将液晶聚酯溶解到溶剂中而得到的溶液(液晶聚酯溶液)，形成绝缘膜3。该液晶聚酯优选为具有下述式(I)所示的第I结构单元、下述式(2)所示的第2结构单元和下述式(3)所示的第3结构单元，且相对于全部结构单元的总计含量，上述第I结构单元的含量为30 80摩尔％，上述第2结构单元的含量为35 10摩尔％，上述第3结构单元的含量为35 10摩尔％的液晶聚酯。(I)-O-Ar1-CO'(2) -CO-Ar2-CO-及(3) -X-Ar3-Y-其中，上述Ar1表示1，4_亚苯基、2，6_萘基或4，4’_亚联苯基。此外，上述Ar2表示1，4_亚苯基、1，3_亚苯基或2，6_萘基。进而，上述Ar3表示1，4-亚苯基或1，3-亚苯基。此外，上述X表示-NH-, Y表示-O-或-NH-。上述第I结构单元是来自芳香族羟基酸的结构单元；上述第2结构单元是来自芳香族二羧酸的结构单元；上述第3结构单元是来自芳香族二胺、具有羟基(羟基)的芳香族胺、或芳香族氨基酸的结构单元，但是也可以使用它们的酯形成性衍生物来代替它们。作为羧酸的酯形成性衍生物，可列举出例如促进羧基生成聚酯的反应那样的形成酰氯化物、酸酐等反应活性高的基团的衍生物；羧基与通过酯交换反应而生成聚酯那样的醇类或乙二醇等形成酯的衍生物等。作为酚性羟基的酯形成性衍生物，可列举出例如像通过酯交换反应而生成聚酯那样，酚性羟基与羧酸类形成酯的衍生物等。作为氨基的酯形成性衍生物，可列举出例如像通过酯交换反应而生成聚酯那样，氨基与羧酸类形成酯的衍生物等。作为本专利技术中使用的液晶聚酯的重复结构单元，可例示出下述的结构单元，但是不限定于这些。作为第I结构单元，可列举出例如来自对羟基苯甲酸、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫越亮，近藤刚司，小山信明，许斐和彦，
申请(专利权)人：住友化学株式会社，日本发条株式会社，
类型：
国别省市：