本发明专利技术公开了一种氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。该氮化硅膜包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。通过在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及太阳能电池
，具体而言，涉及一种氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池。
技术介绍
目前适合于太阳能电池的减反射膜主要有Si02、Ti02、SiNx等薄膜，但是SiO2的折射率太低(约为I. 46)，不利于光学减反射；而1102的折射率虽接近太阳能电池的最佳光学减反射膜的折射率，但没有表面钝化作用；SiNx的折射率为2. O 2. 2，透明波段中心与太阳光的可见光光谱波段(550nm)吻合，此外，SiNx还有介电常数高、碱离子阻挡能力强、质硬耐磨等优点，是太阳能电池理想的减反射及钝化膜，加之氮化硅膜因具有良好的绝缘性、化学稳定性和致密性而被广泛地用于半导体的绝缘介质层或钝化层。氮化硅膜有助于减少 晶体硅太阳能电池中的少子复合和光的反射损失进而提高太阳能电池的转换效率。制备SiNx薄膜的方法很多，以化学气相沉积法为主，其中主要包括常压化学气相沉积(APCVD)、低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)。由于PECVD法沉积的氮化硅膜具有沉积温度低、沉积速度快、薄膜质量好、工艺简单易于工人操作等优点，所以被广泛应用于晶体硅太阳能电池产业中。等离子增强型化学气相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, PECVD)是借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离进而在局部形成等离子体，因等离子化学活性很强，容易发生反应，容易在基片上沉积出所期望的薄膜。通过调整31!14和见13的流量，可以改变SiNx薄膜中的Si和N的比例，控制薄膜的折射率位于I. 8-2. 3之间，以获得更好的钝化和减反射效果。因此，PECVD法沉积SiNx薄膜在太阳能电池减反射膜的制备方面有很大的优势和潜力。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种氮化硅膜、制备方法及含有氮化硅膜的硅片和太阳能电池，该氣化娃I旲能够提闻纯化和减反射效果，进而提闻娃太阳能电池的转换效率。为了实现上述目的，根据本专利技术的一个方面，提供了一种氮化硅膜，包括依次设置在硅片上的钝化层和减反射膜层，氮化硅膜的厚度为80 90nm，折射率为2. 08 2. 12，减反射膜层包括第一减反射膜层和设置在第一减反射膜层上的第二减反射膜层。进一步地，氮化硅膜的折射率沿着远离硅片的方向依次递减。进一步地，第一减反射膜层的厚度为20 30nm ;第二减反射膜层的厚度为40 60nm ;第二减反射膜层的折射率比第一减反射膜层的折射率小O. 5。进一步地，第一减反射膜层的厚度为30nm，第二减反射膜层的厚度为40nm。进一步地，第一减反射膜层的折射率为2. 10 2. 15 ;第二减反射膜层的折射率为2.05 2. 10。根据本专利技术的另一方面，提供了上述任一种氮化硅膜的制备方法，利用PECVD法在硅片上依次沉积一层钝化层和两层减反射膜层。进一步地，利用PECVD法在硅片上沉积氮化硅膜的步骤包括沉积钝化层，控制SiH4和NH3的流量比为I : 2. 5 3. 5，沉积时间为130 200s ;沉积第一减反射膜层，控制SiH4和NH3的流量比为I : 5 8，沉积时间为150 200s ;以及沉积第二减反射膜层，控制SiH4和NH3的流量比为I : 11 14，沉积时间为400 500s。根据本专利技术的又一方面，提供了一种太阳能电池用硅片，硅片上设置有上述任一种的氮化硅膜。根据本专利技术的再一方面，提供了一种太阳能电池，包括硅片，其中硅片为上述的太阳能电池用硅片。应用本专利技术的技术方案，在硅片上设置具有 一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本专利技术的进一步理解，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中图I示出了根据本专利技术典型实施例的氮化硅膜的断面结构示意图；图2示出了具有本专利技术的氮化硅膜的硅片与具有对比例I中的氮化硅膜的硅片的性能对比示意图；图3示出了本专利技术的实施例3中的氮化硅膜与对比例I中的氮化硅膜的反射谱线的对比示意图；以及图4示出了本专利技术的具有不同厚度减反射膜层的硅片与对比例2中具有一层减反射膜层的硅片的性能对比示意图。具体实施例方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本专利技术。如图I所示，本专利技术的氮化硅膜包括依次设置在硅片10上的钝化层21和减反射膜层22，氮化硅膜20的厚度为80 90nm，折射率为2. 08 2. 12，其中减反射膜层22包括第一减反射膜层221和设置在第一减反射膜层221上的第二减反射膜层222。在硅片上设置具有一层钝化层和两层减反射层的氮化硅膜，相对于目前只有一层减反射层的氮化硅膜，提高了氮化硅膜的钝化和减反射效果，进而提高了硅太阳能电池的转换效率。优选地,氮化硅膜20的折射率沿着远离硅片10的方向依次递减。将氮化硅膜20的折射率依次递减设置是考虑到光线在氮化硅膜里传输发生的反射和折射，可以最大程度低提高氮化硅膜的钝化和减反射效果，增加太阳能电池的转换效率。优选地，第一减反射膜层221的厚度为20 30nm ;第二减反射膜层222的厚度为40 60nm。第二减反射膜层222的折射率比第一减反射膜层221的折射率小O. 5。可以通过改变第一减反射膜层221和第二减反射膜层222的厚度和折射率来降低短波长的反射率。本专利技术优选但并不局限于设置两层减反射膜层22的情况，可以设置三层甚至更多层，但设置的层数越多制备工艺也就越复杂。本专利技术优选两层减反射膜层22，是考虑到在提高氮化硅膜的钝化和减反射效果以及增加太阳能电池的转换效率的同时，在制备工序上又不会太繁杂。一般来说，减反射层膜层22的层数越多，其减反射效果越好。优选地，第一减反射膜层221的厚度为30nm，第二减反射膜层222的厚度为40nm。此时的氮化硅膜20时具有较好的钝化和减反射效果。进一步优选地，第一减反射膜层221的折射率为2. 10 2. 15 ;第二减反射膜层222的折射率为2. 05 2. 10。根据本专利技术的另一方面，提供了一种氮化硅膜的制备方法，利用PECVD法在硅片10上依次沉积一层钝化层21和两层减反射膜层22。目前，工业生产中多采用双层氮化硅膜工艺，分别采用不同厚度和折射率的氮化硅膜组合形成太阳能电池的钝化层和减反射膜层。本专利技术则是基于管式PECVD，通过沉积三层或多层高质量的氮化硅膜来提高其钝化和减反射特性，从而提高了太阳能电池的转换效率。 优选地，利用PECVD法在硅片10上沉积氮化硅膜20的步骤包括沉积钝化层21，控制SiH4和NH3的流量比为I : 2. 5 3. 5，沉积时间为130 200s ;沉积第一减反射膜层221，控制SiH4和NH3的流量比为I : 5 8，沉积时间为150 200s ;以及沉积第二减反射膜层222，控制SiH4和NH3的流量比为I : 11 14，沉积时间为400 500s。沉积时控制压强为1300-1600mTorr，功率为5500_6500w，沉积温度一般为380 460°C。等离子体增强化学本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种氮化硅膜，包括依次设置在硅片(10)上的钝化层(21)和减反射膜层(22)，所述氮化硅膜(20)的厚度为80～90nm，折射率为2.08～2.12，其特征在于，所述减反射膜层(22)包括第一减反射膜层(221)和设置在所述第一减反射膜层(221)上的第二减反射膜层(222)。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范志东，赵学玲，李倩，解占壹，李永超，王涛，
申请(专利权)人：英利能源中国有限公司，
类型：发明
国别省市：
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