本发明专利技术涉及阵列基板生产工艺中干法刻蚀工艺技术领域，公开了一种用于刻蚀工艺前清洁基板的装置，所述装置为一腔室，包括腔室本体，用于放置和传递基板。本发明专利技术还提供了一种刻蚀工艺前清洁基板的方法。本发明专利技术所设计的装置可以用于在干法刻蚀之前对其腔室本身内部环境进行清洁，最大程度上清除颗粒污染对阵列基板性能可能会造成的影响。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及阵列基板生产エ艺中干法刻蚀エ艺
，特别是涉及ー种用于刻蚀エ艺前清洁腔室的装置及方法。
技术介绍
目前在TFT领域，玻璃基 板尺寸越来越大，对应的腔室也越来越大，所以对颗粒污染的控制越来越难，同吋，由于单位面板尺寸变大，超高分辨率(4000*2000)，in-cell触摸屏及GOA (Gate On Array)等技术的开发与应用，颗粒污染对产品良率及技术开发设计的影响也日:JifL关出。在干法蚀刻エ艺过程中，颗粒污染造成的断线、短路等不良是影响产品最終良率的关键原因，颗粒污染的控制日益成为TFTエ艺的最大挑战。在干法刻蚀エ艺中，一般包括以下三个步骤(I) BT (before treatment)其作用主要是去除表面自然氧化层，使得下一歩主刻蚀步骤得以顺利进行；(2)ME(main etch)其主要作用是按照mask图形进行刻蚀,形成设计所需的图形；(3)AT(after treatment)其主要作用是在主刻蚀完成后，对基本表面进行处理，保证后续エ艺质量。颗粒污染的ー个主要原因是腔室内壁沉积的反应生成物在エ艺过程中，由于强室内压カ变化脱落造成的，现有的エ艺一般是在刻蚀之前，BT步骤只进行去除表面自然氧化层的前处理，这种处理方式不能有效地优化腔室环境，即不能清洁腔室内部的颗粒污染，从而使得腔室维护周期缩短，产线的容错能力降低，而且可能导致因颗粒污染而造成的产品不良。现有的清洁装置往往是专门设计的额外的清洁设备，从而増加了额外材料消耗费用，提高了清洁成本。
技术实现思路
(一)要解决的技术问题本专利技术要解决的技术问题是如何提供一种在刻蚀エ艺前减少颗粒污染的方案。(ニ)技术方案为了解决上述技术问题，本专利技术提供一种用于刻蚀エ艺前清洁基板的装置，所述装置为ー腔室，包括腔室本体，用于放置和传递基板。优选地，所述腔室为真空腔室。优选地，所述装置还包括位于所述腔室本体内的可升降支柱。优选地，所述装置还包括位于所述腔室本体内、用于吸附所述基板的反应台。优选地，所述装置还包括设置于所述腔室本体上的腔室盖。优选地，所述腔室盖为绝缘材料。本专利技术还提供了ー种利用所述的装置来清洁腔室的方法，包括以下步骤SI、采用能够使得颗粒污染发生的恶化工艺条件对所述腔室内环境进行处理；S2、在一定腔室压カ条件下，清除所述腔室内的颗粒污染。优选地，步骤SI的エ艺条件为腔室压カ5-200mt，电极功率5000-18000W，反应气体选自02、CL2、SF6、He中的一种或几种的组合，气体总流量5000-20000sccm。优选地，步骤SI的エ艺条件为腔室压カ5-100mt，电极功率7000-16000W，气体总流量 8000-15000sccm。优选地，步骤S2的エ艺条件为腔室压カO. I-IOmt,电极功率5000-18000W，反应气体选自02、CL2、SF6、He中的一种或几种的组合，气体总流量5000-20000sccm。优选地，步骤S2的エ艺条件为腔室压カO. 5-1. Omt,电极功率7000-16000W，气体总流量 9000_13000sccm。优选地，步骤S2的处理时间长于步骤SI的处理时间。 (三)有益效果上述技术方案具有如下优点本专利技术所设计的装置可以用于在干法刻蚀之前对其腔室本身内部环境进行清洁，最大程度上清除颗粒污染对阵列基板性能可能会造成的影响。本专利技术所设计的方法直接作用于干法刻蚀之前，在不对基板造成刻蚀的前提下，避免了其他污染可能，最大程度上清除颗粒污染对基板性能造成的影响。本专利技术不需要增加额外的清洁设备，不增加额外的エ艺时间，不增加额外材料消耗费用，除压カ外其他エ艺參数保持不变，在保留前处理去除基板表面氧化层作用的基础上，实现了清洁腔室的目的。同时还可以延长腔室维护周期，提高产线的容错能力，減少因颗粒污染而造成的产品不良。附图说明图I是本专利技术实施例一的装置结构示意图及其使用示意；图2是本专利技术实施例ニ的方法流程图。其中，I :腔室本体；2 :腔室盖；3 :阵列基板。具体实施例方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进ー步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。实施例一本专利技术实施例一提供了 ー种用于刻蚀エ艺前清洁基板的装置，用于对将要进行干法刻蚀的腔室内的环境进行优化，減少腔室内颗粒污染，该装置为ー个长方体形真空腔室，包括腔室本体I，腔室本体I用于放置和传递阵列基板3。所述真空腔室还包括设置于所述腔室本体I上的腔室盖2，所述腔室盖2为绝缘材料，该装置还包括位于所述腔室本体I内的可升降支柱(未示出)、位于所述腔室本体I内、用于吸附所述基板的反应台(未示出)。所述腔室的长为2700mnT2800mm，宽为2400mnT2500mm，优选地，所述腔室的长为2700mm，宽为2400mmo本实施例的装置结构简单，能够在不需要增加额外的清洁设备，用于实现在干法刻蚀之前对其腔室本身内部环境进行清洁的功能，最大程度上清除颗粒污染对阵列基板性能可能会造成的影响。实施例ニ本专利技术实施例ニ还提供了ー种利用实施例一所述的装置清洁腔室的方法，包括两I K少SI、采用颗粒污染容易发生的エ艺条件对腔室内环境进行处理。具体来说，通过设定腔室压力，使得在阵列基板进入腔室前形成ー个容易诱使腔室内壁反应生成物脱落的颗粒污染恶化条件。步骤SI的エ艺条件为腔室 压カ5_200mt，电极功率5000-18000W，反应气体选自02、CL2, SF6、He中的一种或几种的组合，气体总流量5000-20000sccm。进ー步的方案，步骤SI的エ艺条件为腔室压カ5-100mt，电极功率7000-16000W，气体总流量8000-15000sccm。S2、将颗粒污染清除掉。具体来说，采用超低腔室压カ条件(O. 5mrimt)，将腔室内脱落的颗粒污染抽离，实现在刻蚀前清洁腔室环境的目的。步骤S2的エ艺条件为腔室压カO. I-IOmt,电极功率5000-18000W，反应气体选自02、CL2, SF6、He中的一种或几种的组合，气体总流量5000-20000sccm。进ー步的方案，步骤S2的エ艺条件为腔室压カO. 5-1. Omt,电极功率7000-16000W,气体总流量 9000-13000sccm。在干法刻蚀エ艺中，所用的设备是TEL设备。阵列基板上按照顺序依次沉积有200-800 A透日月导电氧化物、4000-10000 A氮化物，3000-6000 A金属线。包含上述清洁腔室过程的整个干法刻蚀的流程包括刻蚀前的准备、清洁腔室、刻蚀以及刻蚀后的处理，分为以下几步I.机械手将阵列基板送入反应腔室，落在腔室内的可升降支柱上。2.支柱落下，阵列基板落在腔室内的反应台上。3.反应台加电压，利用静电作用将阵列基板吸附在反应台上。4.通入反应气体，等待反应腔室内气体气压稳定。5.电极功率开启，反应腔室内生成等离子体。6.清洁及刻蚀エ艺(I)执行上述步骤SI。(2)执行上述步骤S2。(3)执行ME步骤，エ艺条件为腔室压カ50-100mt，电极功率8000-14000W，反应气体选自02、CL2、SF6、He中的一种或几种的组合，气体总流量8000-15000sccm，时间35s_70s。(4)执行AT步骤，エ艺条件为腔室压本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种用于刻蚀工艺前清洁基板的装置，其特征在于，所述装置为一腔室，包括腔室本体，用于放置和传递基板。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：丁向前，孙亮，白金超，李梁梁，刘耀，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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