一种分裂式整流变压器的绕组制造技术

本实用新型专利技术属于变压器领域，尤其涉及一种分裂式整流变压器的绕组，包括二次绕组和初次绕组，其特征在于：所述的初次绕组为整体式结构，所述的二次绕组设有内、外两层，每层绕组均设有上、下两个分部，内层二次绕组的上分部线圈与外层二次绕组的下分部线圈串联连接，外层二次绕组的上分部线圈与内层二次绕组的下分部线圈串联连接。本实用新型专利技术综合了轴向及幅向分裂式绕组结构的优点，改善了绕组内部的涡流损耗又避免了材料的浪费，高压线圈为整体结构，低压线圈不受接线方式的限制。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于变压器领域，尤其涉及一种分裂式整流变压器的高、低压绕组。
技术介绍
传统的分裂式变压器的绕组结构主要有两种，轴向分裂式结构及幅向分裂式结构，具体结构形式分别如图I和图2。其二次绕组一般为低电压400V或690V，根据变压器容量的大小，其电流值相对较大，线圈大多采用箔式绕组。在传统的轴向分裂式结构或幅向分裂式结构结构基础上进行改造，改造为如图3所示的结构，即低压的两个绕组材料一起绕制，同时中间用绝缘材料隔开，保证电气方面独立运行。采用轴向分裂式结构时(如图1)，由于受到高度的限制，绕组的铜箔较厚，受其端部场强影响较大，铜箔内部的涡流损耗也随之增加，造成部分材料浪费。且此结构须设计为上、下出线，为保证安匝平衡，一次绕组也需设计为上、下两部分，引线结构也较为复杂。采用幅向分裂式结构时(如图2)，铜箔的高度较高，厚度可为轴向分裂式结构的1/2，铜箔的涡流损耗明显减小，引线结构较前者相对简化。但为了使得两绕组间的阻抗值尽可能接近，势必要调节各绕组之间的主空道距离，造成线圈的绕制半径增加，材料浪费较为严重。采用并绕幅向分裂式结构时(如图3)，由于两线圈的绝缘半径非常接近，能够很好的耦合，有效控制了线材的涡流损耗。但是此结构只能用于低压的两绕组的匝数完全相等，即两个低压绕组须同时为“Y”接或” d”接方式，所以使用范围受到了限制。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述问题，提供一种较好的保证变压器参数、节约绕组材料、低压接线方式更为灵活的分裂式整流变压器的绕组。为了实现上述目的，本技术所采用的技术方案为一种分裂式整流变压器的绕组，包括二次绕组和初次绕组，其特征在于所述的初次绕组为整体式结构，所述的二次绕组设有内、外两层，每层绕组均设有上、下两个分部，内层二次绕组的上分部线圈与外层二次绕组的下分部线圈串联连接构成一个二次线圈，外层二次绕组的上分部线圈与内层二次绕组的下分部线圈串联连接构成一个二次线圈。前述的一种分裂式整流变压器的绕组，所述的二次绕组为低压绕组。前述的一种分裂式整流变压器的绕组，所述的两个二次线圈具有独立运行的电气部分。前述的一种分裂式整流变压器的绕组，所述的两个二次线圈具有相等的电抗高度。前述的一种分裂式整流变压器的绕组，当二次绕组的两线圈接线方式分别为d接和Y接时，二次绕组匝数符合如下等式ml+m2~V5(nl+n2)，其中ml为内层二次绕组的上分部的线圈匝数，m2为外层二次绕组的下分部的线圈匝数，nl为外层二次绕组的上分部的线圈匝数，n2为内层二次绕组的下分部的线圈匝数。本技术综合了轴向及幅向分裂式绕组结构的优点，两个二次线圈采用上、下及内、外串联的结构，既保证了线圈的安匝平衡，上、下分裂的绕组阻抗也很接近，既改善了绕组内部的涡流损耗又避免了材料的浪费。在一组二次线圈“Y”接，另一组为“d”接的情况下，低压线圈匝数ml+m2&士(nl+n2)，低压线圈不受接线方式的限制，接线方式更为灵活。此技术结构可应用在高压35kV或10kV、低压为400V或690V的12脉波整流变压器上。附图说明图I为传统轴向分裂式绕组的结构图；图2为传统幅向分裂式绕组的结构图；图3为并绕幅向分裂式绕组的结构图；图4为本技术的分裂式整流变压器的绕组结构图；其中，I 二次绕组外层，2 二次绕组内层，3初次绕组，Ia外层二次绕组上分部，Ib外层二次绕组下分部，2a内层二次绕组上分部，2b内层二次绕组下分部，y 二次绕组，D初次绕组，Y接线方式，d接线方式，ml内层二次绕组的上分部的线圈匝数，m2外层二次绕组的下分部的线圈匝数，nl外层二次绕组的上分部的线圈匝数，n2内层二次绕组的下分部的线圈匝数。具体实施方式以下结合附图和具体实施例对本技术作进一步说明。图I为传统轴向分裂式绕组的结构图，二次绕组y和初次绕组D均为上、下两部分设计。图2为传统幅向分裂式绕组的结构图，二次绕组y为两层，分别为二次绕组外层I和二次绕组内层2，初次绕组D为整体式结构。图3为并绕幅向分裂式绕组的结构图，二次绕组y设有绝缘半径非常接近的二次绕组外层I和二次绕组内层2，初次绕组D为整体式结构。二次绕组外层I和二次绕组内层2必须同时为“Y”接或” d”接，使用范围受到了限制。图4为本技术的分裂式整流变压器的绕组结构图，包括二次绕组I和初次绕组D，其特征在于所述的初次绕组D为整体式结构，所述的二次绕组I设有内、外两层，每层绕组均设有上、下两个分部，内层二次绕组上分部2a与外层二次绕组的下分部Ib线圈串联连接构成一个二次线圈，该二次线圈接线方式为d接(即角接)，外层二次绕组上分部Ia线圈与内层二次绕组下分部2b线圈串联连接构成另一个二次线圈，该二次线圈接线方式为Y接(即星接)。二次绕组y为低压绕组，初次绕组D为低压绕组。上述的两个二次线圈具有独立运行的电气部分。两个二次线圈具有相等的电抗高度，绝缘半径非常接近。当二次绕组I的两线圈接线方式分别为d接和Y接时，图4图示了 d接和Y接的方式，二次绕组匝数符合如下等式:ml+m2~VJ(nl+n2)，其中ml为内层二次绕组的上分部的线圈匝数，m2为外层二次绕组的下分部的线圈匝数，nl为外层二次绕组的上分部的线圈匝数，n2为内层二次绕组的下分部的线圈匝数。本技术综合了轴向及幅向分裂式绕组结构的优点，改善了绕组内部的涡流损耗又避免了材料的浪费，高压线圈为整体结构，低压线圈不受接线方式的限制。上述实施例不以任何形式限制本技术，凡采用等同替换或等效变换的方式所获得的技术方案，均落在本技术的保护范围。权利要求1.一种分裂式整流变压器的绕组，包括二次绕组和初次绕组，其特征在于所述的初次绕组为整体式结构，所述的二次绕组设有内、外两层，每层绕组均设有上、下两个分部，内层二次绕组的上分部线圈与外层二次绕组的下分部线圈串联连接构成一个二次线圈，外层二次绕组的上分部线圈与内层二次绕组的下分部线圈串联连接构成一个二次线圈。2.根据权利要求I所述的一种分裂式整流变压器的绕组，其特征在于所述的二次绕组为低压绕组。3.根据权利要求I所述的一种分裂式整流变压器的绕组，其特征在于所述的两个二次线圈具有独立运行的电气部分。4.根据权利要求I所述的一种分裂式整流变压器的绕组，其特征在于所述的两个二次线圈具有相等的电抗闻度。5.根据权利要求I所述的一种分裂式整流变压器的绕组，其特征在于，当二次绕组的两线圈接线方式分别为d接和Y接时，二次绕组匝数符合如下等式ml+m2^S (nl+n2)，其中ml为内层二次绕组的上分部的线圈匝数，m2为外层二次绕组的下分部的线圈匝数，m为外层二次绕组的上分部的线圈匝数，n2为内层二次绕组的下分部的线圈匝数。专利摘要本技术属于变压器领域，尤其涉及一种分裂式整流变压器的绕组，包括二次绕组和初次绕组，其特征在于所述的初次绕组为整体式结构，所述的二次绕组设有内、外两层，每层绕组均设有上、下两个分部，内层二次绕组的上分部线圈与外层二次绕组的下分部线圈串联连接，外层二次绕组的上分部线圈与内层二次绕组的下分部线圈串联连接。本技术综合了轴向及幅向分裂式绕组结构的优点，改善了绕组内部的涡流损耗又避免了材料的浪费，高压线圈为整体结构，低压线圈不受接线方式的限制。文本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种分裂式整流变压器的绕组，包括二次绕组和初次绕组，其特征在于：所述的初次绕组为整体式结构，所述的二次绕组设有内、外两层，每层绕组均设有上、下两个分部，内层二次绕组的上分部线圈与外层二次绕组的下分部线圈串联连接构成一个二次线圈，外层二次绕组的上分部线圈与内层二次绕组的下分部线圈串联连接构成一个二次线圈。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑建银，蒋忠金，
申请(专利权)人：郑建银，蒋忠金，
类型：实用新型
国别省市：