本实用新型专利技术涉及一种平板型单向可控硅通断性能诊断仪。一种平板型单向可控硅通断性能诊断仪，包括触发电路、检测电路和断路器，所述的触发电路包括第一转换开关、变压器、桥堆，断路器火线通过第一转换开关与变压器一次侧火线端子连接，断路器零线与变压器一次侧零线端子连接，变压器二次侧与桥堆交流侧分别连接，桥堆直流侧正极与可控硅门极连接，桥堆直流侧负极与可控硅阴极连接，所述的检测电路包括第二转换开关、直流电源、电位器、灯泡，所述的断路器火线通过第二转换开关与直流电源火线连接，直流电源输出的直流电正极通过电位器与可控硅阳极连接，断路器零线与直流电源零线连接，直流电源输出的直流电负极通过灯泡与可控硅阴极连接。本实用新型专利技术的有益效果是：结构简单，可控硅放置盒为可调节结构，可以放置大小不一的可控硅进行检查，使用简单，可以快速的检测出可控硅通断性能的好坏。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种平板型单向可控硅通断性能诊断仪。
技术介绍
可控硅是一种大功率开关型半导体器件，具体体积小、重量轻、效率高、寿命长等特点，被广泛用于可控整流、调压等各种大功率和自动控 制的电能转换场合，目前在进行可控硅检测时，主要通过万用表测量可控硅进行检测，但这种检测方法，不够全面，受人为影响也较为严重。
技术实现思路
针对以上不足，本技术提供一种结构简单，携带方便的平板型单向可控硅通断性能诊断仪。为达到上述目的，本技术的技术方案是一种平板型单向可控硅通断性能诊断仪，其特征在于包括触发电路、检测电路和断路器，所述的触发电路包括第一转换开关、变压器、桥堆，断路器火线通过第一转换开关与变压器一次侧火线端子连接，断路器零线与变压器一次侧零线端子连接，变压器二次侧与桥堆交流侧分别连接，桥堆直流侧正极与可控硅门极连接，桥堆直流侧负极与可控硅阴极连接，所述的检测电路包括第二转换开关、直流电源、电位器、灯泡，所述的断路器火线通过第二转换开关与直流电源火线连接，直流电源输出的直流电正极通过电位器与可控硅阳极连接，断路器零线与直流电源零线连接，直流电源输出的直流电负极通过灯泡与可控硅阴极连接。所述的可控硅放置位置，设有可控硅放置盒，所述的可控硅放置盒，由铜板和绝缘板组成，第一铜板设于第一绝缘板内侧且固定为一体，第二铜板设于第二绝缘体内侧且固定为一体，第一绝缘板与第二绝缘板之间通过螺栓活动连接，第一铜板与可控硅阳极连接，第二铜板与可控硅阴极连接，绝缘板外侧分别设有连接线，连接线穿过绝缘板与铜板连接。本技术的有益效果是结构简单，可控硅放置盒为可调节结构，可以放置大小不一的可控硅进行检查，使用简单，可以快速的检测出可控硅通断性能的好坏。附图说明图I为本技术的结构示意图。具体实施方式根据附图作进一步说明在使用本技术时，操作第二转换开关，使之通电，如果灯泡亮，则可控硅坏，非门极可控。如果灯泡不亮，则不能判断可控硅坏，在上一步操作基础上(灯泡不亮)，操作第一转换开关，使之通电，如果灯泡不亮，说明可控硅坏，不能触发使其导通；如果灯泡亮，说明可控硅导通性能正常，门极可控，上一步检测正常的基础上，操作第一转换开关1，使之断电。如果灯泡随之熄灭，则可控硅维持导通性能不好，不可用；如果灯泡继续保持不灭，则可控硅维持导通性能好，可控硅正常。上一步检测正常的基础上，旋转电位器，使电位器电阻逐渐增大，当电阻逐渐增大时如果灯泡熄灭，说明可控硅性能好，可以正常关断；如果灯泡不灭，说明可控硅关断性能不好，不能投入使用。权利要求1.一种平板型单向可控硅通断性能诊断仪，其特征在于包括触发电路、检测电路和断路器(4)，所述的触发电路包括第一转换开关(I)、变压器(2)、桥堆(3)，断路器(4)火线通过第一转换开关(I)与变压器(I) 一次侧火线端子连接，断路器(4 )零线与变压器(2 ) —次侧零线端子连接，变压器(2) 二次侧与桥堆(3)交流侧分别连接，桥堆(3)直流侧正极与可控硅门极连接，桥堆(3)直流侧负极与可控硅阴极连接，所述的检测电路包括第二转换开关(5)、直流电源(6)、电位器(7)、灯泡(8)，所述的断路器(4)火线通过第二转换开关(5)与直流电源(6 )火线连接，直流电源(6 )输出的直流电正极通过电位器(7 )与可控硅阳极连接，断路器(4 )零线与直流电源(6 )零线连接，直流电源(6 )输出的直流电负极通过灯泡(8 )与可控硅阴极连接。2.根据权利要求I所述一种平板型单向可控硅通断性能诊断仪，其特征在于所述的可控硅放置位置，设有可控硅放置盒(9)，所述的可控硅放置盒(9)，由铜板和绝缘板组成，第一铜板(10)设于第一绝缘板(11)内侧且固定为一体，第二铜板(12)设于第二绝缘体 (13)内侧且固定为一体，第一绝缘板(11)与第二绝缘板(12)之间通过螺栓活动连接，第一铜板(10)与可控硅阳极连接，第二铜板(12)与可控硅阴极连接，绝缘板外侧分别设有连接线，连接线穿过绝缘板与铜板连接。专利摘要本技术涉及一种平板型单向可控硅通断性能诊断仪。一种平板型单向可控硅通断性能诊断仪，包括触发电路、检测电路和断路器，所述的触发电路包括第一转换开关、变压器、桥堆，断路器火线通过第一转换开关与变压器一次侧火线端子连接，断路器零线与变压器一次侧零线端子连接，变压器二次侧与桥堆交流侧分别连接，桥堆直流侧正极与可控硅门极连接，桥堆直流侧负极与可控硅阴极连接，所述的检测电路包括第二转换开关、直流电源、电位器、灯泡，所述的断路器火线通过第二转换开关与直流电源火线连接，直流电源输出的直流电正极通过电位器与可控硅阳极连接，断路器零线与直流电源零线连接，直流电源输出的直流电负极通过灯泡与可控硅阴极连接。本技术的有益效果是结构简单，可控硅放置盒为可调节结构，可以放置大小不一的可控硅进行检查，使用简单，可以快速的检测出可控硅通断性能的好坏。文档编号G01R31/02GK202583384SQ201220194048公开日2012年12月5日 申请日期2012年5月3日 优先权日2012年5月3日专利技术者王太兴 申请人:王太兴本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种平板型单向可控硅通断性能诊断仪，其特征在于：包括触发电路、检测电路和断路器（4），所述的触发电路包括第一转换开关（1）、变压器（2）、桥堆（3），断路器（4）火线通过第一转换开关（1）与变压器（1）一次侧火线端子连接，断路器（4）零线与变压器（2）一次侧零线端子连接，变压器（2）二次侧与桥堆（3）交流侧分别连接，桥堆（3）直流侧正极与可控硅门极连接，桥堆（3）直流侧负极与可控硅阴极连接，所述的检测电路包括第二转换开关（5）、直流电源（6）、电位器（7）、灯泡（8），所述的断路器（4）火线通过第二转换开关（5）与直流电源（6）火线连接，直流电源（6）输出的直流电正极通过电位器（7）与可控硅阳极连接，断路器（4）零线与直流电源（6）零线连接，直流电源（6）输出的直流电负极通过灯泡（8）与可控硅阴极连接。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：王太兴，
申请(专利权)人：王太兴，
类型：实用新型
国别省市：
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