用于有机电致发光器件的材料制造技术

本发明专利技术涉及用于有机电致发光器件的金属配合物和含有这些配合物的器件。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于有机电致发光器件的金属配合物，和包含金属配合物的有机电致发光器件。
技术介绍
例如在US4539507、US5151629、EP0676461 和 W098/27136 中描述了其中将有机半导体用作功能材料的有机电致发光器件(OLED)的结构。在此处使用的发光材料越来越多地是显示磷光而不是突光的有机金属配合物(M. A. Baldo等人，Appl. Phys.Lett. 1999,75,4-6)。出于量子力学的原因，使用有机金属化合物作为磷光发光体,可能实现高达四倍的能量和功率效率的增加。然而，一般言之，仍然需要对呈现三重态发光的OLED进行改进，特别是在效率、工作电压、寿命和金属配合物的稳定性方面进行改进。因此，希望在此处进一步改进。关于用于有机电致发光器件中的其它化合物，例如基质和电荷传输材 料，也仍然需要改进。根据现有技术，磷光OLED中使用的三重态发光体通常是铱配合物。通过使用具有多足配体或者穴状化合物的金属配合物，由于该配合物具有较高的热稳定性，这导致较长的 OLED 寿命，从而实现了对这些 OLED 的改进(W004/081017、W005/113563、W006/008069)。然而，仍然希望进一步改进所述配合物以能够在高质量和长寿命的电致发光器件中，例如用于电视机或电脑监视器的器件中使用这些配合物。金属配合物也用于有机电致发光器件中其它的功能中，例如Alq3 (三(羟基喹啉)招)用作电子传输材料或BAlq (例如，T. Tsuji等人，Journal of the Society ofInformation Display 2005, 13 (2)，117-122)用作三重态基质材料或用作空穴阻挡材料。关于为了应用于高质量电致发光器件中的这些材料，也仍然需要进一步改进。然而，显示三重态发光的OLED仍具有需要改进的问题。这特别适合于三重态发光体本身。文献(例如US2003/0068526、W02003/000661)中已公开了基于金属配合物的红色发光体，所述金属配合物包括如通式A和通式B的子结构的与铱配位的I-苯基异喹啉配体。此处显示的子结构在苯环和异喹啉环之间存在没有(通式A)或有(通式B)桥连基的区另O。该桥连基包括2-20个可被杂原子代替的烷基碳原子。权利要求1.通式(I)的化合物 M(L)n(L’)m(L，，)。通式(I) 所述通式(I)的化合物含有通式(2)的子结构M(L)n,2.根据权利要求I所述的化合物，其中Cyl和Cy2是杂芳族基团，该杂芳族基团也可被取代。3.根据权利要求I或权利要求2所述的化合物，其中通式(2)的部分结构由通式(3)或(4)表示，4.根据权利要求I至权利要求3中的一项或多项所述的化合物，其中通式(2)的部分结构由通式(5)或(6)表示，5.根据权利要求I至权利要求4中的一项或多项所述的化合物，其中通式(2)的部分结构由通式(7)或(8)表示，6.根据权利要求I至权利要求5中的一项或多项所述的化合物，其中通式(2)的部分结构由通式(9)或(10)表示，7.根据权利要求I至权利要求6中的一项或多项所述的化合物，其中所述金属M选自Zr、Hf、Mo、W、Ru、Os、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag 和 Au,特别是优选 Ir、Pt 和 Cu。8.根据权利要求I至权利要求7中的一项或多项所述的化合物，其中通式(2)的部分结 构是三齿的或四齿的配体，所述三齿的或四齿的配体展示在通式(11)或(12)中，9.根据权利要求8所述的化合物，所述化合物选自通式(13)或(14)的化合物，10.根据权利要求I至权利要求9中的一项或多项所述的化合物，其中所述配体L’和L”选自一氧化碳，NO，异腈，胺，膦，亚磷酸盐或酯，胂，脎,含氮杂环化合物，氢阴离子，氘阴离子，卤阴离子F、Cl、Br和I，烷基炔阴离子，芳基乙炔阴离子，氰阴离子，氰酸根，异氰酸根，硫氰酸根，异硫氰酸根，脂族或芳族醇阴离子，脂族或芳族硫醇阴离子，氨阴离子，羧酸阴离子，O2-, S2_，导致以R-N=M形式配位的氮宾，其中R通常代表取代基，N3_，二胺，亚胺，二亚胺，含有两个氮原子的杂环化合物，二膦，衍生于1，3_ 二酮的1，3-二酮阴离子，衍生于3-酮酯的3-酮酯阴离子，衍生于氨基羧酸的羧酸阴离子，衍生于水杨基亚胺的水杨基亚胺阴离子，衍生于二醇的二醇阴离子，衍生于二硫醇的二硫醇阴离子，含氮杂环化合物的硼酸化物阴离子，与金属形成含有至少一个金属-碳键的环金属化的五元环的二齿单阴离子配体，η5-环戊二烯基，η5-五甲基环戊二烯基，η6-苯或η7-环庚三烯基，所述配体中的每一个可被一个或多个基团R取代。11.低聚物、聚合物或树枝状大分子，其包含一种或多种根据权利要求I至权利要求10中的一项或多项所述的化合物，其中基团R和R1中的至少一个代表与所述低聚物、聚合物或树枝状大分子结合的键。12.根据权利要求I至权利要求11中的一项或多项所述的化合物在电子元件中的用途。13.电子元件，所述电子元件包括通式(Γ)的化合物，M(L)n(L’)m(L，，)。通式(Γ) 所述通式(Γ)的化合物含有通式(2)的子结构M(L)n,14.根据权利要求13所述的电子元件，所述电子元件选自有机发光器件/二极管(OLED)、有机集成电路(0-IC)、有机场效应晶体管(O-FET)、有机薄膜晶体管(O-TFT)、有机太阳能电池(0-SC)、有机发光晶体管(O-LET )、有机场猝熄器件(O-FQD )、发光电化学电池(LEC)和有机激光二极管(0-laser)。15.根据权利要求13或权利要求14所述的有机电致发光器件，其中通式(Γ)的化合物用作发光层中的发光材料，优选与选自酮、氧化膦、亚砜、砜、三芳胺、咔唑衍生物、吲哚并咔唑衍生物、氮杂咔唑、双极性基质材料、硅烷、氮杂硼杂环戊二烯、硼酸酯、三嗪衍生物或锌配合物的基质材料组合，和/或用作发光层中的发光化合物的基质材料，和/或用作空穴阻挡层中的空穴阻挡材料，和/或用作电子传输层中的电子传输材料，和/或用作空穴传输或空穴注入层中的空穴传输材料，和/或用作激子阻挡层中的电子阻挡或激子阻挡材料。16.制剂，所述制剂包含一种或多种根据权利要求I至权利要求11中的一项或多项所述的化合物或低聚物、聚合物或树枝状大分子，和至少一种溶剂。全文摘要本专利技术涉及用于有机电致发光器件的金属配合物和含有这些配合物的器件。文档编号H01L51/50GK102812573SQ201180015129 公开日2012年12月5日 申请日期2011年2月17日 优先权日2010年3月23日专利技术者菲利普·施特塞尔, 赫尔曼·马耶尔, 威廉·C·卡斯卡 申请人:默克专利有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：菲利普·施特塞尔，赫尔曼·马耶尔，威廉·C·卡斯卡，
申请(专利权)人：默克专利有限公司，
类型：发明
国别省市：