本发明专利技术提供一种通过根据辊至辊工艺制造的气体屏蔽膜，所述气体屏蔽膜在气体屏蔽性能上优异。该气体屏蔽膜通过以下方式制造：设置低硬度层作为所述基材膜的第二表面上的最顶层，所述低硬度层的铅笔硬度比所述有机层的铅笔硬度低两级以上；和在所述基材膜的所述第一表面上设置所述有机层。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】制造气体屏蔽膜的方法以及所制造的气体屏蔽膜本专利技术涉及一种制造气体屏蔽膜的方法以及所制造的气体屏蔽膜。已经研究了根据棍至棍工艺(roll-to-roll process)的气体屏蔽膜的制造。图5是说明根据辊至辊工艺的制造气体屏蔽膜的一般方法的示意图，其中将膜从卷起的膜51解开，通过层形成装置52如无机层形成装置，并且收起在辊53上。因为膜穿过膜形成装置，因此辊至辊工艺可以显著地减少与输送相关的劳动力和/或装置。然而，具有高水平的气体屏蔽性能的有机/无机多层气体屏蔽膜具有形成在基材膜上的至少两个层，它们是在其结构上需要致密的有机层和无机层。然而，在根据辊至辊工 艺的有机/无机多层气体屏蔽膜的制造中，尤其是在辊上的卷起过程中可能预期损坏。例如，专利文献I公开了具有对其提供的锚定涂层的气体屏蔽膜可能在膜的卷起过程中在锚定涂层中损坏，或者在通过真空蒸发在锚定涂层(有机层)上形成金属氧化物膜(无机层)的过程中可能导致交结(weaving)。专利文献I也描述了解决该问题的方法。 JP-A-08-92727如上所述，考虑到提高气体屏蔽膜的生产率，采用辊至辊工艺可能是适宜的。具体地，根据辊至辊工艺，需要通过涂布设置有机层，并且通过真空蒸发设置无机层。然而，本专利技术人通过其研究发现，通过专利文献I中描述的方法所获得的气体屏蔽膜在减少有机层和无机层的损坏的效果方面仍然不足。本专利技术人对专利文献I的进一步研究揭示，专利文献I研究了锚定涂层(有机层)归因于紧密卷绕的剥离，以及在形成金属氧化物膜(无机层)的过程中可能出现的包装滑动，但是没有研究可能在第二表面侧(与具有设置在其上的有机层和无机层的表面相反的表面)施加在基材膜上的损坏。本专利技术的目的在于解决这些问题，并且在于提供一种根据辊至辊工艺制造气体屏蔽膜的方法，所述方法能够抑制气体屏蔽膜上的损坏，并且能够提高屏蔽性能。本专利技术人在其深入研究之后发现，假设其上设置有机层的基材膜的表面为第一表面并且相反的表面作为第二表面，在根据辊至辊工艺的气体屏蔽膜的制造中，将具有形成在其第一表面上的有机层的基材膜卷起在辊上的尝试可能破坏有机层如产生凹痕或擦伤，这归因于基材膜的第二表面与有机层的接触。更具体地，已经证实，因为有机层在制造气体屏蔽膜的过程中损坏，以使得设置在其上的无机层不能是致密的，因而气体屏蔽膜的气体屏蔽性能下降。考虑到确保高水平的气体屏蔽性能，因此需要的是减少由有机层与基材膜的第二表面之间的接触而可能出现的有机层上的损坏。本专利技术人之后发现，通过在基材膜的第二表面上设置铅笔硬度比有机层的铅笔硬度低两级以上的低硬度层可以减少归因于与基材膜的第二表面的接触的有机层上的损坏，并且完成本专利技术。 一种根据辊至辊工艺制造气体屏蔽膜的方法，所述气体屏蔽膜包括在基材膜的第一表面上的有机层和无机层，所述方法包括设置低硬度层作为所述基材膜的第二表面上的最顶层，所述低硬度层的铅笔硬度比所述有机层的铅笔硬度低两级以上；和在所述基材膜的所述第一表面上设置所述有机层。 所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中在设置所述低硬度层之后设置所述有机层。 或所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中贯穿将所述基材膜从一个辊解卷并且通过另一个辊收起的期间，连续地设置所述低硬度层和所述有机层。 至中的任一项所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中在设置所述有机层之后，将所述低硬度层移除。 所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中所述低硬度层是可剥离层。 至中的任一项所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中通过真空蒸发设置所述无机层。 至中的任一项所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中通过涂布设置所述低硬度层和/或所述有机层。 至中的任一项所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中所述低硬度层的铅笔硬度为F或更软。 至中的任一项所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中所述低硬度层的铅笔硬度为6B或更软。 至中的任一项所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中通过将含有胶乳和/或胶乳交联产物的组合物涂布在所述基材膜上而形成所述低硬度层。 至中的任一项所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中所述低硬度层含有聚乙烯或聚丙烯。 至中的任一项所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中通过将含有选自(甲基)丙烯酸酯、胶乳和胶乳交联产物中的至少一种物种的组合物涂布在所述基材膜上而形成所述有机层。 至中的任一项所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中所述无机层含有选自氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝、氧氮化硅和氧氮化铝中的至少一种物种。 至中的任一项所述的制造气体屏蔽膜的方法，其中所述低硬度层具有120°C以下的玻璃化转变温度。 一种气体屏蔽膜,所述气体屏蔽膜包括设置在基材膜的第一表面上的有机层和无机层；和低硬度层，所述低硬度层的铅笔硬度比所述有机层的铅笔硬度低两级以上，所述低硬度层被设置作为所述基材膜的第二表面上的最顶层，所述低硬度层含有具有高于200C的玻璃化转变温度的树脂，并且基本上不含粒子。 所述的气体屏蔽膜，其中所述低硬度层的铅笔硬度为F或更软。 所述的气体屏蔽膜，其中所述低硬度层的铅笔硬度为6B或更软。 至中的任一项所述的气体屏蔽膜，所述气体屏蔽膜通过至中的任一项所述的方法制造。 一种电子器件，所述电子器件具有至中的任一项所述的气体屏蔽膜。 一种太阳能电池背板或太阳能电池器件，所述太阳能电池背板或太阳能电池器件具有至中的任一项所述的气体屏蔽膜。通过本专利技术，可以根据辊至辊工艺提供在气体屏蔽性能上优异的气体屏蔽膜。[附图简述]图I是说明通过本专利技术的方法制造的气体屏蔽膜的层构造的示意图。 图2是说明本专利技术的实施方案的示意图。图3是说明通过本专利技术的方法制造的气体屏蔽膜的另一种层构造的示意图。图4是说明在根据本专利技术的方法的制造工艺的中途所获得的膜的层构造的示意图。图5是说明根据辊至辊工艺制造气体屏蔽膜的一般方法的示意图。下面将详细描述本专利技术。应注意在本专利说明书中使用“至”表示的所有数字范围意指覆盖分别作为下限和上限值的放在“至”之前和之后的数值的范围。本专利技术中所述的铅笔硬度根据JIS K-5600-5-4测量，其中硬度的标记按降序为6H、5H、4H、3H、2H、H、F、HB、B、2B、3B、4B、5B和6B。根据相同的方法，分别使用可得自Mitsubishi Pencil Co. , Ltd.的7B至IOB铅笔以及9H至7H铅笔测量软于6B并且硬于6H的膜。本专利技术的制造气体屏蔽膜的方法如下根据棍至棍工艺制造具有形成在基材膜的第一表面上的有机层和无机层的气体屏蔽膜。该方法包括设置低硬度层作为所述基材膜的第二表面上的最顶层，所述低硬度层的铅笔硬度比所述有机层的铅笔硬度低两级以上；和在所述基材膜的所述第一表面上设置所述有机层。通过确保有机层与低硬度层之间两级以上的铅笔硬度上的差别，即使当将膜在根据辊至辊工艺制造的工艺中收起时，也可以在不导致有机层上归因于基材膜的第二表面的任何损坏的情况下制造气体屏蔽膜。在本文中铅笔硬度的差别优选为三级以上，并且更优选四级以上。例如，“低两级”意指低硬度层具有与具有H的铅笔硬度的有机层比较的HB的铅笔硬度。图I是示例本专利技术的气体屏蔽膜的最简单的层构造的示意图，其中附图标记11表不基材膜，12表不低硬度层，13表不有机层，并且14表不无机层。在该实施方案的制造气体屏蔽膜的方法中，优选的是在将低硬度层1本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤滋英，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：
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