电路组件孔链接构及其布局方法技术

一种电路组件孔链接构及其布局方法，应用于先进的集成电路制程及集成电路测试，相较于现有的孔链接构，本发明专利技术的电路组件孔链接构包括多个排列为环状的金属片，能够显著提升射频耦合及降低串音效应，对于馈入交流信号或射频信号的测试情况而言，能够避免存在相当程度的边缘寄生电容Cp，以避免对通孔电阻值的评估发生错误，进一步提升整体集成电路制程及测试的可靠度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路制程及集成电路测试结构，尤指作为测试电路的。
技术介绍
由于通讯、网络、及计算机等各式可携式(Portable)电子产品及其周边产品轻薄短小的趋势的日益重要，且该等电子产品是朝多功能及高性能的方向发展，半导体制程上则不断朝向积体化更高的制程演进，且高密度的构装结构为业者追求的目标。如此一来，所制造具有更高密度的半导体芯片的可靠度测试也越显重要。为了达到测试半导体芯片可靠度的目的，通常必须于芯片上设置测试电路，以判断可能导致半导体电路发生缺陷的制程参数或变量。基于测试半导体芯片可靠度所设置的测试电路，可称为制程监控(PCM)，典型上，可借由于晶片周围或角落设置孔链(via chain) 作为用于制程监控的测试电路。于现有技术中，孔链是经设计成如图I所示的矩形外观，主要用于在直流测试(DCtesting)中检查电阻值变异。但是对于先进的半导体制造技术而言，此类孔链将明显受到射频耦合及串音效应的影响。举例而言，图I所示的矩形孔链具有节省尺寸面积的优点，但对于馈入交流信号(AC signal)或射频信号(RF signal)的测试情况而言,此类外观却存在有相当程度的边缘寄生电容(fringing parasiticcapacitance)Cp。具体而言，对于此类孔链而言，当进行上述交流或射频测试时，信号将通过该等边缘寄生电容Cp,进而使得对通孔电阻值(viaresistance)的评估发生错误。因此，如何提出一种可应用于直流测试中，同时能够于交流或射频测试中达到降低射频耦合及串音效应所造成的影响，以避免上述种种缺失的电路组件孔链接构，实为目前各界亟欲解决的技术问题。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的缺点，本专利技术的主要目的在于提供一种，能够于交流或射频测试中有效地降低射频耦合及串音效应所造成的影响。本专利技术所提供的电路组件孔链接构包括包括多个彼此间隔排列为环状的第一金属片的第一金属层；形成于各该第一金属片上的多个通孔；以及形成于该多个通孔上的第二金属层，该第二金属层包括多个彼此间隔排列为环状的第二金属片，其中，各该第一金属片与第二金属片彼此错位，并通过各该通孔电性连接该第一金属片与第二金属片，以构成串联结构。此外，本专利技术还提供一种电路组件孔链接构布局方法，包括形成包括多个彼此间隔排列为环状的第一金属片的第一金属层；于各该第一金属片上形成至少二个通孔；以及于该通孔上形成第二金属层，包括多个彼此间隔排列为环状的第二金属片，其中，各该第一金属片与第二金属片彼此错位，并藉由各该通孔电性连接该第一金属片与第二金属片，以构成串联结构。相较于现有技术，本专利技术不但能够有效地避免或降低孔链接构之间产生边缘寄生电容Cp，并能降低射频耦合及串音效应，通过对通孔电阻值的正确评估，显著改善对于半导体制程测试的可靠度。附图说明图I为示意地描绘现有半导体制程中作为测试电路的矩形孔链的上视图；图2A及图2B分别显示本专利技术第一实施例的电路组件孔链接构的上视图及局部立体图；图3A至图3C为本专利技术的电路组件孔链接构布局方法示意图；以及图4为本专利技术第二实施例的电路组件孔链接构的上视图。 主要组件符号说明2、4 电路组件孔链接构20第一金属层202,402 第一金属片202a 第一端点202b 第二端点210接地环211第一接地垫片212第一信号垫片213第二接地垫片214第二信号垫片215第三接地垫片22第二金属层224,424 第二金属片224a 第三端点224b 第四端点24、44 通孔25硅基材26介电层261开口。具体实施例方式以下通过特定的具体实施方式说明本专利技术的
技术实现思路
，熟悉本领域的技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本专利技术的其它优点与功效。本专利技术也可通过其它不同的具体实施方式加以施行或应用，本说明书中的各项细节也可基于不同观点与应用，在未悖离本专利技术的精神下进行各种修饰与变更。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉本领域的技术人员进行了解与阅读，并非用以限定本专利技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本专利技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本专利技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“第一”、“第二”、“第三”、“第四”、“上方”及“一”等用语，也仅为便于叙述的明了，而非用以限定本专利技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，也当视为本专利技术可实施的范畴。第一实施例请参照图2A及图2B，其为本专利技术第一实施例的电路组件孔链接构2的上视图和局部立体图。如图所示，该电路组件孔链接构2是呈现环状的结构，且具有第一金属层20、第二金属层22及多个形成于该第一金属层20上的通孔24,该第二金属层22位于该第一金属层20的上方,其中，该第一金属层20具有多个第一金属片202,该第二金属层22具有多个第二金属片224。 该多个第一金属片202彼此之间是以适当的间隔排列为环状，且以两个相邻的第一金属片202是以头尾相邻的形式形成环状的结构。举例而言，如图所示，该多个第一金属片202皆分别具有第一端点202a及第二端点202b,其中，一该第一金属片202的第一端点202a与相邻的另一第一金属片202的第二端点202b相邻，据此形成环状的结构，且各该通孔24分别形成于该第一金属片202的第一端点202a和第二端点202b上。该第二金属层22，是形成于该多个通孔24上，该第二金属层22包括多个彼此间隔排列为环状的第二金属片224，其中，各该第一金属片202与第二金属片224彼此错位，并通过各该通孔24电性连接该第一金属片202与第二金属片224，以构成串联结构。同样地，该多个第二金属片224彼此之间也是以适当的间隔排列为环状，且两个相邻的第二金属片224是头尾相邻形成环状的结构。举例而言，如图所示，该多个第二金属片224皆分别具有第三端点224a及第四端点224b，其中，且该第三端点224a对应位于该第一端点202a上的通孔24上，该第四端点224b对应位于该第二端点202b上的通孔24上。此外，如图所示，该多个第一金属片202可排列为椭圆形，且该多个第二金属片224也可排列为椭圆形，但也可排列为圆形或其它环状外形。此外，于本专利技术的实施方式中，可进一步包含接地环210及第一、第二、第三接地垫片211、213、215及第一、第二信号垫片212、214。须特别注意的是，该第一、第二、第三接地垫片211、213、215是电性连接至该接地环210，而该第一信号垫片212是电性连接至该第一金属层20或该第二金属层22 ;第二信号垫片214是电性连接至该第一金属层20或该第二金属层22，也就是说，该等接地垫片与该等信号垫片两者是互相电性绝缘的。举例而言，该第一信号垫片212电性连接至上述的串联结构，以将交流或射频测试信号馈入该电路组件孔链接构2，且该第二信号垫片214也是电性连接至上述的串联结构，以接收来自该电路组件孔链接构2的交流或射频测试输出信号。为得到本专利技术的孔链接构，本专利技术还提供一种电路组件孔链接构布局方法，该布局方法主要包括形成第一金属层20,其包括多个彼此间隔排列为环状本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种电路组件孔链接构，包括：第一金属层，包括多个彼此间隔排列为环状的第一金属片；多个通孔，其形成于各该第一金属片上；以及第二金属层，其形成于该多个通孔上，该第二金属层包括多个彼此间隔排列为环状的第二金属片，其中，各该第一金属片与第二金属片彼此错位，并通过各该通孔电性连接该第一金属片与第二金属片，以构成串联结构。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈冠宇，方柏翔，蔡明汎，李信宏，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：