WSI线性颗粒的解决方法技术

本发明专利技术提供一种消除WSI线形颗粒的解决方法，首先将圆片放入酸槽的酸液中，酸液的成份为HF∶H2O＝1∶50并且酸液处于循环状态；其次，每隔20s提起圆片一次，让循环的酸液充分带走颗粒；然后，再次将圆片放入酸液内，这样N个循环(N＞1)后将圆片冲水且甩干。本方法能完全消除WSI线形颗粒，从而防止多晶硅蚀刻后残留产生。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体生产工艺
，尤其涉及一种WSI (硅化钨)线性颗粒的解决方法。
技术介绍
目前使用的WSI-DEP (硅化钨蚀刻)前的湿法清洗菜单，会带来线性颗粒，导致WSI-DEP后出现线性WSI鼓包，进而在多晶硅蚀刻后出现多晶硅残留现象。现有工艺为圆片在酸槽(酸液成份为HF H20 = I 50)中清洗1800S，然后冲水并甩干，但WSI淀积后发现圆片出现严重的线性颗粒问题。 若将原来的清洗时间降低到60S，同时将清洗前一步的等待时间限制在6小时以内，其他条件不变，同样能达到工艺要求，并且发现线形颗粒问题有所改善，但该问题未能彻底解决，因为仍然有程度较轻的线形颗粒出现。为了解决上述问题，很有必要提供一种改进的WSI线性颗粒的解决方法。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术的目的是提供一种能消除WSI线形颗粒的解决方法。本专利技术的目的通过提供以下技术方案实现一种消除WSI线形颗粒的解决方法，其特征在于首先将圆片放入酸槽的酸液中，酸液的成份为HF H20 = I 50并且酸液处于循环状态；其次，每隔20S提起圆片一次，让循环的酸液充分带走颗粒；然后，再次将圆片放入酸液内，这样N个循环(N> I)后将圆片冲水且甩干。进一步地，N = 3时工艺效果最佳。再进一步地，每次提起圆片时可以加入冲水及甩干流程。再进一步地，整个流程为自动完成。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是本方法能完全消除WSI线形颗粒，从而防止多晶娃蚀刻后残留广生。具体实施例方式以下用优选实施方式来说明本专利技术的实现过程和本质内容所在。为了消除WSI线形颗粒，首先保证酸槽中的酸液成份为HF H20 = I 50，并且酸液处于循环状态。其次将圆片放入酸槽的酸液内，每隔20S圆片被提起一次，使酸液循环更加充分地带走颗粒；圆片再次放入酸液内，这样N个循环(N> I)后圆片冲水且甩干，圆片既可以达到蚀刻的工艺目的，又能减少颗粒黏附在圆片上。经过多次实验后发现，当N =3时，工艺效果最佳且能完全消除WSI线形颗粒，从而防止多晶硅蚀刻后残留产生。为了更好地提高生产效率，在目前的清洗设备中可以增加自动作业功能，让整个流程自动完成。当然，圆片每次被提起的时候也可以马上进行冲水和甩干流程，同样可以达到消除WSI线形颗粒的效果。 尽管为示例目的，已经公开了本专利技术的优选实施方式，但是本领域的普通技术人员将意识到，在不脱离由所附的权利要求书公开的本专利技术的范围和精神的情况下，各种改进、增加以及取代是可能的。权利要求1.一种消除WSI线形颗粒的解决方法，其特征在于首先将圆片放入酸槽的酸液中，酸液的成份为HF H20 = I 50并且酸液处于循环状态；其次，每隔20S提起圆片一次，让循环的酸液充分带走颗粒；然后，再次将圆片放入酸液内，这样N个循环(N> I)后将圆片冲水且甩干。2.如权利要求I所述的消除WSI线形颗粒的解决方法，其特征在于N= 3时工艺效果最佳。3.如权利要求I所述的消除WSI线形颗粒的解决方法，其特征在于每次提起圆片时可以加入冲水及甩干流程。4.如权利要求I至3中任一项所述的消除WSI线形颗粒的解决方法，其特征在于整个流程为自动完成。全文摘要本专利技术提供一种消除WSI线形颗粒的解决方法，首先将圆片放入酸槽的酸液中，酸液的成份为HF∶H2O＝1∶50并且酸液处于循环状态；其次，每隔20s提起圆片一次，让循环的酸液充分带走颗粒；然后，再次将圆片放入酸液内，这样N个循环(N＞1)后将圆片冲水且甩干。本方法能完全消除WSI线形颗粒，从而防止多晶硅蚀刻后残留产生。文档编号H01L21/02GK102810458SQ201110143790公开日2012年12月5日 申请日期2011年5月31日 优先权日2011年5月31日专利技术者吕淑瑞 申请人:无锡华润上华半导体有限公司, 无锡华润上华科技有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种消除WSI线形颗粒的解决方法，其特征在于：首先将圆片放入酸槽的酸液中，酸液的成份为HF∶H2O＝1∶50并且酸液处于循环状态；其次，每隔20S提起圆片一次，让循环的酸液充分带走颗粒；然后，再次将圆片放入酸液内，这样N个循环(N＞1)后将圆片冲水且甩干。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：吕淑瑞，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，无锡华润上华科技有限公司，
类型：发明
国别省市：