反光材料及发光二极管装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及反光材料及发光二极管装置，所述反光材料含有：由硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂制备的有机硅树脂组合物、和光反射成分。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及反光材料及发光二极管装置，更详细而言，涉及发光二极管装置以及用于形成在该发光二极管装置中使用的反射器的反光材料。
技术介绍
近年来，作为能发出高能量的光的发光装置，已知有发光二极管装置。发光二极管装置例如具备二极管基板、在二极管基板上安装的LED (发光二极管元件)、以及在二极管基板上在于LED的侧方配置的反射器。在发光二极管装置中，通过从LED向上 方发出的光与将从LED向侧方发出的光用反射器反射而得到的反射光，从而发出更高能量的光。另外，作为用于形成反射器的反光材料，例如，提出了含有环氧树脂、酸酐系固化剂和白色颜料的光半导体元件收纳用安装封装用树脂组合物(例如，参照日本特开2011-060819 号公报)。在日本特开2011-060819号公报中，通过由光半导体元件收纳用安装封装用树脂组合物进行传递成型以在二极管基板上收纳光半导体元件(LED)的方式形成绝缘树脂层(反射器)。
技术实现思路
然而，对于发光二极管装置的绝缘树脂层(反射器)，要求以下两种特性即使LED发出的热传导其光反射率也难以降低的耐热性、以及即使暴露于LED发出的光中其光反射率也难以降低的耐光性。但是，对日本特开2011-060819号公报的发光二极管装置而言，绝缘树脂层的耐热性和耐光性不充分，因此，存在通过长期使用，LED的热与光导致绝缘树脂层的光反射率降低，结果，发光二极管装置的光的输出效率降低的不良情况。本专利技术的目的在于，提供耐热性以及耐光性优异的反光材料、以及具备由该反光材料形成的反射器的光的输出效率优异的发光二极管装置。本专利技术的反光材料的特征在于，其含有由硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂制备的有机硅树脂组合物、和光反射成分。另外，适宜的是，本专利技术的反光材料中，前述光反射成分为白色颜料。另外，适宜的是，本专利技术的反光材料中，前述光反射成分为二氧化钛。另外，适宜的是，本专利技术的反光材料中，前述光反射成分为具有金红石型结晶结构的二氧化钛。另外，适宜的是，本专利技术的反光材料还含有无机填充剂。另外，适宜的是，本专利技术的反光材料中，前述有机硅树脂组合物为半固化状态。另外，适宜的是，本专利技术的反光材料形成为薄片形状。另外，本专利技术的发光二极管装置的特征在于，其具备基板、在前述基板上设置的发光二极管元件、和在前述基板上以包围前述发光二极管元件的方式设置的、由上述反光材料形成的反射器。另外，适宜的是，在发光二极管装置中，前述反射器以紧密贴合在前述发光二极管元件的侧面的方式设置。本专利技术的反光材料由于含有上述有机娃树脂组合物和光反射成分，因此光反射性优异，且耐热性和耐光性均优异。另外，反光材料由于含有上述有机硅树脂组合物，因此可制成半固化状态，能够形成为薄片形状，因而处理性良好。其结果，具备由所述反光材料形成的反射器的本专利技术的发光二极管装置的制造效率得到提高，且光的输出效率优异。 附图说明图I是表示由本专利技术的反光材料形成的反射片的一个实施方式的俯视图。图2是对使用图I所示的反射片制造本专利技术的发光二极管装置的一个实施方式的方法进行说明的工序图，(a)表示准备反射片的工序、(b)表示将反射片相对配置在基板的上方的工序、(C)表不将反射片层置在基板上的工序。图3为对在图2之后使用图I所示的反射片制造本专利技术的发光二极管装置的一个实施方式的方法进行说明的工序图，(d)表示将脱模基材从反射器前体剥下的工序、(e)表示形成荧光体层的工序。图4为对使用由本专利技术的反光材料形成的反射片的另一实施方式、制造本专利技术的发光二极管装置的另一实施方式的方法进行说明的工序图，(a)表示准备反射片的工序、(b)表示形成通孔的工序、(c)表示将反射片相对配置在基板的上方的工序、(d)表不将反射片层置在基板上的工序。图5为对在图4之后使用由本专利技术的反光材料形成的反射片的另一实施方式、制造本专利技术的发光二极管装置的另一实施方式的方法进行说明的工序图，(e)表示将脱模基材从反射器前体剥下的工序、(f)表示切割工序。图6是表示实施例的耐热性评价中的加热时间与相对于加热前的光反射率的比率的关系的图。具体实施例方式本专利技术的反光材料含有有机娃树脂组合物和光反射成分。有机硅树脂组合物是能够进行缩合反应和加成反应(具体而言为氢化硅烷化反应)的缩合-加成反应固化型有机硅树脂组合物。更具体而言，有机硅树脂组合物能够通过加热而进行缩合反应，形成半固化(B阶)状态，接着，能够通过进一步加热而进行加成反应，形成固化(完全固化)状态。在本专利技术中，有机硅树脂组合物含有硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂。其中，硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物和含环氧基硅化合物是缩合原料(供给于缩合反应的原料)，乙烯系硅化合物和有机氢硅氧烷是加成原料(供给于加成反应的原料)。娃醇基两末端聚娃氧烧是在分子的两末端含有娃醇基(SiOH基)的有机娃氧烧，具体而言，用下述通式(I)表示。 通式(I) 权利要求1.一种反光材料，其特征在于，其含有 由硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂制备的有机硅树脂组合物、和光反射成分。2.根据权利要求I所述的反光材料，其特征在于，所述光反射成分是白色颜料。3.根据权利要求I所述的反光材料，其特征在于，所述光反射成分是二氧化钛。4.根据权利要求I所述的反光材料，其特征在于，所述光反射成分是具有金红石型结晶结构的二氧化钛。5.根据权利要求I所述的反光材料，其特征在于，其还含有无机填充剂。6.根据权利要求I所述的反光材料，其特征在于，所述有机硅树脂组合物为半固化状态。7.根据权利要求6所述的反光材料，其特征在于，其形成为薄片状。8.一种发光二极管装置，其特征在于，其具备 基板、和 在所述基板上设置的发光二极管元件、和 在所述基板上以包围所述发光二极管元件的方式设置的、由反光材料形成的反射器， 所述反光材料含有 由硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂制备的有机硅树脂组合物、和光反射成分。9.根据权利要求8所述的发光二极管装置，其特征在于，所述反射器以紧密贴合在所述发光二极管元件的侧面的方式设置。全文摘要本专利技术涉及反光材料及发光二极管装置，所述反光材料含有由硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂制备的有机硅树脂组合物、和光反射成分。文档编号C08K3/00GK102807758SQ201210180500公开日2012年12月5日 申请日期2012年6月1日 优先权日2011年6月1日专利技术者佐藤慧, 伊藤久贵, 大薮恭也, 新堀悠纪 申请人:日东电工株式会社本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种反光材料，其特征在于，其含有：由硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂制备的有机硅树脂组合物、和光反射成分。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤慧，伊藤久贵，大薮恭也，新堀悠纪，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：