无基岛多圈多芯片倒装封装结构制造技术

本实用新型专利技术涉及一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，它包括引脚（1）和芯片（2），所述芯片（2）有多个，所述多个芯片（2）倒装于引脚（1）正面，所述芯片（2）底部与引脚（1）正面之间设置有底部填充胶（7），所述引脚（1）外围的区域、引脚（1）与引脚（1）之间的区域、引脚（1）上部和引脚（1）下部的区域以及芯片（2）外均包封有塑封料（3），所述引脚（1）下部的塑封料（3）表面上开设有小孔（4），所述小孔（4）内设置有金属球（6），所述金属球（6）与引脚（1）背面相接触，所述引脚（1）有多圈。本实用新型专利技术的有益效果是：降低了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了环境污染，能够真正做到高密度线路的设计和制造。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，属于半导体封装

技术介绍
传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程如下所示步骤一、参见图3，取一玻璃纤维材料制成的基板，步骤二、参见图4，在玻璃纤维基板上所需的位置上开孔，步骤三、参见图5，在玻璃纤维基板的背面披覆一层铜箔，步骤四、参见图6，在玻璃纤维基板打孔的位置填入导电物质，步骤五、参见图7，在玻璃纤维基板的正面披覆一层铜箔，步骤六、参见图8，在玻璃纤维基板表面披覆光阻膜，步骤七、参见图9，将光阻膜在需要的位置进行曝光显影开窗，步骤八、参见图10，将完成开窗的部分进行蚀刻，步骤九、参见图11，将基板表面的光阻膜剥除，步骤十、参见图12，在铜箔线路层的表面进行防焊漆(俗称绿漆)的披覆，步骤十一、参见图13，在防焊漆需要进行后工序的装片以及打线键合的区域进行开窗，步骤十二、参见图14，在步骤十一进行开窗的区域进行电镀，相对形成基岛和引脚，步骤十三、完成后续的装片、打线、包封、切割等相关工序。上述传统高密度基板封装结构存在以下不足和缺陷I、多了一层的玻璃纤维材料，同样的也多了一层玻璃纤维的成本；2、因为必须要用到玻璃纤维，所以就多了一层玻璃纤维厚度约10(Tl50Mm的厚度空间；3、玻璃纤维本身就是一种发泡物质，所以容易因为放置的时间与环境吸入水分以及湿气，直接影响到可靠性的安全能力或是可靠性的等级；4、玻璃纤维表面被覆了一层约5(Tl00Mffl的铜箔金属层厚度，而金属层线路与线路的蚀刻距离也因为蚀刻因子的特性只能做到5(Tl00Mffl的蚀刻间隙(参见图15，最好的制作能力是蚀刻间隙约等同于被蚀刻物体的厚度)，所以无法真正的做到高密度线路的设计与制造；5、因为必须要使用到铜箔金属层，而铜箔金属层是采用高压粘贴的方式，所以铜箔的厚度很难低于50Mm的厚度，否则就很难操作如不平整或是铜箔破损或是铜箔延展移位等等；6、也因为整个基板材料是采用玻璃纤维材料，所以明显的增加了玻璃纤维层的厚度10(Tl50Mm，无法真正的做到超薄的封装；7、传统玻璃纤维加贴铜箔的工艺技术因为材质特性差异很大(膨胀系数)，在恶劣环境的工序中容易造成应力变形，直接的影响到元件装载的精度以及元件与基板粘着性与可靠性。
技术实现思路
本技术的目的在于克服上述不足，提供一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，其工艺简单，不需使用玻璃纤维层，减少了制造成本，提高了封装体的安全性和可靠性，减少了玻璃纤维材料带来的环境污染，而且金属基板线路层采用的是电镀方法，能够真正做到高密度线路的设计和制造。本技术的目的是这样实现的一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，它包括引脚和芯片，所述芯片有多个，所述多个芯片倒装于引脚正面，所述芯片底部与引脚正面之间设置有底部填充胶，所述引脚外围的区域、引脚与引脚之间的区域、引脚上部和引脚下部 的区域以及芯片外均包封有塑封料，所述引脚下部的塑封料表面上开设有小孔，所述小孔与引脚背面相连通，所述小孔内设置有金属球，所述金属球与引脚背面相接触，所述引脚有多圈。所述金属球与引脚背面之间设置有金属保护层。所述引脚包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层、钛层或铜层。与现有技术相比，本技术具有以下有益效果I、本技术不需要使用玻璃纤维层，所以可以减少玻璃纤维层所带来的成本；2、本技术没有使用玻璃纤维层的发泡物质，所以可靠性的等级可以再提高，相对对封装体的安全性就会提高；3、本技术不需要使用玻璃纤维层物质，所以就可以减少玻璃纤维材料所带来的环境污染；4、本技术的二维金属基板线路层所采用的是电镀方法，而电镀层的总厚度约在l(Tl5Mffl，而线路与线路之间的间隙可以轻松的达到25Mm以下的间隙，所以可以真正地做到高密度内引脚线路平铺的技术能力；5、本技术的二维金属基板因采用的是金属层电镀法，所以比玻璃纤维高压铜箔金属层的工艺来得简单，且不会有金属层因为高压产生金属层不平整、金属层破损以及金属层延展移位的不良或困惑；6、本技术的二维金属基板线路层是在金属基材的表面进行金属电镀，所以材质特性基本相同，所以镀层线路与金属基材的内应力基本相同，可以轻松的进行恶劣环境的后工程(如高温共晶装片、高温锡材焊料装片以及高温被动元件的表面贴装工作)而不容易产生应力变形。附图说明图I为本技术一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构的示意图。图2为图I的俯视图。图:T图14为传统的高密度基板封装结构的制造工艺流程的各工序示意图。图15为玻璃纤维表面铜箔金属层的蚀刻状况示意图。其中引脚I芯片2塑封料3小孔4金属保护层5金属球6底部填充胶7。具体实施方式参见图I、图2，本技术一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，它包括引脚I和芯片2，所述芯片2有多个，所述多个芯片2倒装于引脚I正面，所述芯片2底部与引脚I正面之间设置有底部填充胶7，所述引脚I外围的区域、引脚I与引脚I之间的区域、引脚I上部和引脚I下部的区域以及芯片2外均包封有塑封料3，所述引脚I下部的塑封料3表面上开设有小孔4，所述小孔4与引脚I背面相连通，所述小孔4内设置有金属球6，所述金属球6与引脚I背面相接触。所述金属球6与引脚I背面之间设置有金属保护层5，所述金属保护层5为抗氧化剂，所述引脚I有多圈。所述金属球6材料采用锡或是锡合金。所述底部填充胶7采用环氧树脂。所述引脚I包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层、钛层或铜层。权利要求1.一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，其特征在于它包括引脚(I)和芯片(2)，所述芯片(2)有多个，所述多个芯片(2)倒装于引脚(I)正面，所述芯片(2)底部与引脚(I)正面之间设置有底部填充胶(7)，所述引脚(I)外围的区域、引脚(I)与引脚(I)之间的区域、引脚(I)上部和引脚(I)下部的区域以及芯片(2)外均包封有塑封料(3)，所述引脚(I)下部的塑封料(3)表面上开设有小孔(4)，所述小孔(4)与引脚(I)背面相连通，所述小孔(4)内设置有金属球(6)，所述金属球(6)与引脚(I)背面相接触，所述引脚(I)有多圈。2.根据权利要求I所述的一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，其特征在于所述金属球(6 )与引脚(I)背面之间设置有金属保护层(5 )。3.根据权利要求I所述的一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，其特征在于所述引脚(I)包括引脚上部、引脚下部和中间阻挡层，所述引脚上部和引脚下部均由单层或多层金属电镀而成，所述中间阻挡层为镍层、钛层或铜层。专利摘要本技术涉及一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，它包括引脚(1)和芯片(2)，所述芯片(2)有多个，所述多个芯片(2)倒装于引脚(1)正面，所述芯片(2)底部与引脚(1)正面之间设置有底部填充胶(7)，所述引脚(1)外围的区域、引脚(1)与引脚(1)之间的区域、引脚(1)上部和引脚(1)下部的区域以及芯片(2)外均包封有塑封料(3)，所述引脚(1)下部的塑封料(3)表面上开设有小孔(4)，所述小孔(4)内设置有金属球(6)，所述金属球(6)与引脚(1)背面相接触，所述引脚(1)有多圈。本技术的有本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种无基岛多圈多芯片倒装封装结构，其特征在于：它包括引脚（1）和芯片（2），所述芯片（2）有多个，所述多个芯片（2）倒装于引脚（1）正面，所述芯片（2）底部与引脚（1）正面之间设置有底部填充胶（7），所述引脚（1）外围的区域、引脚（1）与引脚（1）之间的区域、引脚（1）上部和引脚（1）下部的区域以及芯片（2）外均包封有塑封料（3），所述引脚（1）下部的塑封料（3）表面上开设有小孔（4），所述小孔（4）与引脚（1）背面相连通，所述小孔（4）内设置有金属球（6），所述金属球（6）与引脚（1）背面相接触，所述引脚（1）有多圈。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王新潮，李维平，梁志忠，
申请(专利权)人：江苏长电科技股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：