本发明专利技术是一种芯片设计中解决天线效应的方法和电路。某些芯片设计中需要采用有源屏蔽物理保护设计，其目的是为防止针对智能卡芯片的侵入式攻击。有源屏蔽层对需要物理修改、破坏芯片部分功能的攻击均有防御效果。有源屏蔽线采用顶层金属，其走线比较长，因此会带来严重的天线效应。采取传统的添加二极管的方法，往往会占用较大的芯片面积。本发明专利技术提出的方法是采用传输门结构的电路解决天线效应，电路结构简单，易于实现，而且采用此方法和电路，不会影响电路的功能。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术提出了和电路。该专利技术适用于智能卡设计领域。
技术介绍
针对智能卡芯片的攻击方法很多，大致可以分为三类，侵入式攻击是其中一类，也称作物理攻击。通常使用的芯片反向工程中的工具，包括去除芯片封装、提取版图、切割/连接电路。有源屏蔽层对需要物理修改，破坏芯片部分功能的攻击均有防御效果。在智能卡芯片物理版图设计时，常会采用顶层金属做整个芯片的有源屏蔽。假设设计中金属线在顶层某个起点开始随机走线，并铺满顶层金属，然后在某个终点通过下层金属接到标准单元来进行判定。因为顶层金属走线非常长之后接到MOS管的栅极(假设这根金属线走线长度为1500mm，周长为3000mm)，根据某工艺中的ANT规则 diffTap = diff or tapAnt_short = (tap NOT poly) NOT nwellSRCDRNTAP = diffTap NOT polyAnt_diode = SRCDRNTAP NOT Ant_shortGate_ant = poly AND difffgate_ll = NET AREA RATIO Gate_ant Ant_short ==0 n FSi^MCTro(MelS) y 0'85-480| _ & AREACAntLdiode) 2200)]iAREA.fgate.llJ-----J - (AREACAn.diode) i； AREACf^te.ll) < 0I)假设进行判定的标准单元为某个标准单元，如与非门，则根据设计库中的信息知道 AREA(fgate_ll)为 2. 1x0. 15 = 0. 315unT2。要满足ANT 规则，则需要 AREA (Ant_diode)大于20232unT2。如果米用插入diode (diode area为I. 08umx0. 69um)来解决ANT问题,则需要插入27150个。2)假设自己设计判定的标准单元，将其L增加10倍，AREA(fgate_ll)为2. 1x1.5= 0.315um~2。要满足ANT规则，则需要AREA(Ant_diode)大于2018um~2。如果采用插入diode (diode area 为 I. 08umx0. 69um)来解决 ANT 问题，则需要插入 2708 个。从以上分析结果中看到，如果采取这种方法，需要添加大量的二极管单元或者设计大面积的二极管，从而带来面积的消耗。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提出的是一种有效的解决方法，能用较少的面积解决天线效应。I、在该方法里，将有源屏蔽线先接到MOS管Ml和MOS管M2组成的传输门电路，然后再接到判定电路2中的标准单元。通过将顶层金属有源屏蔽线接传输门的MOS管漏端的方式，而不是gate端，避免了对MOS管栅极的破坏，同时顶层金属有源屏蔽线上积累的电荷也不足以把传输门的junction击穿。另一方面,根据此工艺的天线效应检查规则,此时AREA(fgate_ll)则为0，则不存在天线效应问题。 2、经过以上分析，采用此种解决方案，可以解决智能卡芯片设计中采用有源屏蔽物理保护带来的天线效应问题，同时可以减小问题描述中面积的消耗问题。附图说明图I本专利技术实施例中芯片设计中解决天线效应的电路图具体实施例方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合附图对本专利技术实施做进一步详细说明。在此，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，但并不作为对本专利技术的限定。如图I所示，为本专利技术的实施方法整体结构框架图，该实施方案包含了(但不限于)四个功能模块判断电路1，有源屏蔽线，解决天线效应电路，判定电路2。如图I所示，本专利技术解决天线效应的方法和电路的实施方案示意图，该电路包含(但不限于)一个PMOS和NMOS组成的传输门电路，一个TIEL电路，一个TffiH电路。解决天线效应电路的工作原理如下描述，通过将顶层金属有源屏蔽线接传输门的MOS管漏端的方式，而不是gate端，避免了对MOS管栅极的破坏，同时顶层金属有源屏蔽线上积累的电荷也不足以把传输门的junction击穿。另一方面,根据此工艺的天线效应检查规则，此时AREA(fgate_ll)则为0，则不存在天线效应问题。综上所述，本专利技术提供的和电路，可以解决智能卡芯片设计中采用有源屏蔽物理保护带来的天线效应问题，同时可以减小问题描述中面积的消耗问题。权利要求1.，其特征在于，该方法通过将有源屏蔽线接传输门电路的MOS管漏端，而不是gate端，避免了对MOS管栅极的破坏，同时有源屏蔽线上积累的电荷也不足以把传输门的junction击穿；另一方面，根据天线效应检查规则，此时面积消耗为0，解决天线效应。全文摘要本专利技术是和电路。某些芯片设计中需要采用有源屏蔽物理保护设计，其目的是为防止针对智能卡芯片的侵入式攻击。有源屏蔽层对需要物理修改、破坏芯片部分功能的攻击均有防御效果。有源屏蔽线采用顶层金属，其走线比较长，因此会带来严重的天线效应。采取传统的添加二极管的方法，往往会占用较大的芯片面积。本专利技术提出的方法是采用传输门结构的电路解决天线效应，电路结构简单，易于实现，而且采用此方法和电路，不会影响电路的功能。文档编号H01L27/02GK102800667SQ20121023625公开日2012年11月28日 申请日期2012年7月4日 优先权日2012年7月4日专利技术者李勇, 潘亮, 陈波涛 申请人:北京中电华大电子设计有限责任公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种芯片设计中解决天线效应的方法，其特征在于，该方法通过将有源屏蔽线接传输门电路的MOS管漏端，而不是gate端，避免了对MOS管栅极的破坏，同时有源屏蔽线上积累的电荷也不足以把传输门的junction击穿；另一方面，根据天线效应检查规则，此时面积消耗为0，解决天线效应。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李勇，潘亮，陈波涛，
申请(专利权)人：北京中电华大电子设计有限责任公司，
类型：发明
国别省市：
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