本发明专利技术技术方案公开了一种太阳能电池的制作方法,所述太阳能电池制作方法在制备太阳能电池时,对硅片进行退火处理后再对所述硅片进行制绒。其中,退火的温度小于所述硅片扩散时的工艺温度。通过所述退火处理,控制退火温度,在不改变硅片内杂质再分布的前提下将硅片中沾污片的表面污渍燃烧干净,避免了由于沾污片表面污渍导致的硅片制绒质量差,保证了硅片制绒后绒面的均匀。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光伏发电
,更具体地说,涉及。
技术介绍
由于太阳具有无污染、无地域性限制、取之不竭等优点,开发利用太阳能成为当今新能源领域研究、开发主要课题。太阳能电池是当今人们利用太阳能的一种主要方式。 硅片是太阳能电池的载体,硅片依次经过制绒、扩散制结、边缘刻蚀、去磷硅玻璃、沉积减反膜、印刷电极及烧结工序制备为太阳能电池。所述太阳能电池经过串接封装形成光伏组件,配合相应控制器便构成了具有较大输出功率的光伏发电系统。硅片生产商在硅片生产或包装时会造成部分硅片表面的污染,形成沾污片。在进行太阳能电池制作时,由于购买的原片(硅片)中有沾污片,所述沾污片在进行制绒时其表面不能充分与制绒试剂反应,从而导致硅片制绒效果较差。所述沾污片指表面存在污溃污染的硅片,包括贴纸片、手指印片以及油污片。其中,所述贴纸片是指硅片生产商为了使硅片便于运输、存放,在一定数量的硅片之间会用纸片隔开,所述纸片两边的硅片为贴纸片,贴纸片制绒后会在表面形成大量白斑;所述手指印片是指表面存在由于手指触摸造成的指纹污溃(拆包后无法观测看出)的硅片,手指印片制绒后在硅片绒面上会清晰的显示大量手指印;所述油污片是指由于硅片质量问题,表面存在油污痕迹的硅片,油污片制绒后油污痕迹处有白斑。由上述可知,在太阳能电池制作过程中,由于所述沾污片的存在,导致硅片制绒质量差,绒面不均匀问题。
技术实现思路
为解决上述技术问题,本专利技术提供,该方法在制备太阳能电池时首先对硅片进行退火处理,以去除沾污片上的污溃,保证了硅片制绒的质量,保证了硅片绒面的均匀。。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案,所述方法对硅片进行高温退火处理,然后再对所述硅片进行制绒;其中,退火的温度小于所述硅片扩散制结时的工艺温度。优选的,上述方法中,退火温度为350°C -450°c。优选的,上述方法中,退火时间为5min-10min。优选的,上述方法中,所述制绒为槽式碱制绒。优选的,上述方法中,所述方法还包括在退火后,制绒前对所述硅片进行清水清洗。从上述技术方案可以看出,本专利技术所提供的太阳能电池制作方法在制备太阳能电池时对硅片进行退火处理后再对所述硅片进行制绒。其中,退火的温度小于所述硅片扩散时的工艺温度。通过所述退火处理,控制退火温度,在不改变硅片内杂质再分布的前提下将硅片中沾污片的表面污溃燃烧干净,避免了由于沾污片表面污溃导致的硅片制绒质量差,保证了硅片制绒后绒面的均匀。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图I为本专利技术所提供的一种太阳 能电池制作方法的流程示意图。具体实施例方式正如
技术介绍
部分所述,硅片生产商在硅片生产或包装时会造成部分硅片表面的污染,形成沾污片。购买的硅片在进行太阳能电池生产时,由于存在沾污片,所述沾污片的表面污溃会导致硅片在进行制绒时硅片不能与制绒试剂充分反应,导致硅片制绒质量差,绒面不均匀问题。为解决上述问题,在实际生产时一般的解决方法是对硅片进行筛选进行分类制绒,将娃片表面状况不好的娃片挑选出来,对挑选出来的娃片,选其外观较好的面作为扩散面,对其该面进行制绒。上述方法在一定程度上能够避免沾污片对太阳能电池制绒质量的影响,但是由于片源问题,大多数沾污片两个表面均存在不同程度的污染,且对于手指片,并不能简单通过观察表面状况挑选出来,因此,上述方法并不能十分有效的解决沾污片表面污溃造成的硅片制绒效果较差的问题。而通过增加硅片的去损度,即增加制绒时的制绒时间清洗时间以加大硅片表面的腐蚀厚度虽然可以避免硅片由于表面存在污溃而导致的绒面质量差,即绒面不均匀、存在白斑或指印等问题,但是由于增加了对硅片的腐蚀厚度,降低了硅片制绒后的厚度,导致后续生产中硅片易碎等问题的发生。专利技术人研究发现,在制绒前对硅片进行退火处理,通过控制退火温度,在保证不改变硅片内杂质浓度再分布的前提下降硅片中的沾污片表面的物质燃烧干净,从而可避免沾污片由于其表面污溃导致其制绒效果差,绒面不均匀的问题。基于上述研究,本专利技术提供了一种太阳能电池的制作方法所述方法在制备太阳能电池时,对硅片进行退火处理,然后再对所述硅片进行制绒;其中,所述制绒的温度小于所述硅片的扩散时的工艺温度,保证退火处理不改变所述硅片表面杂质的再分布。在制备太阳能电池时,一般采用的是参有硼杂质的P型硅片或是磷参杂的N行硅片,为了避免退火对硅片内扩散的杂质浓度分布的影响,所以控制退火温度小于所述娃片的扩散时工艺温度。本申请所述技术方案,在制备太阳能电池时对硅片进行退火处理后再对所述硅片进行制绒。其中,退火的温度小于所述硅片扩散时的工艺温度。通过所述退火处理,控制退火温度,在不改变硅片内杂质再分布的前提下将硅片中沾污片的表面污溃燃烧干净,避免了由于沾污片表面污溃导致的硅片制绒质量差,保证了硅片制绒后绒面的均匀。以上是本申请的核心思想,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术,但是本专利技术还可以采用其他不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广,因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。基于上述思想,本申请实施例提 供了,参考图1,所述方法包括步骤Sll :对硅片进行退火处理。对于所有硅片进行设定温度的退火处理,以去除硅片中沾污片表面的污溃。硅片的扩散温度在850°C左右,可将退火温度设定为350°C _450°C以燃烧掉沾污片表面的污溃。在实际生产中,将所有硅片在400°C温度下进行5min-10min的退火处理即可将沾污片表面的各种污溃(无机或有机油污)燃烧干净。由于对所有硅片进行了退火处理,无论是表面污溃可见的贴纸片、油污片,或是表面污溃不可见的手指印片,其表面的污溃均可在退火时燃烧干净。通过一次退火处理即可将硅片中所有沾污片表面的污溃去除掉,工艺简单且工作效率高。而现有技术在进行太阳能电池生产时需要对在大量硅片中挑选出沾污片,工作量大,效率低;且不能完全挑选出硅片中的沾污片,如表面物质不可见的手指印片。步骤S12 :对上述退火后的硅片进行制绒。对硅片进行制绒可采用酸制绒或碱制绒。本申请技术方案采用槽式碱制绒方法对退火后的硅片进行制绒,在制绒槽内采用氢氧化钠试剂对所述硅片进行制绒。利用硅片在碱性试剂中的各向异性腐蚀在其受光面形成金字塔形的绒面以减少硅片表面对太阳光的反射,增加对太阳光的利用率,提高太阳能电池的光电转换效率。由于上述步骤中将沾污片表面的污溃去除干净,在进行制绒时,避免了由于沾污片表面存在污溃导致污溃处的硅不能充分的与氢氧化钠试剂反应造成的硅片绒面质量差的问题,保证了硅片制绒后硅片具有良好的绒面。步骤S13 :对所述硅片进行扩散制结。通过扩散工艺在所述硅片受光面形成PN结。步骤S1本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种太阳能电池制作方法,其特征在于,对硅片进行退火处理,然后再对所述硅片进行制绒;其中,退火的温度小于所述硅片扩散时的工艺温度。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:韩少鹏,
申请(专利权)人:浚鑫科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。