超薄全波整流器制造技术

本发明专利技术实施例公开了一种超薄全波整流器，具有：四个晶片，为同一平面上的四边形排列，且相邻周边上的晶片极性为异-同依次交替排列；四个电极触片，分为上、下层两组电极触片，所述上层两电极触片分别用于电连接所述四个晶片上表面同极性的两个晶片；所述下层两电极触片分别用于电连接所述四个晶片下表面的同一方向上的异极性的两个晶片；封装胶体，包覆所述晶片以及所述电极触片。采用本发明专利技术，可制作成比现有技术的芯片更为薄的整流器，且引脚的脚距以及晶片的类型可根据实际应用进行选择，使得本发明专利技术应用灵活，且四个晶片为平面放置结构，产品可直接紧贴于PC板的散热面上，具有更佳的散热性能，使PN结的温度控制在合理的范围内，提高了工作效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种整流器，尤其涉及一种超薄型全波整流器。
技术介绍
目前市场上已有的桥式整流器的组装方式为立式组装，即为垂直方向上的多层堆叠结构，并用环氧树脂来包覆其结构，其封装方法比较简单，可实现在一模具上依序进行封装，共效率高，但也存在多个缺陷，如正、负极为对角线位置、体积较大，不利于其内部晶片散热，也不适应于高度集成要求体积小的电路上。专利公告号为CN 2369338Y公开了一种桥式整流器01，如图I所示，是以立式封装的方式进行封装，包括四晶粒02，每二晶粒02堆叠排列在一起，于上、下二晶粒02中各利用焊锡片04以连接一第一支脚03，使第一支脚03与晶粒02形成电连接，且二第一支脚·03是于晶粒02的同一侧；另有二第二支脚05分别连接上层二晶粒02与下层二晶粒02，晶粒02与第二支脚05间亦以焊锡片04相连接，以形成电连接，第二支脚05则位于晶粒02的另一侧，且第二支脚05与第一支脚03是沿相对方向延伸，即晶粒02 二侧的第一支脚03与第二支脚05是相对称，并同时往晶粒02的下方弯曲延伸。最外层的胶体06，包覆晶粒以及第一支脚03与第二支脚05的一部份。本现有技术为立式多层结构，虽可利用快速的封装方式，但制作成的产品体积大，工序复杂、需耗费更多的原、料晶粒间的散热不佳，长时间处于工作状态下易产生老化，使所应用的电子线路出现供电故障。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种超薄全波整流器。可利用晶片的特殊的排列结构，将本产品的体积缩小的同时还提高了晶片的散热性能。为了解决上述技术问题，本专利技术实施例提供了一种超薄全波整流器，其具有 四个晶片，为同一平面上的四边形排列，且相邻周边上的晶片极性为异-同依次交替排列； 四个电极触片，分为上、下层两组电极触片，所述上层两电极触片分别用于电连接所述四个晶片上表面同极性的两个晶片；所述下层两电极触片分别用于电连接所述四个晶片下表面的同一方向上的异极性的两个晶片； 封装胶体，包覆所述晶片以及所述电极触片。进步一地，所述上层电极触片的引脚方向为同侧，所述下层电极触片的引脚方向为所述上层引脚的相对称方向。进步一地，根据权利要求2所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述引脚的脚距为 2. 5mm 或 4. Omnin进一步地，所述晶片为STD、FR、HER、SF、SKY之一的晶片材料。更进一步地，，所述电极触片与晶片之间通过焊锡片电连接。作为本专利技术的优选实施方式，连接晶片P面的电极触片表面具有凸起的触点。作为本专利技术的优选实施方式，所述四边形排列呈平行四边形阵列或方形阵列。作为本专利技术的优选实施方式，所述四个电极触片的材质为铜所制成。作为本专利技术的优选实施方式，所述四个电极触片的引脚为镀锡铜。作为本专利技术的优选实施方式，所述电极触片经过热处理。实施本专利技术实施例，具有如下有益效果本专利技术的晶片与电极触片的结构排列紧凑，可制作成比现有技术的芯片更为薄的整流器，且引脚的脚距以及晶片的类型可根据实际应用进行选择，如可制作为STD、FR、HER、SF、SKY整流器，使得本专利技术应用灵活、高效率、高可靠性，且四个晶片为平面放置结构，产品可直接紧贴于PC板的散热面上，具有更佳的散热性能，使PN结的温度控制在合理的温度范围内，提高了工作效率。附图说明图I是现有的桥式整流器的结构示意 图2是本专利技术第一实施例的整体结构示意 图3是本专利技术第一实施例的电极触片与晶片的组装结构示意 图4是第一实施例的爆炸结构示意 图5是本专利技术第二实施例的结构示意 图6是本专利技术第二实施例的整体结构示意图。具体实施例方式 为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述。实施例I : 参照图2、图3、图4所示的本实施例的结构示意图。在本专利技术实施例的超薄全波整流器10中，包含了四个晶片11，四个电极触片12a、12b，四个晶片为一平面上的四边形分布排列，各边上的晶片以上表面的极性为参照，极性依次为“异-同-异-同”排列，使得其中一对边的晶片各自极性相同，且其对边之间极性相异，本实施中优选将晶片11排布成平行四边形或方形，而为了使结构更加紧凑合理，本实施例优选为平行四边形分布，平行四边形分布是指各晶片中心线上形成平行四边形分布，如图3所示结构。四个电极触片分为上层两电极触片12a、下层两电极触片12b，上层两电极触片12a分别电连接四个晶片11上表面中的极性相同的两个晶片，即电极触片121电连接两极性排列相同的晶片111的上表面，电极触片122电连接另一极性相同的两晶片112的上表面，且晶片111与晶片112极性相异；而下层两电极触片12b则分别电连接四个晶片11下表面中同一方向上的相异的晶片，同一方向上的相异的晶片是指同一周边上的两个下表面 极性相异的晶片，即电极触片123、124分别电连接四个晶片下表面上同一侧上的相异极性的晶片，如图4所不，晶片111的上表面为负极性，晶片112上表面为正极性。需要进行说明的是晶片可根据对逆向恢复时间的要求选用不同的芯片，可组装成STD、FR、HER、SF、SKY之一的桥式整流器，本实施例优选为STD普通桥式整流器。为了使电极触片12a、12b与晶片11表面有可靠的电连接，其之前通过焊锡13a、13b进行连接，连接同一极性的晶片表面的电极触片上设置凸起的触点14，本实施中，凸起的触点14优选设置于连接晶片的正极一面上，即P面，如图4所示。需要进行说明的是，呈上、下层分布的电极触片12a、12b将四个晶片11连接成如图5所示的电路原理图所示的电连接。为了使正、负极同向，上层两电极触片12a的引脚方向为同侦彳，下层两电极触片12b的引脚方向为上层两电极触片12a的引脚方向的相对称方向，引脚呈S型，当然也可制作成直插型，本专利技术在此不做限定，如图3、图4所示结构示意图。需要进行说明的是，引脚的脚距可根据实际应用进行设置，如常用的2. 5mm与·4.Omm,本实施例选择4. Omm进行说明，如图2所示。电极触片12a、12b的材质均为铜片，且铜片经过了热处理，使得其具有更佳的组织和应力状态，有利于与晶片11保持牢固的电连接，而电极触片的引脚则为易于焊接的镀锡铜。本实施例的拼接结构示意图如图2、图3所示，封闭胶体15为环氧树脂材料，将晶片11与电极触片12a、12b进行封装，其厚度为I. 4mm。实施例2 在本实施例中，选择使用晶片为FR芯片组装成FR快速整流器，使得本实施例的超薄全波整流器的反向恢复时间为150 1500nS之间，并且将脚距设置为2. 5mm，如图6所示结构封装示意图，其它结构与实施例I描述一致，在此不重复说明。实施例3: 在本实施例中，选择使用晶片为SF芯片组装成SF快速整流器，使得本实施例的超薄全波整流器的反向恢复时间为15 35nS之间，并且将脚距设置为4. 0mm，其它结构与实施例I描述一致，在此不重复说明。实施例4 在本实施例中，选择使用晶片为SKY芯片组装成肖特基桥式整流器，使得本实施例的超薄全波整流器的反向恢复时间为7. 5 15nS之间，并且将脚距设置为4. 0mm，其它结构与实施例I描述一致，在此不重复说明。以上所述是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超薄全波整流器，其特征在于，其具有：四个晶片，为同一平面上的四边形排列，且相邻周边上的晶片极性为异？同依次交替排列；四个电极触片，分为上、下层两组电极触片，所述上层两电极触片分别用于电连接所述四个晶片上表面同极性的两个晶片；所述下层两电极触片分别用于电连接所述四个晶片下表面的同一方向上的异极性的两个晶片；封装胶体，包覆所述晶片以及所述电极触片。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：苏松得，
申请(专利权)人：广东良得电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：