【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
一种用于制作纳米器件的自对准硅盖板，其特征在于，该硅盖板的正面开设有用于制作电极的图形开口，该硅盖板的背面设有一梯台型凹槽，所述梯台型凹槽的底部与所述图形开口的底部相连通，所述梯台型凹槽的底部尺寸与所制作纳米器件的衬底尺寸相同。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李铁，周玉修，王文荣，王跃林，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。