蒸镀掩模板制造技术

本实用新型专利技术涉及一种蒸镀掩模板，所述蒸镀掩模板上设有开口图形区域及图标图案区域，所述图标图案为通孔；所述的图标图案和开口图形一体成型。本实用新型专利技术提供的蒸镀掩模板及其制作方法，开口图形和图标图案一体成型，制作成本低，图标图案可变，蒸镀精度高，工艺简单，具有广阔的市场前景。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种蒸镀掩模板，尤其涉及一种用于制作有机电致发光器件的掩模板极其制作方法。
技术介绍
场致发光器件是一种有效的光学设备，其具有宽敞的可视角，高质量的对比度及较快的相应速度等有点。有机场致发光器件和无机发光器件组成场致发光器件。二者的区别是基于形成场致发光层的物质种类的不同。有机场致发光器件与无机场致发光器件相t匕，具有更高的清晰度及更快的响应速度。而且，其具有更好的彩色显示性能。有机场致发光器件包括一下几个部分透明基片；具有预定图案第一电极(如阳极)，形成在所述透明基片上；有机发光层，其通过真空沉积法蒸镀在具有电极的所述透明 基片上；第二电极(如阴极)，其以与所述第一电极交叉的方向形成在所述有机发光层上。在制造有机场致发光器件的过程中，第一电极由ITO制成。ITO的图案通常通过光刻法制成。即通过湿蚀刻法使用含有氯化铁的蚀刻液来形成图案。由于在制作第二电极时，如果还是用蚀刻的方法做，水分可能进入到有机发光层与第二电极之间的间隙，从而影响到有机场致发光器件的性能，严重会影响其使用寿命。所以现在采用真空沉积法来形成有机场致发光层的有机场致发光材料。此过程中具有和第二电极相同图案的掩模可被设置在场致发光层上，并且用于形成第二电极的物质可被沉积。对比文件200410087462. 8中提到一种具有细小间距图案的主掩模和另一具有图标图案的可分离的掩模，用于在有机发光层形成图标图案。该种图标成型方法存在一定的问题图标图案固定，不可变，蒸锻图标图案具有局限性；具有图标图案的掩模条与主掩模的结合会产生松动，在蒸镀过程中会产生精度偏差;蒸镀过程需要掩模板紧贴基板，而这种掩模组合体会产生掩模整体板面不平整现象，影响蒸镀效果；虽然可以改变图标而不改变掩模图形区域，但该种掩模板制作工艺繁琐，成本高。因此，需要一种新的掩模板解决上述问题，并且形成图标图案。
技术实现思路
本技术要解决的技术问题是提供一种蒸镀掩模板，掩模板一体成型，在蒸镀过程中不会发生松动，不会产生精度偏差，图标图案可变，蒸镀精度高。为了解决上述技术问题，本技术采取的技术方案如下一种蒸镀掩模板，其特征在于，在所述蒸镀掩膜板上设有开口图形区域及图标图案区域，所述图标图案为通孔；所述的图标图案和开口图形一体成型。优选的，所述蒸镀掩模板的材料为因瓦合金、镍铁合金、镍钴合金或纯镍。优选的，所述蒸镀掩模板的厚度为20-100 u m。所述蒸镀掩模板的厚度为20 ii m。所述蒸镀掩模板的厚度为100 u m。所述蒸镀掩模板的厚度为60 V- m。步骤如下第一步基材前处理；第二步贴膜；第二步曝光、显影；第四步蚀刻；第五步脱膜。所述第一步包括对基材进行双面喷砂，清除基材面的杂质，提高干膜与基材之间的结合力。所述第二步包括对处理后的基材进行双面贴膜。所述第三步包括对贴膜后的基材进行双面曝光，曝光区域为除开口图形及图标图形以外的干膜区域；对曝光后的基材进行显影，并去除未曝光干膜，即开口图形和图标图形区域的干膜。所述第四步包括对曝光显影后的基材进行蚀刻，蚀刻区域为无干膜区域，即开口图形和图标图形区域。所述蚀刻的参数如下蚀刻参数如下蚀刻有效长度为5-10m;蚀刻温度为50土 1°C ;蚀刻液成分为氯化铁、氯酸钠、浓盐酸；蚀刻液比重为I. 35-1. 50g/cm3 ;蚀刻传送速度为30-50HZ ;蚀刻液pH为I. 5-1. 7。所述第五步包括对蚀刻后的基材进行脱膜处理。 基材为因瓦合金、镍铁合金、镍钴合金或纯镍。本技术提供一种蒸镀掩模板，开口图形和图标图案一体成型，制作成本低，图标图案及其制作方法可变，蒸镀精度高，工艺简单，具有广阔的市场前景。以下结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明。图I为蒸镀掩模板的结构图；图2为图IA部分放大图；图中I为掩模板，2为开口图形区域，3为图标图案区域，4为开口，5为图标。具体实施方式实施例I :一种，具体的工艺步骤如下基材前处理一贴膜一曝光一显影一蚀刻一脱膜。其中前处理对基材进行双面喷砂，清除基材面的杂质，提高干膜与板之间的结合力。对处理后的基材进行双面贴膜。贴膜后进行双面曝光，曝光特征在于曝光区域为除开口图形及图标图形以外的干膜区域。对曝光后的基材进行显影工艺，除去未曝光干膜，即开口图形区域和图标图形区域的干膜。可以根据不同需求曝出任意图标图案，工艺简单。所述蚀刻参数如下蚀刻有效长度为5-10m ；蚀刻温度为50±1°C;蚀刻液成分为氯化铁、氯酸钠、浓盐酸；蚀刻液比重为I. 35-1. 50g/cm3 ；蚀刻传送速度为30-50HZ ；蚀刻液pH 为 I. 5-1. 7。蚀刻区域为无干膜区域，即开口图形区域和图标图形区域。通过对蚀刻参数的控制，达到对图标图案的清晰度及耐清洗程度的控制。对蚀刻后的基材进行脱膜处理。蚀刻的图标图形上下面平整，蒸镀工艺中，掩模板需与基板紧密贴合，否则会造成蒸镀过程中成膜材料渗入掩模板与基板之间的缝隙中，降低有机材料的成膜率。如附图说明图1-2所示，一种蒸镀掩模板，包括开口图形区域2、图标图案区域3，开口 4和图标5。所述图标5的图案为通孔；开口 4为狭缝，所述带有图标图案和开口图形的蒸镀掩模板一体成型。所述蒸镀掩模板的材料为因瓦合金。所述蒸镀掩模板的厚度为20-100 u m。本技术涉及的一种蒸镀掩模板是用于制作有机电致发光器件的掩模板，具体是用于该有机发光器件的一个薄层的制作。实施例2 —种，具体的工艺步骤如下基材前处理一贴膜一曝光一显影一蚀刻一脱膜。其中前处理对基材进行双面喷砂，清除基材面的杂质，提高干膜与板之间的结合力。对处理后的基材进行双面贴膜。贴膜后进行双面曝光，曝光特征在于曝光区域为除开口图形及图标图形以外的干膜区域。对曝光后的基材进行显影工艺，除去未曝光干膜，即开口图形区域和图标图形区域的干膜。可以根据不同需求曝出任意图标图案，工艺简单。所述蚀刻参数如下蚀刻有效长度为6-10m ；蚀刻温度为50±1°C;蚀刻液成分为氯化铁、氯酸钠、浓盐酸；蚀刻液比重为I. 39-1. 47g/cm3 ；蚀刻传送速度为30-50HZ ；蚀刻液pH 为 I. 5-1. 7。蚀刻区域为无干膜区域，即开口图形区域和图标图形区域。通过对蚀刻参数的控制，达到对图标图案的清晰度及耐清洗程度的控制。对蚀刻后的基材进行脱膜处理。蚀刻的图标图形上下面平整，蒸镀工艺中，掩模板需与基板紧密贴合，否则会造成蒸镀过程中成膜材料渗入掩模板与基板之间的缝隙中，降低有机材料的成膜率。如图1-2所示，一种蒸镀掩模板，包括开口图形区域2、图标图案区域3，开口 4和图标5。所述图标5的图案为通孔；开口 4为狭缝 ，所述带有图标图案和开口图形的蒸镀掩模板一体成型。所述蒸镀掩模板的材料为镍铁合金。所述蒸镀掩模板的厚度为20-100 u m。本技术涉及的一种蒸镀掩模板是用于制作有机电致发光器件的掩模板，具体是用于该有机发光器件的一个薄层的制作。实施例3 一种，具体的工艺步骤如下基材前处理一贴膜一曝光一显影一蚀刻一脱膜。其中前处理对基材进行双面喷砂，清除基材面的杂质，提高干膜与板之间的结合力。对处理后的基材进行双面贴膜。贴膜后进行双面曝光，曝光特征在于曝光区域为除开口图形及图标图形以外的干膜区域。对曝光后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种蒸镀掩模板，其特征在于，在所述蒸镀掩膜板上设有开口图形区域及图标图案区域，所述图标图案为通孔；所述的图标图案和开口图形一体成型。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏志凌，高小平，郑庆靓，
申请(专利权)人：昆山允升吉光电科技有限公司，
类型：实用新型
国别省市：