一种利用保护层形成光电元件的方法技术

技术编号:7975712 阅读:150 留言:0更新日期:2012-11-16 00:55
本发明专利技术揭露一种利用保护层形成光电元件的方法。本发明专利技术在有机电激发光材料上生成一层无反应性材料的超薄保护层,阻绝制程环境中溶剂或气体与材料之直接接触,使材料得以利用光微影技术形成图样,形成有机发光二极体(OLED)显示器之像素。此保护层的厚度极小,在完成後不需由材料表面除去,可留存为显示器之一部分。由于此保护层的超薄厚度,对显示器性能并无负面影响,甚至有提升显示器性能的功效。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光电元件的方法,尤其是。
技术介绍
本专利技术揭露。本专利技术在有机电激发光材料上生成一层无反应性材料的超薄保护层,阻绝制程环境中溶剂或气体与材料之直接接触,使材料得以利用光微影技术形成图样,形成有机发光二极体(OLED)显示器之像素。此保护层的厚度极小,在完成後不需由材料表面除去,可留存为显示器之一部分。由于此保护层的超薄厚度,对显示器性能并无负面影响,甚至有提升显示器性能的功效
技术实现思路
针对上述问题,本专利技术提供。本专利技术揭露。本专利技术在有机电激发光材料上生成一层无反应性材料的超薄保护层,阻绝制程环境中溶剂或气体与材料之直接接触,使材料得以利用光微影技术形成图样,形成有机发光二极体(OLED)显示器之像素。此保护层的厚度极小,在完成後不需由材料表面除去,可留存为显示器之一部分。由于此保护层的超薄厚度,对显示器性能并无负面影响,甚至有提升显示器性能的功效。具体实施例方式本专利技术揭露。本专利技术在有机电激发光材料上生成一层无反应性材料的超薄保护层,阻绝制程环境中溶剂或气体与材料之直接接触,使材料得以利用光微影技术形成图样,形成有机发光二极体(OLED)显示器之像素。此保护层的厚度极小,在完成後不需由材料表面除去,可留存为显示器之一部分。由于此保护层的超薄厚度,对显示器性能并无负面影响,甚至有提升显示器性能的功效。,至少包含提供一基板;涂布一第一电激发光材料於该基板表面上成为一第一发光层;形成一第一保护层於该第一发光层上;进行第一图样制程,形成一第一光阻层於该第一保护层上,形成一第一光罩,藉以在该第一光阻层上定义出所需图样,曝光除去部份该第一光阻层,留存一其余的该第一光阻层;除去部分之该第一保护层,系无该第一光阻层所遮蔽;蚀刻该第一发光层;去除该其余的该第一光阻层,且该第一发光层仍受该第一保护层保护;涂布一第二电激发光材料覆盖於该基板表面上,该第一发光层与该第一保护层上,成为一第二发光层;形成一第二保护层於该第二发光层上;进行第二图样制程,形成一第二光阻层於该第二保护层上,使用适当遮罩与曝光制程,定义该第二光阻层所需图样,曝光除去部份该第二光阻层,留存一其余的该第二光阻层;除去部分之该第二保护层,系无该第二光阻层所遮蔽;蚀刻该第二发光层;去除该其余的该第二光阻层,且该第二发光层仍受该第二保护层保护;涂布一第三电激发光材料覆盖於该基板表面上,该第一发光层,该第一保护层,该第二发光层与该第二保护层上,成为一第三发光层;形成一第三保护层於该第三发光层上;进行第三图样制程,形成一第三光阻层於该第三保护层上,使用适当遮罩与曝光制程,定义该第三光阻层所需图样,曝光除去部份该第三光阻层,留存其余的该第三光阻层;除去部分之该第三保护层,系无该第三光阻层所遮蔽;蚀刻该第三发光层;去除该其余的该第三光阻层,且该第三发光层仍受该第三保护层保护;以及形成一阴极层於该第一保护 层,该第二保护层,及该第三保护层上,藉以形成具保护层之光电元件。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种利用保护层形成光电元件的方法,至少包含:提供一基板;涂布一第一电激发光材料於该基板表面上成为一第一发光层;形成一第一保护层於该第一发光层上;进行第一图样制程,形成一第一光阻层於该第一保护层上,形成一第一光罩,藉以在该第一光阻层上定义出所需图样,曝光除去部份该第一光阻层,留存一其余的该第一光阻层;除去部分之该第一保护层,系无该第一光阻层所遮蔽;蚀刻该第一发光层;去除该其余的该第一光阻层,且该第一发光层仍受该第一保护层保护。

【技术特征摘要】
1. 一种利用保护层形成光电元件的方法,至少包含提供一基板;涂布一第一电激发光材料於该基板表面上成为一第一发光层;形成一第一保护层於该第一发光层上;进行第一图样制程,形成一第一光阻层於该第一保护层上,形成一第一光罩,...

【专利技术属性】
技术研发人员:费金华
申请(专利权)人:吴江华诚复合材料科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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