一种双层ITO的布线结构制造技术

本发明专利技术涉及一种单层ITO的布线结构，由多个正、负触控电极组成，所述正负触控电极相向排列，且一个方向上的电极分别布设于另一个方向电极之间的空隙区域。本发明专利技术所述的单层ITO的布线结构，相对双层ITO的布线而言，制造工艺更加简单，所以成本低廉，再者，由单层ITO组成的触摸屏厚度较薄，功能上相互匹配性能好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种触摸屏的双层ITO布线结构，尤其是一种具有良好线性度和防水效果的双层ITO布线结构。
技术介绍
随着科学技术的发展，触摸屏已经逐渐取代机械式按钮面板成为手机、笔记本等电子设备新的操作界面。现有的触摸屏，包括基板和双层ITO(Indium Tin Oxides,铟锡氧化物)，双层ITO的铺设方式有两种，一种是ITO层铺设在基板的双侧，其中一 ITO层为X轴检测层，另一 ITO层为Y轴检测层。另一种为两层ITO层均铺设在基板的同一侧，为了避免电极之间的相互导通，在玻璃基板上设置桥接点。无论哪一种铺设方式，现有的ITO层的布线结构一般由多个平行排列的长方形电极组成，并且两层ITO的长方形电极相互垂直。这种布线结构虽然比较简单，但是由于介电常数等条件的限制，线性度和防水效果欠佳，影 响用户的使用效果。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种具有良好的线性度和防水效果的双层ITO布线结构。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种双层ITO的布线结构，其中一 ITO层包括若干个平行排列第一触控电极，另一 ITO层包括若干个平行排列的第二触控电极，所述第一触控电极与所述第二触控电极相互垂直，所述第一触控电极包括主体和至少一自所述主体延伸的支体。与现有技术相比，本专利技术的双层ITO布图结构，所述第一触控电极自主体延伸有支体，缩短了耦合距离，获得更好的线性度和防水等抗干扰能力。附图说明图I是本专利技术一实施例的双层ITO布线结构的示意图。图2是本专利技术一实施例双层ITO布线结构中其中一 ITO层的示意图。图3是本专利技术一实施例双层ITO布线结构中另一 ITO层的示意图。图4是本专利技术另一实施例双层ITO布线结构的其中一 ITO层的示意图。图5是本专利技术另一实施例双层ITO布线结构的另一 ITO层的示意图。具体实施例方式下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步的说明。请参考图I至图3所示，本专利技术涉及一种双层ITO的布线结构，所述双层ITO层包括若干个平行排列的第一触控电极I和若干个平行排列的第二触控电极2，所述第一触控电极I和所述第二触控电极2相互垂直排列，所述第一触控电极I铺设于其中一层IT0，所述第二触控电极2铺设于另一层ITO。所述第一触控电极I包括主体100以及自主体100延伸并平行排列的支体101，所述支体101在主体100两侧相对设置，自同一主体100向相同方向延伸的支体101相同,所述支体101的设置缩小了耦合距离，加强电容耦合。根据所述第一触控电极I在所述ITO层中所处位置不同，所述支体101自所述主体100向两侧延伸的长度不同,但所述第一触控电极I的主体100两侧相对设置的两个支体101长度的总和均相等，其中位于所述ITO层中间位置的第一触控电极10的支体101自所述主体100向两侧延伸的长度相等；位于所述边缘的位置的第一触控电极11的支体101只向中间方向延伸；位于中间位置和边缘位置之间的第一触控电极12，其朝向中间位置的支体101长度逐渐增大，其朝向边缘位置的支体101长度逐渐减小。并且位于中间位置和边缘位置之间的第一触控电极12相对中间位置的第一触控电极10两两对称设置，以与所述中间位置处的第一触控电极10相邻的两个第一触控电极12为例，两者朝向中间位置处的第一触控电极10延伸的支体101长度相等，两者朝向边缘位置处的第一触控电极11延伸的支体101长度相等。所述支体101根据位置不同， 其支体的排布方式不同，并不断接近中间位置的第一触控电极10的排布方式，这样可以使得上下信号分布趋于中间状态。所述第二触控电极2为封闭的框型，中间形成镂空孔，两层ITO层叠加时，部分第一触控电极I的支体101位于所述第二触控电极2的镂空孔对应位置处，另一部分第一触控电极I的支体101位于两相邻第二触控电极的间隙对应位置处，即两个相邻的第一触控电极I的支体，其中一个支体101位于所述第二触控电极2的镂空孔对应位置处，另一个支体101位于两相邻第二触控电极的间隙对应位置处。请参考图4和图5，本专利技术的另一实施例，其相较于上一个实施例，在所述第一触控电极I的相邻的两个支体101以及两相邻的第一触控电极I之间添加有悬浮块102，所述悬浮块102以行和列的形式整齐排列，所述悬浮块102为正方形，但是并不限定于正方形，其还可以根据需要选择长方形、圆形、三角形、梯形、不规则图形等其他形状。同时所述第二触控电极2也可以根据需要在其内部和两相邻的第二触控电极2的间隙添加悬浮块102。添加悬浮块102可以进一步增大了电容耦合，达到更好的线性度和防水等抗干扰的目的。本专利技术并不限于上述实施例，如所述第二触控电极2可以选择与所述第一触控电极I相同的布图结构，采用与第一触控电极I垂直的横向排列；或者第二触控电极形状为条形，平行排列，及其他可选择的图形结构；所述第一触控电极向两侧延伸的支体错位设置等其他布图结构。本专利技术的双层ITO布图结构，所述第一触控电极I自主体100向两侧延伸有支体101，缩短了耦合距离，获得更好的线性度和防水等抗干扰能力，并且通过第一触控电极I所处的位置不同，所述支体101的长度相应的增加或者减少，实现上下信号分布趋于中间状态，获得更好的防水等抗干扰的能力，并在所述第一触控电极I和/或第二触控电极2添加有悬浮块102，进一步增加电容耦合，获得更好的线性度和抗干扰能力。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双层ITO的布线结构，其中一ITO层包括若干个平行排列的第一触控电极，另一ITO层包括若干个平行排列的第二触控电极，所述第一触控电极与所述第二触控电极相互垂直，其特征在于：所述第一触控电极包括主体和至少一自所述主体延伸的支体。

【技术特征摘要】
1.一种双层ITO的布线结构，其中一 ITO层包括若干个平行排列的第一触控电极，另一 ITO层包括若干个平行排列的第二触控电极，所述第一触控电极与所述第二触控电极相互垂直，其特征在于所述第一触控电极包括主体和至少一自所述主体延伸的支体。2.如权利要求I所述的双层ITO布线结构，其特征在于所述支体自所述主体向两侧延伸，其相对设置或者错位设置。3.如权利要求2所述的双层ITO布线结构，其特征在于所述第一触控电极的主体两侧相对设置或者错位设置的两个支体长度的总和均相等。4.如权利要求I所述的双层ITO布线结构，其特征在于根据所述第一触控电极在所述ITO层的位置不同，所述第一触控电极的支体延伸的长度不同。5.如权利要求I所述的双层ITO布线结构，其特征在于位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷奥纳·波特曼，张开立，
申请(专利权)人：苏州瀚瑞微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：