本发明专利技术涉及半导体检查装置,有效地进行与实际规格一致的更准确的光量检查。具有:分度工作台(2),被设置多个台面(21),并使多个台面(21)移动;插座(6),搭载于台面(21)上,作为半导体芯片的LED元件芯片(5)收容于其内部并能够被通电;拾取器(71),将对半导体晶片(4)进行切片化后的多个LED元件芯片(5)中的、数量比其少的一个或者多个LED元件芯片(5),移送到分度工作台(2)的多个台面中的、数量比其少的一个或者多个台面(21)上的各插座(6);以及检查部件,在一个或者多个台面(21)上搭载一个或者多个LED元件芯片(5)而检查一个或者多个LED元件芯片(5)。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及例如针对LSI元件、LED元件以及激光元件等的发光元件等的检查对象器件检查发光光量等的半导体检查装置。
技术介绍
以往,针对LED元件或激光元件等的发光元件的检查例如有DC检查、光量检查以及ESD检查等,但例如光量检查由于混入来自相邻的发光元件的光,从而无法进行准确的检查,因此对每个元件芯片(chip)分别进行。在元件芯片的切片化后将粘性片材拉伸,从而在元件与相邻元件之间设置间隙,并对每个元件芯片的各端子接触探测器(probe),从而进行光量检查。这样,在LED元件周边,晶片切片化后拉伸粘性片材,从而在元件与相邻元 件之间设置间隙,并在片材状态下对各个元件芯片从上表面进行探测,从而进行LED元件的光量测定。图7是用于说明以往的半导体检查装置的光量检查方法的示意图。如图7所示,作为以往的半导体检查装置100的光量检查方法,对各LED元件芯片103以粘性片材101的粘性片材状态从上方降下各探测器104、104从而使LED元件芯片103的各端子103a、103b接触各探测器104、104,其中在粘性片材101上切片化后的元件与相邻元件之间设置了间隙的半导体晶片102上设置多个LED元件芯片103。接着,对各探测器104、104之间施加规定电压而使LED元件芯片103发光从而进行光量检查,并移动到相邻元件而重复同样的动作。此外,从粘性片材101拾取每一个芯片而定位于规定位置。接着,以夹持了定位的LED元件芯片103的状态,从上方降下各探测器104、104,从而使LED元件芯片103的各端子103a、103b接触各探测器104、104。接着,在各探测器104、104之间施加规定电压而使LED元件芯片103发光,从而进行光量检查。此后,将LED元件芯片贴在其他的粘性片材上。接着,在专利文献I公开了以下的装置粘性片材本身持有电极,从而能够接触LED元件芯片的反面。图8是用于说明在专利文献I公开的以往的半导体检查装置的检查方法的主要部分纵断面图。在图8中,在以往的半导体检查装置200中,通过晶片加工设置了多个发光元件芯片201的晶片的发光元件芯片201的反面201a贴着导电性粘性片材202,并分割晶片,撑开导电性粘性片材202,从而将各导电性粘性片材202之间分离。对导电性粘性片材202连接检测器(tester)203的导线204。使包含探测器电极205、光路变换部206以及受光元件207的活动平台208接触已分离的发光元件芯片201。利用在检测器203布线连接的探测器电极205的前端,按压发光元件芯片201的上部电极209,从而从检测器203通过探测器电极205对上部电极209流过驱动电流,从而使发光元件芯片201发光。将从发光元件芯片201的端面横向发出的光,通过光路变换部206变换为向上的光,从而在受光元件207受光。而且,将来自光路变换部206的分支光进入频谱分析仪210,从而检查发光频谱。此后,抬高活动平台208,将导电性的台面211横向移动,从而在导电性粘性片材202上依次进行下一个发光元件芯片201的检查。由此,减少芯片搬运次数,进一步简化搬运系统,减少搬运引起的时间、工作,减少搬运引起的芯片磨损的可能性。现有技术文献专利文献I :(日本)2008-2858号公报在上述以往的半导体检查装置100中,如图7所示,一边 进行粘性片材101上的LED元件芯片103的x-y-0校正,一边通过探测器104接触。因此,存在以下问题对准位置需要时间;在张开粘性片材101的状态检查在半导体晶片102设置多个的各LED元件芯片103,因此若存在LED元件芯片103的排列偏差,则探测器104无法接触。此外,将在半导体晶片102设置多个的各LED元件芯片103,一个一个依次进行测定需要很多检查时间。此外,通过LED元件芯片103发出的光不仅照射到上方,还照射到下方的粘性片材101侧,但粘性片材101吸收光,从而即使在上侧测定光量,也无法进行准确的光量检查。通常,在粘性片材101侧设置反射板,从而从LED元件芯片103向下侧照射的光也会朝向前方。接着,在专利文献I公开的上述以往的半导体检查装置200中,如图8所示,虽然粘性片材202本身持有电极从而能够接触反面,但如果是LED元件,以蓝宝石玻璃(Sapphire glass)作为基座,因此由于蓝宝石因研磨而削薄等原因,在发光元件芯片201的反面201a很难形成电极。此外,在片材状态下的探测器电极205与上部电极209的接触中,在大电流芯片的测定时,粘性片材202由于发热而熔化的可能性高。此时的片材温度有成为摄氏200度以上的顾虑。此外,在以往技术的片材状态下,无法应对接触反面发光(倒装芯片),且在现有的装置中,由于经由粘性片材202进行光学系统测定,因此完全无法进行准确的测定。另外,在片材状态下测定发光光量时,由于与相邻芯片之间的距离而妨碍发光,因此不能测定准确的发光量。此外,由于粘性片材202介入,从而无法获取来自反面的发射光,导致成为与实际规格不同的环境测定。另外,当片材方式的情况下以拉伸粘性片材202的状态检查LED元件芯片201,因此存在各LED元件芯片201发生由于拉伸粘性片材202而引起的0偏差的问题。
技术实现思路
本专利技术用于解决上述以往的问题,其目的在于提供以下的半导体检查装置消除在以拉伸粘性片材的状态检查发光元件的光量时产生的排列偏差引起的错误接触的问题、非常大的检查时间的问题、元件反面端子的制作的问题、发热的问题、反面发光的问题,并能够有效地进行与实际规格一致的更准确的光量检查。本专利技术的半导体检查装置包括分度工作台部件,被设置多个台面,并使该多个台面移动;以及检查部件,在该多个台面搭载多个半导体芯片,从而检查该多个半导体芯片,由此达到上述目的。此外,优选地,还包括插座部件,搭载于本专利技术的半导体检查装置中的台面上,所述半导体芯片被收容于其内部拨那个能够通电。更优选地,本专利技术的半导体检查装置的插座部件被构成为,能够对所述半导体芯片的上表面或者下表面的各端子电连接。更优选地,在本专利技术的半导体检查装置中,还包括第I移送部件,将对半导体晶片进行了切片化后的多个半导体芯片中的、数量比其少的多个半导体芯片,移送到所述分度工作台的多个台面中的、数量比其少的多个台面。更优选地,本专利技术的半导体检查装置中的半导体芯片是发光元件芯片,所述检查部件进行该发光元件芯片的光学检查以及DC特性检查。更优选地,本专利技术的半导体检查装置中的插座部件在所述半导体芯片的搭载面上设置反射板。 更优选地,本专利技术的半导体检查装置中的所述插座部件开放所述半导体芯片的周边部,或者对该周边部设置透光材料。更优选地,还包括第2移送部件,将本专利技术的半导体检查装置的检查后的插座部件内的半导体芯片,根据检查结果移送到不同的片材。更有选地,本专利技术的半导体检查装置中的第I移送部件以及第2移送部件在一并移送多个半导体芯片时,移送源与移送目的地的该多个半导体芯片的拾取间隔不同。更优选地,本专利技术的半导体检查装置中的插座部件具有在内部对所述半导体芯片进行定位的定位机构。更优选地,本专利技术的半导体检查装置中的检查部件对所述分度工作台部件的各台面,具有规定的各测定功能。更优选地,使设置于本专利技术的半导体检查装置中的分本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体检查装置,包括:分度工作台部件,被设置多个台面,并使该多个台面移动;以及检查部件,在该多个台面搭载多个半导体芯片,从而检查该多个半导体芯片。
【技术特征摘要】
2011.05.11 JP 2011-1067381.一种半导体检查装置,包括 分度工作台部件,被设置多个台面,并使该多个台面移动;以及 检查部件,在该多个台面搭载多个半导体芯片,从而检查该多个半导体芯片。2.如权利要求I所述的半导体检查装置,还包括 插座部件,搭载于所述台面上,所述半导体芯片被收容于其内部并能够通电。3.如权利要求2所述的半导体检查装置,其中, 所述插座部件被构成为,能够对所述半导体芯片的上表面或者下表面的各端子电连接。4.如权利要求I所述的半导体检查装置,还包括 第I移送部件,将对半导体晶片进行了切片化后的多个半导体芯片中的、数量比其少的多个半导体芯片,移送到所述分度工作台的多个台面中的、数量比其少的多个台面。5.如权利要求I所述的半导体检查装置,其中, 所述半导体芯片是发光元件芯片,所述检查部件进行该发光元件芯片的光学检查以及DC特性检查。6.如权利要求2或3所述的半导体检查装置,其中, 所述插座部件在所述半导体芯片的搭载面上设置反射板。7.如权利要求2或3所述的半导体检查装置,其中, 所述插座部件开放所述半导体芯片的周边部,或者对该周边部设置透光材料。8.如权利要求I或4所述的半导体检查装置,还包括 第2移送部件,将检查后的插座部件内的半导体芯片,根据检查结果移送到不同的片材。9.如权利要求4所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员:斋藤仁,
申请(专利权)人:夏普株式会社,
类型:发明
国别省市:
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