【技术实现步骤摘要】
一种无压掺铒镧的氮化硅生产工艺本专利技术涉及一种陶瓷材料
,具体是一种氧化铒氧化镧作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法。氮化硅陶瓷具有优异的高温力学性能,被公认为是最有发展前途的高温结构陶瓷材料之一。氮化硅作为一种共价键化台物,扩散系数小,没有熔点,约在2173K分解成氨和硅,难于烧结。通常的氮化硅陶瓷有反应烧结和热压烧结,反应烧结致密度差,力学性能差,热压烧结虽然密度高,力学性能好,但成本较高,难以大规模生产。而无压烧结介于两者之间,由于氮化硅陶瓷为共价键化合物,无压烧结困难,提高无压烧结氮化硅陶瓷的密度成为 研究热点,通常加稀土氧化物作为烧结助剂,如氧化铱。但氧化铱的成本较高,对于氮化硅 的应用推广不利。为此我们选用氧化铒氧化镧作为添加剂以改善氮化硅的烧结密度和力学性能。本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供一种氧化铒氧化镧作为添加剂无压烧结生产高性能氮化硅陶瓷的方法。本专利技术生产方法简单,成本低,易实现产业化生产;本专利技术的氧化铒氧化镧作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷具有密度高,力学性能好的特点。本专利技术是通过以下技术方案实现的本专利技术所涉及的氧化铒氧化镧作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷,组分及质量百分比含量为氧化铒3% 7%,氧化镧5% 8%,氮化硅85% 92%。所述的氧化铒粒度3 6微米,氧化镧粒度5 7微米,氮化硅粒度O. 4 O. 7微米。本专利技术所涉及的氧化铒氧化镧作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷方法,包括如下步骤步骤一,分别称取氧化铒氧化镧和氮化硅陶瓷粉体,在行星式球磨机中以每分钟270 330转混合2 ...
【技术保护点】
一种无压掺铒镧的氮化硅生产工艺所涉及的氧化铒氧化镧作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷,组分及质量百分比含量为:氧化铒3%~7%,氧化镧5%~8%,氮化硅85%~92%。所述的氧化铒粒度3~6微米,氧化镧粒度5~7微米,氮化硅粒度0.4~0.7微米。
【技术特征摘要】
1.一种无压掺铒镧的氮化硅生产工艺所涉及的氧化铒氧化镧作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷,组分及质量百分比含量为氧化铒3% 7%,氧化镧5% 8%,氮化硅85% 92%。所述的氧化铒粒度3 6微米,氧化镧粒度5 7微米,氮化硅粒度0. 4 0.7微米。2.根据权利要求I所述的一种无压掺铒镧的氮化硅生产工艺所涉及的氧化铒氧化镧作为添加剂无压烧结生产的氮化硅陶瓷方法,包括如下步骤 步骤一,分别称取氧化铒氧化镧和氮化硅陶瓷粉体,在行星式球磨机中以每分钟270 330转混合2小时,分散介质为无水乙醇,随后在60°C烘干,时间为2 3小时,得到混合均匀的氧化铒氧化镧和氮化硅陶瓷混合粉体; 步骤二,将步骤一的混合粉体在75 IOOMpa压力下成型,形成素坯; 步骤三,将步骤二中的素坯在真空碳管炉中在氮气保护下,在14...
【专利技术属性】
技术研发人员:丁勤,
申请(专利权)人:昆山智集材料科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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