本发明专利技术涉及一种封装玻璃组合物及含有该组合物的OLED显示板，具体地说，涉及一种含有a)低熔点玻璃及b)催化剂的封装玻璃组合物及含有该组合物的OLED显示板。本发明专利技术提供了一种封装玻璃组合物及含有该组合物的OLED显示板，其具有如下效果：第一，在氧化条件下烧结时，红外线吸收率高(黑度高)，容易吸收激光，因此，能够实施瞬时封装，从而可以节约工序费用，缩短生产时间；第二，单独制造及混合使用低熔点玻璃与催化剂，容易调节晶化起始温度(Tx)及晶化温度Tc)范围，因此，假烧结时可以提高部分晶化度，在较宽的烧结温度范围内提高致密度，从而解决脆弱的裂缝问题。封装时能够在数秒内瞬时晶化，适合于对封装脆弱的OLED激光密封工艺。第三，软化温度(Ts)与材料的晶化温度(Tx)的范围(Tx-Ts)在20℃以下，比较窄，因此实施激光密封时，能够在数秒内晶化，封装后的密封性、耐久性、可靠性及强度等都比较高，不含铅与铋成份，从而能够作为OLED封装用材料使用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种封装玻璃组合物及包含该组合物的显示板，具体地说，就是涉及一种能够在450°c以下的低温条件下进行瞬时封装，且致密度高，不发生裂缝，封装后的密封性、耐久性、强度及可靠性等都非常优秀的封装玻璃组合物及包含该组合物的显示板。
技术介绍
在显示器领域中，平板显示装置(Flat Panel Display)由前面板和后面板等构成，通过两个面板之间的电驱动，就可以显示出我们能够用肉眼确认的影像。在这种情况下，两个面板之间必须保持一定的间隔并相互结合，为此，就必须使用封装材料。在这里，需要注意的是，如果封装温度过高，面板就会受到热损伤，因此，应当最大限度地降低封装温 度。另外，如果利用OLED制造显示设备或者照明光源时，就需要采用保护对水分和空气等脆弱的有机物免受外部环境影响的封装技术(encapsulationtechnologies),用于封装的玻璃粉(glass frit)与现在主要使用的聚合物材料相比，其浸水性和耐久性更好，从而能够延长OLED元件的寿命。另外，通过玻璃粉实施的封装可用于热膨胀率非常低的基板(Eagle 2000TM)。此外，上述玻璃粉在烧结时变薄为数μ m程度，因此，为了防止在高温条件下有机发光物质受到损伤，可以使用能够只对上述玻璃粉进行局部加热的激光作为热源。所以，完成假烧结步骤之后的致密度、由热冲击产生的裂缝特性及密封后晶化特性等都对OLED元件的质量和寿命起着重要作用。但是，到目前为止，PbO系玻璃等一直作为上述封装材料而被广泛使用。上述PbO系玻璃等即使是在低的烧结(sintering)温度条件下也能够封装,其粘合性、化学稳定性等也很好。但是，由于其含有类似PbO等的有毒物质，因此对人体及环境有害，从而许多国家已限制使用。日本公开专利第2003-041695号及日本公开专利第2004-2520276号中公开了一种不含PbO的封装加工用V2O5-ZnO-BaO系玻璃组合物。但是，上述V2O5-ZnO-BaO系玻璃组合物在假烧结步骤中除去粘合剂之后，为确保其致密度就必须减少耐火填料的添加量，因此发生由受热冲击产生的裂缝问题。另外，为了改善致密度，如果升高烧结温度，在进行本烧结步骤之前就会晶化，从而导致在本烧结步骤中实施激光密封时不能够很好地粘合的问题。另外，韩国公开专利第2010-0035417号及日本公开专利第2010-0105267号中公开了一种封装加工用V2O5-ZnO-BaO-P2O5系玻璃组合物。但是，晶化温度(Tc)分别升高到470°C、600°C，从而导致在实施激光密封时不能够晶化，强度变弱，因此受热冲击影响很容易发生裂缝，耐久性也会变得很差的问题。
技术实现思路
技术问题为了解决上述现有技术的问题，本专利技术的目的在于提供一种能够在450°C以下的低温条件下进行瞬时封装，且致密度高，不发生裂缝，封装后的密封性、耐久性、强度及可靠性等都非常优秀的封装玻璃组合物及包含该组合物的显示板。本专利技术的上述目的及其它目的通过以下说明的本专利技术都能够实现。技术方案为了实现上述目的，本专利技术提供一种含有a)低熔点玻璃及b)催化剂的封装玻璃组合物。另外，本专利技术提供了一种显示器，其包括前面板、荧光体、金属电极及后面板，上述前面板及后面板通过上述封装玻璃组合物封装。技术效果 如上所述，本专利技术提供了一种能够在450°C以下的低温条件下进行瞬时封装，且致密度高，不发生裂缝，封装后的密封性、耐久性、强度及可靠性等都非常优秀的封装玻璃组合物及包含该组合物的显示板。另外，本专利技术的封装玻璃组合物具有较高的红外线吸收率，其黑度较高，即使在氧化环境下也能够实施封装工艺，因此可以大大节减工序时间及工序费用。将分别制造的低熔点玻璃与催化剂混合，可以改善OLED封装的激光密封工序范围(margin)(从能够实施激光密封工序的临界功率到低功率的范围)。将软化温度(Ts)与晶化起始温度(Tx)之间的差(Tx-Ts)控制在20°C以内，通过确保假烧结时充分的烧结范围(margin)和致密度及部分晶化可以改善热稳定性，并防止发生裂缝。另外，实施激光密封时，可以实现瞬时晶化及粘合，从而显著改善高密封性、耐久性、强度、粘合性能等。作为参考，上述激光密封通过调节功率强度和移动时间及点(spot)与基板间的距离实施，如果封装用玻璃组合物不能完全熔化，为了使其熔化，就必须提高激光功率，这样就会导致连本体基板都遭受破损的问题。因此，为了确保工序质量的稳定，就迫切需要能够利用低功率实施激光密封的封装玻璃组合物，本专利技术就解决了这一问题。附图说明图I是通过差热分析装置分析的普通无铅玻璃粉的吸、发热-温度的相关图(玻璃熔块的差热分析曲线，glass frit DTA curve), Tm表示熔点(°C )；图2是制造例8中制造的低熔点玻璃材料的吸、发热-温度的相关图；图3是制造例12中制造的催化剂的吸、发热-温度的相关图；图4是实施例I中制造的封装玻璃组合物的吸、发热-温度的相关图；图5是对实施例5中制造的封装玻璃组合物的三点弯曲强度进行测定的模式图；图6是对实施例5中制造的封装玻璃组合物实施激光密封后显示其密封状态的普通相机照片及OM(Optical Microscope)照片。具体实施例方式下面，将对本专利技术进行详细说明。本专利技术人基于以下事实完成本专利技术分别制造低熔点玻璃与催化剂，在将其按规定比例混合的情况下，能够在较宽的温度范围内调节晶化起始温度(Tx)，因此，即使是在假烧结时其致密度也很好。因为构成部分晶化，因此即使添加40%以下比例的低热膨胀耐火填料，也不会因受热冲击影响而发生裂缝。本专利技术的封装玻璃组合物的特征在于，其含有a)低熔点玻璃及b)催化剂。在本说明书中假烧结是指，为了防止本烧结时残留有机物导致的密封特性降低，密封或者本烧结之前从玻璃组合物中脱脂有机载体等有机物的先行热处理步骤。在本说明书中致密度是指，能够确认烧结与否的切面微细构造的熔化标准，致密度高是指玻璃组合物受热完全熔化，一般情况下，烧结时可以对封装用玻璃组合物(试样)的密度进行测定并作定量化处理。在本说明书中，Tdsp是指弯曲点，Tc是指晶化温度，Tx是指晶化起始温度，Ts是指软化点。在本说明书中，失透是指失去透明性，具体地说，就是指熔融玻璃配料时未被熔融而不能形成玻璃的情况。上述a)低熔点玻璃的假烧结范围(Tc-Tdsp)优选为180至230°C，更优选为180至200°C。上述b)催化剂的假烧结范围(Tc-Tdsp)优选为50至100°C，更优选为60至80°C。在这一范围内，不含铅或铋，而且流动性及黑度较高，且可以在氧化环境下烧结，从而大大节减工序费用。上述a)低熔点玻璃的优选晶化温度(Tc)在500°C以上，弯曲点(Tdsp)在320°C以下。上述b)催化剂的弯曲点(Tdsp)优选在320°C以下，晶化温度(Tc)优选在400°C以 下。在这一范围内，假烧结时致密度较高，在本烧结后，即激光密封后可以完全晶化，从而具有很好的粘合效果。优选地，上述a)低熔点玻璃含有V205、TeO2, BaO及ZnO。优选地，上述a)低熔点玻璃包含V20530至70重量％、了60210至50重量％3&0 I至40重量％及ZnO I至30重量％。更优选的是本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种封装用玻璃组合物，其特征在于：上述组合物含有a)低熔点玻璃及b)催化剂。
【技术特征摘要】
2011.06.01 KR 10-2011-00526841.一种封装用玻璃组合物，其特征在于 上述组合物含有a)低熔点玻璃及b)催化剂。2.如权利要求I所述的封装用玻璃组合物，其特征在于 上述a)低熔点玻璃的晶化温度(Tc)与弯曲点(Tdsp)的温度差为18(T230°C。3.如权利要求I或权利要求2所述的封装用玻璃组合物，其特征在于 上述a)低熔点玻璃的Tc为500^580°C, Tdsp为25(T350°C。4.如权利要求I所述的封装用玻璃组合物，其特征在于 上述b)催化剂的晶化温度(Tc)与弯曲点(Tdsp)的温度差为5(Tl00°C。5.如权利要求I所述的封装用玻璃组合物，其特征在于 上述b)催化剂是Tc为35(T400°C，Tdsp为27(T320°C的玻璃。6.如权利要求I所述的封装用玻璃组合物，其特征在于 上述a)低熔点玻璃与上述b)催化剂含有V2O5 30 80重量，％、Te02 10^40重量％&BaO5 40重量％。7.如权利要求I所述的封装用玻璃组合物，其特征在于 上述封装用玻璃组合物的软化点(Ts)与晶化起始温度(Tx)的差(Tx-Ts)为5 30°C。8.如权利要求I所述的封装用玻璃组合物，其特征在于 上述a)低熔点玻璃与...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈宇成，李志薰，金润泰，
申请(专利权)人：大洲电子材料株式会社，
类型：发明
国别省市：
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