【技术实现步骤摘要】
本技术涉及ー种薄膜晶体管的结构。
技术介绍
薄膜晶体管技术已是现今平板显示的主导技术。在平板显示器件中引入薄膜晶体管(TFT)开关元件和存贮电容，可大大提高显示器件性能，实现大容量、高清晰度和全彩色的视频显示。目前，应用于显示器中的薄膜晶体管自下而上依次有栅极、绝缘层、有源层、在有源层上覆盖相隔的源电极和漏电极，栅极均为矩形平面(如图1)，薄膜晶体管沟道的长度L是通过源电极和漏电极之间相隔的距离来界定，沟道的宽度W是通过器件沟道处源电极 或漏电极的宽度来界定的。源、漏电极图形是通过一歩光刻エ艺来实现的，即沟道的长度和宽度也是通过这ー步光刻エ艺来确定的，随着人们对显示器分辨率要求的提高，薄膜晶体管的集成度要求相应提高，器件尺寸包括其沟道的长度和宽度也要求成比例縮小，然而通过光刻源、漏电极图形来控制沟道长度和宽度同时成比例縮小，将增加光刻エ艺的难度，一旦这步エ艺出现问题，将严重影响器件的成品率。
技术实现思路
本技术的目的是提供ー种有利于提高器件成品率的薄膜晶体管结构。本技术的薄膜晶体管结构，自下而上依次有栅极、绝缘层、有源层、在有源层上覆盖有相隔的源电极和漏电极，器件沟道的长度等于源电极和漏电极之间相隔的距离，栅极为“n”型形状，器件沟道的宽度等于“n”型底边的边宽，沟道处源电极和漏电极的宽度大于“n”型底边的宽度。本技术的薄膜晶体管结构，由于采用“n”型形状的栅极，由“n”型底边的边宽来界定器件沟道的宽度，栅极和源、漏电极图案通过两步光刻完成，克服了由光刻源、漏电极图案同时控制沟道长度和宽度的エ艺难度，有利于提高器件成品率。附图说明图I为传统薄膜晶体管的结构...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管的结构，自下而上依次有栅极（1）、绝缘层（2）、有源层（3）、在有源层（3）上覆盖有相隔的源电极（4）和漏电极（5），器件沟道的长度（L）等于源电极（4）和漏电极（5）之间相隔的距离，其特征在于栅极（1）为“n”型形状，器件沟道的宽度（W）等于“n”型底边的边宽，沟道处源电极（4）和漏电极（5）的宽度大于“n”型底边的宽度。
【技术特征摘要】
1. 一种薄膜晶体管的结构，自下而上依次有栅极(I)、绝缘层(2)、有源层(3)、在有源层(3)上覆盖有相隔的源电极(4)和漏电极(5)，器件沟道的长度(L)等于源电极(4...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕建国，张杰，李喜峰，叶志镇，张焱，吴萍，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：实用新型
国别省市：
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