本发明专利技术公开一种多晶硅层的制造方法。本发明专利技术的一实施例涉及的多晶硅层（22）的制造方法，其特征为，使非晶硅层（20）和金属混合层（30）接触之后，对非晶硅层（20）进行晶化热处理，从而制造多晶硅层（22）。根据本发明专利技术，能够提供导入少量金属催化剂也能够降低结晶温度的多晶硅层的制造方法。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种多晶硅层的制造方法及用于其的金属混合层形成装置。更具体地说，本专利技术涉及利用金属诱导晶化法将非晶硅层结晶化时，导入少量金属催化剂也能够降低结晶温度的多晶硅层的制造方法及用于其的金属混合层形成装置。
技术介绍
用于液晶显示器(IXD :Liquid Crystal Display)、有机发光显示器(OLED :Organic Light Emitting Display)等的薄膜晶体管(TFT Thin Film Transistor)大致分为非晶硅TFT和多晶硅TFT。TFT的特性用电子迁移率评价，非晶硅TFT的电子迁移率约为I cm2/Vs，多晶硅TFT的电子迁移率约为100 cm 2/Vs左右，因此，高性能的IXD中优选采用多晶硅TFT。 制造多晶硅TFT时，关键在于非晶硅层的结晶エ艺。特别是，优选降低结晶温度，制造TFT时结晶温度过高则不能使用熔点低的玻璃基板，从而存在TFT制造成本太高的问题。考虑这种玻璃基板的可使用性，最近提出了在低温下能够快速形成多晶硅层的各种エ艺。
技术实现思路
其中，金属诱导晶化(MIC :Metal Induced Crystallization)法是在非晶娃上涂覆Ni、Cu、Al等金属催化剂来诱导在低温下结晶的方法，虽然具有能够在低温下结晶的优点，但由于在活性区域包含大量的金属，所以存在漏电流大幅増加的缺陷。这样的，MIC法虽然具有制造TFT时降低非晶硅的结晶温度从而可以使用玻璃基板的优点，但也存在因金属污染降低TFT特性的缺陷，因此，优选尽量少量导入金属催化剂的情况下降低结晶温度。对此，本专利技术是为了解决所述现有技术的问题而提出，其目的在于，提供ー种利用金属诱导晶化法对非晶硅层进行结晶化时，导入少量金属催化剂的同时也能够降低结晶温度的、利用金属混合层制造多晶硅层的方法。另外，本专利技术目的在于，提供ー种形成用于对非晶硅层进行金属诱导晶化的金属混合层时，能够精确控制供给反应室的金属源气体的金属混合层形成装置。根据本专利技术，利用金属诱导晶化法晶化非晶硅层时，利用金属混合层，即使导入少量金属催化剂也能够降低结晶温度。另外，根据本专利技术，形成用于对非晶硅进行金属诱导晶化的金属混合层时，能够精确控制供给反应室的金属源气体的量。附图说明图I是表示根据本专利技术的一实施例在基板上形成有非晶硅层的示意图。图2是表示根据本专利技术的一实施例在非晶硅层上形成有金属混合层的示意图。图3是表示根据本专利技术的ー实施例，金属浓度被调节的金属混合层的示意图。图4是表示根据本专利技术的ー实施例，非晶硅层被转化成多晶硅层的示意图。图5是表示根据本专利技术的一实施例在金属混合层的上部、下部，或者上部和下部形成有金属非混合层的示意图。图6是表示根据本专利技术的另ー实施例在金属混合层上形成有非晶硅层的示意图。图7是表示本专利技术的一实施例涉及的金属混合层形成装置的结构图。图8是表示本专利技术的一实施例涉及的金属源气体供给部的结构图。图9是表示本专利技术的一实施例涉及的金属源气体供给部的源物质存储部的一例的示意图。 图10是表示本专利技术的一实施例涉及的金属源气体供给部的源物质存储部的另ー例的示意图。图11是表示本专利技术的一实施例涉及的金属源气体供给部的源物质供给部的结构的分解立体图。图12是表示本专利技术的一实施例涉及的金属源气体供给部的源物质供给部的结构的部分剖面立体图。图13是表示本专利技术的一实施例涉及的金属源气体供给部的源物质蒸发部和源物质排出部的结构图。图14是表示本专利技术的一实施例涉及的金属源气体供给部的源物质蒸发部和源物质排出部的结构的分解立体图。图15是表示本专利技术的一实施例涉及的金属源气体供给部的源物质蒸发部和源物质排出部的结构的剖视图。图16至图19是表示本专利技术的一实施例涉及的金属源气体供给部的源物质供给部的动作的示意图。图20是表示本专利技术的另ー实施例涉及的源物质供给部的结构的剖视图。图21是表示根据本专利技术的一实施例涉及的多晶硅层制造方法制造的多晶硅层的波长而变化的反射比的示意图。附图标记10 :基板20 :非晶硅层22:多晶硅层30 :金属混合层32 :金属34 :基质40 ;40a、40b、40c、40d :金属非混合层A:反应室B :金属源气体供给部C :基质源气体供给部D :上部电极E :下部电极F :辅助气体供给部200 :源物质存储部210 :吹扫气体供给管220 :过滤部250 :源物质供给管260 :第二监控窗270 :冷却单元300 :源物质蒸发部 310 :源物质加热器312:电源线314 :温度测量仪344 :空气管364 :空气管400 :源物质排出部410 :源物质托架420 :翻转执行器422 :第一气压管424 :第三传感器430 :源物质保管桶440 :第三监控窗442:透明窗450 闸门阀452:闸门主体454 闸门460 :气缸462 :第二气压管500 :源物质供给部510 :主体520 :旋转供给台530:填充部540 :分隔板550 :供给孔560 :第一传感器570 :第二传感器600 :载气供给部610 :供气管620 :排气管700 :逆流防止气体供给部具体实施例方式为了实现所述目的，本专利技术的一实施例涉及的多晶硅层的制造方法，其特征在干，使非晶娃层和金属混合层(metal mixed layer)接触之后,对所述非晶娃层进行金属诱导晶化热处理，从而制造多晶硅层。此外，为了实现所述目的，本专利技术的一实施例涉及的金属混合层形成装置，形成用于将非晶娃层进行金属诱导晶化热处理的金属混合层(metal mixed layer),其包括反应室，配置有基板；金属源气体供给部，向所述反应室供给金属源气体；和基质(matrix)源气体供给部，向所述反应室供给基质源气体；其中，所述金属源气体供给部包括源物质存储部，存储源物质；源物质蒸发部，将所述源物质气化为源气体；载气供给部，供给载气；和源物质供给部，设在所述源物质存储部和所述源物质蒸发部之间，用于调节供给至所述源物质蒸发部的源物质的量。后述的有关本专利技术的详细说明，參照例示出可实现本专利技术的具体实施例的附图。使本领域的普通技术人员能够实现本专利技术的详细说明这些实施例。应理解为，本专利技术的各种实施例虽然彼此不同但彼此并不排斥。例如，在此记载的一实施例的具体形状、结构及特 性，在不超出本专利技术的思想和范围的情况下，可以由其它实施例实现。另外，应理解为，被公开的各实施例中的个别构成要素的位置或配置，在不超出本专利技术的思想和范围的情况下，可以改变。所以，后述的详细说明并不是用于限定，本专利技术的保护范围应以权利要求书的记载和与其权利要求书的记载同等范围内的全部技术思想为准。附图中类似的附图标记是表示多方面相同或类似的功能，长度和面积、厚度等为了便于表示其形状，也有可能夸大表/Jn o下面，为了使本专利技术所属
的普通技术人员容易实现本专利技术，參照附图详细说明本专利技术的优选实施例。_4] 多晶硅层的制造方法在本专利技术中，将非晶硅层20和金属混合层30接触之后对非晶硅层20进行晶化热处理，作为构成上的特点。非晶硅层20和金属混合层30的接触方式中，如图3所示，可以使金属混合层30接触于非晶硅层20上，如图6所示，也可以使非晶硅层20接触于金属混合层30上。但是，这两种情况，本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：李炳一，张熙燮，朴暻完，
申请(专利权)人：泰拉半导体株式会社，
类型：发明
国别省市：
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