本发明专利技术为低阻抗发光二极管结构及其制作方法，其结构包含一基板、一发光层、一欧姆接触层、一低阻抗接触层与一电极层，本发明专利技术方法为在该基板上依序形成该发光层、该欧姆接触层后，于该欧姆接触层上先形成一厚度在3埃-20埃的低阻抗接触层，再利用溅镀于该低阻抗接触层上形成该电极层，据此该低阻抗接触层可提供载子，使该欧姆接触层与该电极层之间不产生萧基位障，而增加该欧姆接触层的作用以降低接触阻抗，并保护该发光层在溅镀的制程中，不受到溅射离子的破坏，而形成低阻抗发光二极管结构，以增加发光效率。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及发光二极管，尤其涉及低阻抗发光二极管的结构与制作方法。
技术介绍
请参阅图I所示，其为传统蓝光发光二极管的结构，其为在一蓝宝石基板I上成长一发光层2，该发光层2包含一 N型氮化镓层3、一活化层4与一 P型氮化镓层5，并于该N型氮化镓层3与该P型氮化镓层5上分别镀上一 N型电极6与一 P型电极7后，即形成发光二极管结构。且已知该P型电极7与该P型氮化镓层5之间通常会设置一欧姆接触层8，藉以降低接触电阻。然而无可避免的，该欧姆接触层8与该P型电极7之间仍容易产生萧基位障，导致接触电阻的增加，而有元件特性不佳(如低发光效率、高前向压降(forwardVoltage))等问题。又已知镀上该P型电极7的方式，多半使用低成本的溅镀，溅镀为利用等离子体的正离子轰击金属祀材表面，金属祀材表面的原子将被射入的正离子所撞击出来，向外派射朝材料方向运动，进行金属薄膜沉积。此种方式等离子体的正离子会对于该发光层2的P型氮化镓层5造成损害，而降低该发光层2的发光效率。
技术实现思路
于是,本专利技术的主要目的在于披露一种可以降低发光二极管电性阻抗的结构与方法。本专利技术的次要目的在于披露一种可以保护发光层于溅镀制程不受离子破坏的结构与方法基于上述目的，本专利技术为一种低阻抗发光二极管结构，其包含一基板、一发光层、一欧姆接触层、一低阻抗接触层与一电极层，其中该发光层形成于该基板之上，该欧姆接触层形成于该发光层上，而该低阻抗接触层形成于该欧姆接触层之上，且该低阻抗接触层的厚度为3埃-20埃，并且该电极层形成于该低阻抗接触层之上。而本专利技术低阻抗发光二极管结构的制作方法，其步骤包含于该基板上依序形成该发光层与该欧姆接触层，再于该欧姆接触层形成该厚度在3埃 20埃的低阻抗接触层，最后于该低阻抗接触层上形成该电极层。据此，本专利技术的优点在于，可通过该低阻抗接触层提供载子，而使该欧姆接触层与该电极层之间不产生萧基位障，其可以增加该欧姆接触层的作用以降低接触阻抗，同时该低阻抗接触层的存在，可以保护该发光层在溅镀的制程中，不受到溅射离子的破坏，因此本专利技术可形成低阻抗发光二极管结构，而增加发光效率。附图说明图I为已知发光二极管结构断面图。图2为本专利技术发光二极管结构断面图。图3为本专利技术另一发光二极管结构断面图。图4A为本专利技术发光二极管结构制作流程图一。图4B为本专利技术发光二极管结构制作流程图二。图4C为本专利技术发光二极管结构制作流程图三。图5为本专利技术溅镀沉积电极层示意图。具体实施例方式有关本专利技术的详细内容及技术说明，现以实施例来作进一步说明，但应了解的是， 该等实施例仅为例示说明之用，而不应被解释为本专利技术实施的限制。请参阅图2所不,本专利技术为一种低阻抗发光二极管结构,其包含一基板10、一发光层20、一欧姆接触层30、一低阻抗接触层40与一电极层50,其中该发光层20形成于该基板10之上，该基板10可以为选自蓝宝石、碳化硅、硅、砷化镓、氮化铝与氮化镓的任一种。而该欧姆接触层30形成于该发光层20上，该发光层20可以包含一 N型半导体层21、一活化层22与一 P型半导体层23，同时该N型半导体层21形成于该基板10上，该活化层22形成于该N型半导体层21上，该P型半导体层23形成于该活化层22上，且该欧姆接触层30形成于该P型半导体层23上。又该N型半导体层21与该P型半导体层23可以为选自氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)、磷化镓(GaP)、磷化铝铟镓(AlInGaP)、磷化铝铟(AlInP)与砷化铝镓(AlGaAs)的任一种制成。该活化层22可以为氮化镓(GaN)、氮化铟镓(InGaN)、氮化铝铟镓(AlInGaN)、磷化镓(GaP)、磷化铝铟镓(AlInGaP)、磷化铝铟(AlInP)与砷化铝镓(AlGaAs)中任一种的量子讲(Quantum Well)搭配阻挡层(Barrier)的周期性结构。另该低阻抗接触层40为形成于该欧姆接触层30之上，且该低阻抗接触层40的厚度为3埃-20埃，并且该电极层50形成于该低阻抗接触层40之上，该电极层50可以为选自导电金属与氧化铟锡的任一种制成。且若该电极层50为氧化铟锡，并形成于该低阻抗接触层40之上时，该电极层50与该低阻抗接触层40界面的铟原子浓度会高于远离该电极层50另一端的5倍以上。请一并参阅图3所示，该发光层20的表面至少有两种态样，其可以为选自平整表面24(如图2所示)，或是选自粗化表面25(如图3所示)也可。请再参阅图4A-图4C所示，本专利技术首先为于基板10上依序形成发光层20与欧姆接触层30(如图4A所示)；接着再于该欧姆接触层30形成厚度在3埃-20埃的低阻抗接触层40 (如图4B所示)，该低阻抗接触层40可以为通过有机金属化学气相沉积法，于氨气与铟的环境下沉积而成。最后再于该低阻抗接触层40上形成一电极层50 (如图4C所示)，该电极层50可以为利用溅镀沉积而成。请一并参阅图5所示，本专利技术在于该低阻抗接触层40上溅镀形成该电极层50时，当靶材原子51与溅射离子52 —起飞向该低阻抗接触层40时，该低阻抗接触层40即可作为保护层，而保护该发光层20在溅镀的制程中，该发光层20的P型半导体层23不受到溅射离子52的破坏。如上所述，本专利技术通过该低阻抗接触层40的设置，除了可以增加该欧姆接触层30的作用，而降低接触阻抗，同时保护该发光层20的P型半导体层23在溅镀的制程中，不受到溅射离子52的破坏，而避免该发光层20产生缺陷，因此本专利技术可形成低阻抗发光二极管结构，而增加发光效率。·权利要求1.一种低阻抗发光二极管结构，其特征在于，包含 一基板(10)； 一发光层(20)，所述发光层(20)形成于所述基板(10)之上； 一欧姆接触层(30)，所述欧姆接触层(30)形成于所述发光层(20)上； 一低阻抗接触层(40)，所述低阻抗接触层(40)形成于所述欧姆接触层(30)之上，且所述低阻抗接触层(40)的厚度为3埃-20埃；以及 一电极层(50)，所述电极层(50)形成于所述低阻抗接触层(40)之上。2.根据权利要求I所述的低阻抗发光二极管结构，其特征在于，所述发光层(20)包含一 N型半导体层(21)、一活化层(22)与一 P型半导体层(23)，所述N型半导体层(21)形成于所述基板(10)上，所述活化层(22)形成于所述N型半导体层(21)上，所述P型半导体层(23)形成于所述活化层(22)上，所述欧姆接触层(30)形成于所述P型半导体层(23)上。3.根据权利要求2所述的低阻抗发光二极管结构，其特征在于，所述N型半导体层(21)与所述P型半导体层(23)为选自氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓、磷化镓、磷化铝铟镓、磷化铝铟与砷化铝镓的任一种制成。4.根据权利要求2所述的低阻抗发光二极管结构，其特征在于，所述活化层(22)为选自氮化镓、氮化铟镓、氮化铝铟镓、磷化镓、磷化铝铟镓、磷化铝铟与砷化铝镓中任一种的量子阱搭配阻挡层的周期性结构。5.根据权利要求I所述的低阻抗发光二极管结构，其特征在于，所述电极层(50)为选自导电金属与氧化铟锡的任一种制成。6.根据权利要求I所述的低阻抗发光二极管结构，其特征在于，所述发光层(20)的表面为选自平整表面(24)与粗化表本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种低阻抗发光二极管结构，其特征在于，包含：一基板(10)；一发光层(20)，所述发光层(20)形成于所述基板(10)之上；一欧姆接触层(30)，所述欧姆接触层(30)形成于所述发光层(20)上；一低阻抗接触层(40)，所述低阻抗接触层(40)形成于所述欧姆接触层(30)之上，且所述低阻抗接触层(40)的厚度为3埃？20埃；以及一电极层(50)，所述电极层(50)形成于所述低阻抗接触层(40)之上。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：赖鸿伟，张青洲，张智松，
申请(专利权)人：联胜光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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